সংবাদ

SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য তিনটি প্রধান কৌশল
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৭-০১ তারিখে
চিত্র ৩-এ যেমন দেখানো হয়েছে, উচ্চ গুণমান ও দক্ষতার সাথে SiC একক স্ফটিক প্রদানের লক্ষ্যে তিনটি প্রধান কৌশল রয়েছে: লিকুইড ফেজ এপিট্যাক্সি (LPE), ফিজিক্যাল ভেপার ট্রান্সপোর্ট (PVT), এবং হাই-টেম্পারেচার কেমিক্যাল ভেপার ডিপোজিশন (HTCVD)। PVT হলো SiC একক স্ফটিক উৎপাদনের জন্য একটি সুপ্রতিষ্ঠিত প্রক্রিয়া...
আরও পড়ুন
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর GaN এবং সংশ্লিষ্ট এপিটেক্সিয়াল প্রযুক্তির সংক্ষিপ্ত পরিচিতি
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-২৮ তারিখে
১. তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর। প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge)-এর মতো সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের উপর ভিত্তি করে বিকশিত হয়েছিল। এটি ট্রানজিস্টর এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির বিকাশের উপাদানগত ভিত্তি। প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলো স্থাপন করেছিল...
আরও পড়ুন
২৩.৫ বিলিয়ন, সুঝৌ-এর সুপার ইউনিকর্ন আইপিওতে যাচ্ছে।
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-২৮ তারিখে
উদ্যোক্তা হিসেবে ৯ বছর পর, ইনোসায়েন্স মোট ৬ বিলিয়ন ইউয়ানেরও বেশি অর্থায়ন সংগ্রহ করেছে এবং এর মূল্যায়ন বিস্ময়করভাবে ২৩.৫ বিলিয়ন ইউয়ানে পৌঁছেছে। বিনিয়োগকারীদের তালিকায় কয়েক ডজন কোম্পানি রয়েছে: ফুকুন ভেঞ্চার ক্যাপিটাল, ডংফাং স্টেট-ওনড অ্যাসেটস, সুঝো ঝানয়ি, উজিয়ান...
আরও পড়ুন
ট্যান্টালাম কার্বাইড প্রলেপযুক্ত পণ্য কীভাবে উপকরণের ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা বৃদ্ধি করে?
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-২৫ তারিখে
ট্যান্টালাম কার্বাইড কোটিং একটি বহুল ব্যবহৃত পৃষ্ঠতল প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি যা উপাদানের ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করতে পারে। ট্যান্টালাম কার্বাইড কোটিং বিভিন্ন প্রস্তুতি পদ্ধতির মাধ্যমে সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে সংযুক্ত করা যেতে পারে, যেমন রাসায়নিক বাষ্প জমা পদ্ধতি, ভৌত...
আরও পড়ুন
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর GaN এবং সংশ্লিষ্ট এপিটেক্সিয়াল প্রযুক্তির পরিচিতি
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-২৫ তারিখে
১. তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর। প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি সিলিকন (Si) এবং জার্মেনিয়াম (Ge)-এর মতো সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের উপর ভিত্তি করে বিকশিত হয়েছিল। এটি ট্রানজিস্টর এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট প্রযুক্তির বিকাশের উপাদানগত ভিত্তি। প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলো পথ তৈরি করে দিয়েছিল...
আরও পড়ুন
সিলিকন কার্বাইড স্ফটিকের বৃদ্ধিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের প্রভাব নিয়ে সংখ্যাসূচক সিমুলেশন গবেষণা
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-১৮ তারিখে
SiC স্ফটিক বৃদ্ধির মৌলিক প্রক্রিয়াকে উচ্চ তাপমাত্রায় কাঁচামালের ঊর্ধ্বপাতন ও বিয়োজন, তাপমাত্রার তারতম্যের প্রভাবে গ্যাসীয় পদার্থের পরিবহন এবং বীজ স্ফটিকে গ্যাসীয় পদার্থের পুনঃস্ফটিকীকরণ বৃদ্ধি—এই তিনটি ভাগে ভাগ করা হয়। এর উপর ভিত্তি করে, ...
আরও পড়ুন
বিশেষ গ্রাফাইটের প্রকারভেদ
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-১৭ তারিখে
বিশেষ গ্রাফাইট হলো একটি উচ্চ বিশুদ্ধতা, উচ্চ ঘনত্ব এবং উচ্চ শক্তির গ্রাফাইট উপাদান, যার চমৎকার ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা, উচ্চ তাপমাত্রায় স্থিতিশীলতা এবং দারুণ বিদ্যুৎ পরিবাহিতা রয়েছে। এটি প্রাকৃতিক বা কৃত্রিম গ্রাফাইট থেকে উচ্চ তাপমাত্রার তাপীয় প্রক্রিয়াকরণ এবং উচ্চ চাপের প্রক্রিয়াকরণের মাধ্যমে তৈরি করা হয়...
আরও পড়ুন
পাতলা ফিল্ম জমা করার যন্ত্রপাতির বিশ্লেষণ – PECVD/LPCVD/ALD যন্ত্রপাতির মূলনীতি এবং প্রয়োগ
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-১২ তারিখে
থিন ফিল্ম ডিপোজিশন হলো সেমিকন্ডাক্টরের মূল সাবস্ট্রেট উপাদানের উপর একটি ফিল্মের স্তর প্রলেপ দেওয়া। এই ফিল্মটি বিভিন্ন উপাদান দিয়ে তৈরি হতে পারে, যেমন অন্তরক যৌগ সিলিকন ডাইঅক্সাইড, সেমিকন্ডাক্টর পলিসিলিকন, ধাতু তামা ইত্যাদি। প্রলেপ দেওয়ার জন্য ব্যবহৃত সরঞ্জামকে থিন ফিল্ম ডিপোজিশন বলা হয়...
আরও পড়ুন
মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধির গুণমান নির্ধারণকারী গুরুত্বপূর্ণ উপাদান – তাপ ক্ষেত্র
অ্যাডমিন কর্তৃক ২৪-০৬-১২ তারিখে
একক-স্ফটিক সিলিকনের বৃদ্ধি প্রক্রিয়া সম্পূর্ণরূপে তাপীয় ক্ষেত্রে সম্পন্ন হয়। একটি ভালো তাপীয় ক্ষেত্র স্ফটিকের গুণমান উন্নত করতে সহায়ক এবং এর স্ফটিকীকরণের দক্ষতা বেশি। তাপীয় ক্ষেত্রের নকশাই মূলত তাপমাত্রার তারতম্য নির্ধারণ করে...
আরও পড়ুন

<<পূর্ববর্তী 11 12 13 14 15 16 17 পরবর্তী >>> পৃষ্ঠা ১৪ / ৬৭

সংবাদ

SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য তিনটি প্রধান কৌশল

তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর GaN এবং সংশ্লিষ্ট এপিটেক্সিয়াল প্রযুক্তির সংক্ষিপ্ত পরিচিতি

২৩.৫ বিলিয়ন, সুঝৌ-এর সুপার ইউনিকর্ন আইপিওতে যাচ্ছে।

ট্যান্টালাম কার্বাইড প্রলেপযুক্ত পণ্য কীভাবে উপকরণের ক্ষয় প্রতিরোধ ক্ষমতা বৃদ্ধি করে?

তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর GaN এবং সংশ্লিষ্ট এপিটেক্সিয়াল প্রযুক্তির পরিচিতি

সিলিকন কার্বাইড স্ফটিকের বৃদ্ধিতে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের প্রভাব নিয়ে সংখ্যাসূচক সিমুলেশন গবেষণা

বিশেষ গ্রাফাইটের প্রকারভেদ

পাতলা ফিল্ম জমা করার যন্ত্রপাতির বিশ্লেষণ – PECVD/LPCVD/ALD যন্ত্রপাতির মূলনীতি এবং প্রয়োগ

মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন বৃদ্ধির গুণমান নির্ধারণকারী গুরুত্বপূর্ণ উপাদান – তাপ ক্ষেত্র

কেন SiC ক্যান্টিলিভার প্যাডেল অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ...

SiC ডিফিউশন টিউব কী? এর কার্যাবলী, ...

ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট কী? বৈশিষ্ট্য, প্রয়োগ...

গ্রাফাইট ফেল্‌-এর প্রয়োগগুলো কী কী...

গ্রাফাইট বাইপোলার প্লেটগুলি বাস্তবে কীভাবে কাজ করে...