소식

SiC 결정 성장을 위한 세 가지 주요 기술
관리자 작성 (2024년 7월 1일)
그림 3에서 볼 수 있듯이, 고품질 및 고효율의 SiC 단결정을 얻기 위한 주요 기술로는 액상 에피택시(LPE), 물리적 기상 수송(PVT), 고온 화학 기상 증착(HTCVD)의 세 가지가 있습니다. PVT는 SiC 단결정을 생산하는 데 널리 사용되는 공정입니다...
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3세대 반도체 GaN 및 관련 에피택셜 기술에 대한 간략한 소개
관리자 작성 (2024년 6월 28일)
1. 3세대 반도체 1세대 반도체 기술은 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge) 등의 반도체 소재를 기반으로 개발되었습니다. 이는 트랜지스터와 집적회로 기술 개발의 물질적 토대가 되었습니다. 1세대 반도체 소재는...
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235억 위안 규모의 쑤저우의 초대형 유니콘 기업이 IPO를 앞두고 있다.
관리자 작성 (2024년 6월 28일)
창업 9년 만에 이노사이언스는 총 60억 위안 이상의 자금을 유치했으며, 기업 가치는 무려 235억 위안에 달했습니다. 투자자 목록에는 푸쿤 벤처 캐피털, 둥팡 국유자산, 쑤저우 잔이, 우젠 등 수십 개의 기업이 포함되어 있습니다.
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탄탈륨 카바이드 코팅 제품은 어떻게 재료의 부식 저항성을 향상시키나요?
관리자 작성 (2024년 6월 25일)
탄탈륨 카바이드 코팅은 재료의 부식 저항성을 크게 향상시킬 수 있는 널리 사용되는 표면 처리 기술입니다. 탄탈륨 카바이드 코팅은 화학 기상 증착, 물리적 증착 등 다양한 제조 방법을 통해 기판 표면에 부착될 수 있습니다.
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3세대 반도체 GaN 및 관련 에피택셜 기술 소개
관리자 작성 (2024년 6월 25일)
1. 3세대 반도체 1세대 반도체 기술은 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge) 등의 반도체 소재를 기반으로 개발되었습니다. 이는 트랜지스터와 집적회로 기술 개발의 물질적 토대가 되었습니다. 1세대 반도체 소재는 ...
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다공성 흑연이 탄화규소 결정 성장에 미치는 영향에 대한 수치 시뮬레이션 연구
관리자 작성 (2018년 6월 24일)
SiC 결정 성장의 기본 과정은 고온에서의 원료 물질의 승화 및 분해, 온도 구배 작용에 의한 기체상 물질의 이동, 그리고 종자 결정에서의 기체상 물질의 재결정 성장으로 나뉩니다. 이를 바탕으로...
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특수 흑연의 종류
관리자 작성 (2017년 6월 24일)
특수 흑연은 고순도, 고밀도, 고강도 흑연 소재로, 탁월한 내식성, 고온 안정성 및 우수한 전기 전도성을 지니고 있습니다. 천연 또는 인공 흑연을 고온 열처리 및 고압 가공하여 만들어집니다.
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박막 증착 장비 분석 – PECVD/LPCVD/ALD 장비의 원리 및 응용
관리자 작성 (2012년 6월 24일)
박막 증착이란 반도체의 주 기판 재료 위에 막 층을 코팅하는 공정입니다. 이 막은 절연 화합물인 이산화규소, 반도체 폴리실리콘, 금속인 구리 등 다양한 재료로 만들 수 있습니다. 이러한 코팅에 사용되는 장비를 박막 증착기라고 합니다.
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단결정 실리콘 성장 품질을 결정하는 중요한 요소 - 열장
관리자 작성 (2012년 6월 24일)
단결정 실리콘의 성장 과정은 전적으로 열장 내에서 이루어집니다. 양호한 열장은 결정 품질 향상과 결정화 효율 증대에 도움이 됩니다. 열장 설계는 온도 구배의 변화를 결정하는 데 매우 중요한 역할을 합니다.
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