-
Három fő technika a SiC kristálynövesztéshez
Amint a 3. ábrán látható, három domináns technika létezik, amelyek célja a SiC egykristályok kiváló minőségű és hatékony előállításának: a folyadékfázisú epitaxia (LPE), a fizikai gőzszállítás (PVT) és a magas hőmérsékletű kémiai gőzleválasztás (HTCVD). A PVT egy jól bevált eljárás a SiC szintetikus kristályok előállítására...További információ -
Harmadik generációs félvezető GaN és a kapcsolódó epitaxiális technológia rövid bemutatása
1. Harmadik generációs félvezetők Az első generációs félvezető technológiát olyan félvezető anyagokra fejlesztették ki, mint a Si és a Ge. Ez az anyagi alapja a tranzisztorok és az integrált áramköri technológia fejlesztésének. Az első generációs félvezető anyagok lefektették...További információ -
23,5 milliárd, Suzhou szuper unikornisa tőzsdére megy
9 évnyi vállalkozói pályafutás után az Innoscience több mint 6 milliárd jüan értékű finanszírozást szerzett, és az értékelése elérte a lenyűgöző 23,5 milliárd jüant. A befektetők listája tucatnyi vállalatéval vetekszik: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...További információ -
Hogyan javítják a tantál-karbid bevonatú termékek az anyagok korrózióállóságát?
A tantál-karbid bevonat egy gyakran használt felületkezelési technológia, amely jelentősen javíthatja az anyagok korrózióállóságát. A tantál-karbid bevonat különböző előkészítési módszerekkel, például kémiai gőzfázisú leválasztással, fizikai...További információ -
Bevezetés a harmadik generációs félvezető GaN-be és a kapcsolódó epitaxiális technológiába
1. Harmadik generációs félvezetők Az első generációs félvezető technológiát olyan félvezető anyagokra alapozták, mint a Si és a Ge. Ez az anyagi alapja a tranzisztorok és az integrált áramköri technológia fejlesztésének. Az első generációs félvezető anyagok lefektették az alapot...További információ -
Numerikus szimulációs vizsgálat a porózus grafit hatásáról a szilícium-karbid kristálynövekedésre
A SiC kristálynövekedés alapvető folyamata a nyersanyagok magas hőmérsékleten történő szublimációjára és bomlására, a gázfázisú anyagok hőmérsékleti gradiens hatására történő szállítására, valamint a gázfázisú anyagok átkristályosodásos növekedésére oszlik az oltókristálynál. Ennek alapján a...További információ -
Speciális grafit típusai
A speciális grafit nagy tisztaságú, nagy sűrűségű és nagy szilárdságú grafitanyag, kiváló korrózióállósággal, magas hőmérsékleti stabilitással és nagyszerű elektromos vezetőképességgel rendelkezik. Természetes vagy mesterséges grafitból készül magas hőmérsékletű hőkezelés és nagynyomású feldolgozás után...További információ -
Vékonyréteg-leválasztó berendezések elemzése – a PECVD/LPCVD/ALD berendezések alapelvei és alkalmazásai
A vékonyréteg-leválasztás egy filmréteg felvitelét jelenti a félvezető fő hordozóanyagára. Ez a film különféle anyagokból készülhet, például szigetelő szilícium-dioxidból, félvezető poliszilíciumból, fémrézből stb. A bevonáshoz használt berendezést vékonyréteg-leválasztásnak nevezik...További információ -
A monokristályos szilícium növekedésének minőségét meghatározó fontos anyagok – hőtér
A monokristályos szilícium növekedési folyamata teljes mértékben hőtérben megy végbe. A jó hőtér elősegíti a kristályok minőségének javítását és nagyobb kristályosodási hatékonyságot biztosít. A hőtér kialakítása nagymértékben meghatározza a hőmérsékleti gradiensek változását...További információ