ព័ត៌មាន

បច្ចេកទេសសំខាន់ៗចំនួនបីសម្រាប់ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ SiC
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-07-01
ដូចបង្ហាញក្នុងរូបភាពទី 3 មានបច្ចេកទេសលេចធ្លោចំនួនបីដែលមានគោលបំណងផ្តល់នូវគ្រីស្តាល់តែមួយ SiC ដែលមានគុណភាពខ្ពស់ និងប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់៖ ការជ្រាបចូលដំណាក់កាលរាវ (LPE) ការដឹកជញ្ជូនចំហាយទឹករូបវន្ត (PVT) និងការដាក់ចំហាយគីមីសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ (HTCVD)។ PVT គឺជាដំណើរការដែលបានបង្កើតឡើងយ៉ាងល្អសម្រាប់ផលិត SiC sin...
អានបន្ថែម
ការណែនាំសង្ខេបអំពី GaN ជំនាន់ទីបីនៃឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងបច្ចេកវិទ្យា epitaxial ពាក់ព័ន្ធ
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-28
១. ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីបី បច្ចេកវិទ្យាឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីមួយត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយផ្អែកលើសម្ភារៈឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដូចជា Si និង Ge។ វាជាមូលដ្ឋានសម្ភារៈសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍត្រង់ស៊ីស្ទ័រ និងបច្ចេកវិទ្យាសៀគ្វីរួម។ សម្ភារៈឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីមួយបានដាក់...
អានបន្ថែម
២៣,៥ ពាន់លានដុល្លារ យក្សយូនីខនរបស់ស៊ូចូវនឹងដាក់លក់ភាគហ៊ុនជាសាធារណៈលើកដំបូង (IPO)
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-28
បន្ទាប់ពីរយៈពេល 9 ឆ្នាំនៃសហគ្រិនភាព ក្រុមហ៊ុន Innoscience បានរៃអង្គាសប្រាក់បានជាង 6 ពាន់លានយ័នក្នុងហិរញ្ញប្បទានសរុប ហើយការវាយតម្លៃរបស់ខ្លួនបានឈានដល់ 23.5 ពាន់លានយ័នដ៏គួរឱ្យភ្ញាក់ផ្អើល។ បញ្ជីឈ្មោះវិនិយោគិនមានប្រវែងស្មើនឹងក្រុមហ៊ុនរាប់សិប៖ Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
អានបន្ថែម
តើផលិតផលស្រោបដោយកាបូនតាល់តាលូមបង្កើនភាពធន់នឹងការច្រេះនៃវត្ថុធាតុដើមយ៉ាងដូចម្តេច?
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-25
ថ្នាំកូតកាបូអ៊ីតតាល់តាល់ គឺជាបច្ចេកវិទ្យាព្យាបាលផ្ទៃដែលត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅ ដែលអាចធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវភាពធន់នឹងការច្រេះនៃវត្ថុធាតុដើម។ ថ្នាំកូតកាបូអ៊ីតតាល់តាល់អាចត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹងផ្ទៃនៃស្រទាប់ខាងក្រោមតាមរយៈវិធីសាស្រ្តរៀបចំផ្សេងៗគ្នា ដូចជាការដាក់ចំហាយគីមី រូបវិទ្យា...
អានបន្ថែម
សេចក្តីផ្តើមអំពី GaN ជំនាន់ទីបីនៃឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងបច្ចេកវិទ្យា epitaxial ពាក់ព័ន្ធ
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-25
១. ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីបី បច្ចេកវិទ្យាឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីមួយត្រូវបានបង្កើតឡើងដោយផ្អែកលើសម្ភារៈឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដូចជា Si និង Ge។ វាជាមូលដ្ឋានសម្ភារៈសម្រាប់ការអភិវឌ្ឍត្រង់ស៊ីស្ទ័រ និងបច្ចេកវិទ្យាសៀគ្វីរួម។ សម្ភារៈឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីមួយបានដាក់ចេញនូវ...
អានបន្ថែម
ការសិក្សាអំពីការក្លែងធ្វើលេខលើឥទ្ធិពលនៃក្រាហ្វីតដែលមានរន្ធញើសលើការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាប៊ីត
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-18
ដំណើរការជាមូលដ្ឋាននៃការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ SiC ត្រូវបានបែងចែកទៅជាការ sublimation និងការ decomposition នៃវត្ថុធាតុដើមនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ការដឹកជញ្ជូនសារធាតុដំណាក់កាលឧស្ម័នក្រោមសកម្មភាពនៃជម្រាលសីតុណ្ហភាព និងការលូតលាស់ recrystallization នៃសារធាតុដំណាក់កាលឧស្ម័ននៅគ្រីស្តាល់គ្រាប់ពូជ។ ដោយផ្អែកលើនេះ...
អានបន្ថែម
ប្រភេទនៃក្រាហ្វីតពិសេស
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-17
ក្រាហ្វីតពិសេសគឺជាវត្ថុធាតុក្រាហ្វីតដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ និងកម្លាំងខ្ពស់ ហើយមានភាពធន់នឹងការច្រេះដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងចរន្តអគ្គិសនីដ៏អស្ចារ្យ។ វាត្រូវបានផលិតពីក្រាហ្វីតធម្មជាតិ ឬសិប្បនិម្មិតបន្ទាប់ពីការព្យាបាលកំដៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងដំណើរការសម្ពាធខ្ពស់...
អានបន្ថែម
ការវិភាគឧបករណ៍ដាក់ស្រទាប់ស្តើង - គោលការណ៍ និងការអនុវត្តឧបករណ៍ PECVD/LPCVD/ALD
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-12
ការដាក់ស្រទាប់ហ្វីលស្តើងគឺជាការស្រោបស្រទាប់ហ្វីលលើសម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោមសំខាន់នៃស៊ីមីកុងដុកទ័រ។ ហ្វីលនេះអាចត្រូវបានផលិតពីវត្ថុធាតុផ្សេងៗដូចជាសមាសធាតុអ៊ីសូឡង់ស៊ីលីកុនឌីអុកស៊ីត ប៉ូលីស៊ីកុងដុកទ័រ លោហៈទង់ដែងជាដើម។ ឧបករណ៍ដែលប្រើសម្រាប់ថ្នាំកូតត្រូវបានគេហៅថាការដាក់ស្រទាប់ហ្វីលស្តើង...
អានបន្ថែម
សម្ភារៈសំខាន់ៗដែលកំណត់គុណភាពនៃការលូតលាស់ស៊ីលីកុន monocrystalline - វាលកម្ដៅ
ដោយអ្នកគ្រប់គ្រងនៅថ្ងៃទី 24-06-12
ដំណើរការលូតលាស់របស់ស៊ីលីកុនម៉ូណូគ្រីស្តាលីនត្រូវបានអនុវត្តទាំងស្រុងនៅក្នុងវាលកម្ដៅ។ វាលកម្ដៅល្អគឺអំណោយផលដល់ការកែលម្អគុណភាពនៃគ្រីស្តាល់ និងមានប្រសិទ្ធភាពគ្រីស្តាល់ខ្ពស់ជាង។ ការរចនានៃវាលកម្ដៅភាគច្រើនកំណត់ការផ្លាស់ប្តូរជម្រាលសីតុណ្ហភាព...
អានបន្ថែម

<<< មុន 11 12 13 14 15 16 17 បន្ទាប់ >>> ទំព័រ ១៤ / ៦៧

ព័ត៌មាន

បច្ចេកទេសសំខាន់ៗចំនួនបីសម្រាប់ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ SiC

ការណែនាំសង្ខេបអំពី GaN ជំនាន់ទីបីនៃឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងបច្ចេកវិទ្យា epitaxial ពាក់ព័ន្ធ

២៣,៥ ពាន់លានដុល្លារ យក្សយូនីខនរបស់ស៊ូចូវនឹងដាក់លក់ភាគហ៊ុនជាសាធារណៈលើកដំបូង (IPO)

តើផលិតផលស្រោបដោយកាបូនតាល់តាលូមបង្កើនភាពធន់នឹងការច្រេះនៃវត្ថុធាតុដើមយ៉ាងដូចម្តេច?

សេចក្តីផ្តើមអំពី GaN ជំនាន់ទីបីនៃឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក និងបច្ចេកវិទ្យា epitaxial ពាក់ព័ន្ធ

ការសិក្សាអំពីការក្លែងធ្វើលេខលើឥទ្ធិពលនៃក្រាហ្វីតដែលមានរន្ធញើសលើការលូតលាស់គ្រីស្តាល់ស៊ីលីកុនកាប៊ីត

ប្រភេទនៃក្រាហ្វីតពិសេស

ការវិភាគឧបករណ៍ដាក់ស្រទាប់ស្តើង - គោលការណ៍ និងការអនុវត្តឧបករណ៍ PECVD/LPCVD/ALD

សម្ភារៈសំខាន់ៗដែលកំណត់គុណភាពនៃការលូតលាស់ស៊ីលីកុន monocrystalline - វាលកម្ដៅ

ហេតុអ្វីបានជា SiC Cantilever Paddle មានសារៈសំខាន់សម្រាប់...

តើបំពង់សាយភាយ SiC ជាអ្វី? មុខងារ, ...

តើក្រាហ្វីតដែលមានរន្ធញើសជាអ្វី? លក្ខណៈសម្បត្តិ ការប្រើប្រាស់...

តើអ្វីទៅជាកម្មវិធីនៃក្រាហ្វីតហ្វេល...

តើបន្ទះបាយប៉ូឡាក្រាហ្វីតដំណើរការយ៉ាងដូចម្តេចនៅក្នុង...