-
Tři hlavní techniky pro růst krystalů SiC
Jak je znázorněno na obr. 3, existují tři dominantní techniky, jejichž cílem je poskytnout monokrystal SiC s vysokou kvalitou a účinností: epitaxe v kapalné fázi (LPE), fyzikální transport par (PVT) a vysokoteplotní chemická depozice z plynné fáze (HTCVD). PVT je zavedený proces pro výrobu monokrystalů SiC...Číst dále -
Stručný úvod k polovodičům GaN třetí generace a související epitaxní technologii
1. Polovodiče třetí generace Technologie polovodičů první generace byla vyvinuta na základě polovodičových materiálů, jako jsou Si a Ge. Je materiálovým základem pro vývoj tranzistorů a technologie integrovaných obvodů. Polovodičové materiály první generace položily...Číst dále -
23,5 miliardy, superjednorožec ze Suzhou se chystá na IPO
Po 9 letech podnikání získala společnost Innoscience celkové financování ve výši více než 6 miliard juanů a její ocenění dosáhlo ohromujících 23,5 miliardy juanů. Seznam investorů je dlouhý jako desítky společností: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Číst dále -
Jak produkty s povlakem karbidu tantalu zvyšují odolnost materiálů proti korozi?
Povlak z karbidu tantalu je běžně používaná technologie povrchové úpravy, která může výrazně zlepšit odolnost materiálů proti korozi. Povlak z karbidu tantalu lze na povrch substrátu připevnit různými metodami přípravy, jako je chemické nanášení z plynné fáze, fyzikální...Číst dále -
Úvod do polovodičů GaN třetí generace a související epitaxní technologie
1. Polovodiče třetí generace Technologie polovodičů první generace byla vyvinuta na základě polovodičových materiálů, jako jsou Si a Ge. Je materiálovým základem pro vývoj tranzistorů a technologie integrovaných obvodů. Polovodičové materiály první generace položily základy...Číst dále -
Numerická simulační studie vlivu porézního grafitu na růst krystalů karbidu křemíku
Základní proces růstu krystalů SiC se dělí na sublimaci a rozklad surovin při vysoké teplotě, transport látek v plynné fázi působením teplotního gradientu a rekrystalizační růst látek v plynné fázi na zárodečném krystalu. Na základě toho...Číst dále -
Druhy speciálního grafitu
Speciální grafit je grafitový materiál s vysokou čistotou, vysokou hustotou a vysokou pevností, který má vynikající odolnost proti korozi, vysokou teplotní stabilitu a skvělou elektrickou vodivost. Vyrábí se z přírodního nebo umělého grafitu po tepelném zpracování při vysokých teplotách a tlakovém zpracování...Číst dále -
Analýza zařízení pro nanášení tenkých vrstev – principy a aplikace zařízení PECVD/LPCVD/ALD
Tenkovrstvá depozice spočívá v nanesení vrstvy filmu na hlavní substrátový materiál polovodiče. Tento film může být vyroben z různých materiálů, jako je izolační sloučenina oxid křemičitý, polovodičový polykřemík, kovová měď atd. Zařízení používané k nanášení povlaku se nazývá tenkovrstvá depozice...Číst dále -
Důležité materiály, které určují kvalitu růstu monokrystalického křemíku – tepelné pole
Proces růstu monokrystalického křemíku probíhá kompletně v tepelném poli. Dobré tepelné pole přispívá ke zlepšení kvality krystalů a má vyšší účinnost krystalizace. Návrh tepelného pole do značné míry určuje změny teplotních gradientů...Číst dále