Rivestimentu di SiC grafite MOCVD Porta-wafer, Suscettori di grafite perEpitaxia di SiC,
U carbone furnisce suscettori, Suscettori di epitassia di grafite, Substrati di supportu in grafite, Suscettore MOCVD, Epitaxia di SiC, Suscettori di wafer,

I vantaghji particulari di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un rivestimentu omogeneu è una eccellente durata di vita. Anu ancu proprietà di resistenza chimica è stabilità termica elevate.

U rivestimentu di SiC di u substratu di grafite per l'applicazioni di semiconduttori produce una parte cù una purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidante.
U CVD SiC o CVI SiC hè applicatu à a grafite di pezzi di cuncepimentu simplice o cumplessu. U rivestimentu pò esse applicatu in diversi spessori è à pezzi assai grandi.

Caratteristiche:
· Eccellente resistenza à i shock termichi
· Eccellente resistenza à i scossa fisica
· Eccellente resistenza chimica
· Super Alta Purezza
· Disponibilità in forma cumplessa
· Adupràbile sottu atmosfera ossidante

Applicazione:

Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

U carbone furnisce suscettoriè cumpunenti di grafite per tutti i reattori di epitaxia attuali. U nostru portafogliu include suscettori a barile per unità applicate è LPE, suscettori a frittella per unità LPE, CSD è Gemini, è suscettori a cialda unica per unità applicate è ASM. Cumbinendu forti partenariati cù i principali OEM, a cumpetenza in materia di materiali è u know-how di fabricazione, SGL offre u disignu ottimale per a vostra applicazione.