-
SiC кристалларын үстерү өчен өч төп ысул
3 нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, SiC монокристаллына югары сыйфат һәм нәтиҗәлелек бирү өчен өч доминант ысул бар: сыек фазалы эпитаксия (LPE), физик пар ташу (PVT) һәм югары температуралы химик пар утырту (HTCVD). PVT - SiC sin... җитештерү өчен яхшы билгеле булган процесс.Күбрәк укыгыз -
Өченче буын ярымүткәргеч GaN һәм аңа бәйле эпитаксиаль технологияләргә кыскача кереш
1. Өченче буын ярымүткәргечләр Беренче буын ярымүткәргеч технологиясе Si һәм Ge кебек ярымүткәргеч материалларга нигезләнеп эшләнгән. Ул транзисторлар һәм интеграль схемалар технологиясен үстерү өчен матди нигез булып тора. Беренче буын ярымүткәргеч материаллары...Күбрәк укыгыз -
23,5 миллиард долларлык Сучжоуның супер бермөгезле аты IPOга чыгачак
9 еллык эшкуарлыктан соң, Innoscience гомуми финанслау күләме 6 миллиард юаньнан артык тәшкил итте, һәм аның бәясе гаҗәеп 23,5 миллиард юаньга җитте. Инвесторлар исемлеге дистәләгән компанияләр кебек озын: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Күбрәк укыгыз -
Тантал карбиды белән капланган продуктлар материалларның коррозиягә чыдамлыгын ничек арттыра?
Тантал карбид каплавы - материалларның коррозиягә чыдамлыгын сизелерлек яхшырта ала торган еш кулланыла торган өслек эшкәртү технологиясе. Тантал карбид каплавын төп өслеккә төрле әзерләү ысуллары, мәсәлән, химик пар белән каплау, физик... ярдәмендә беркетергә мөмкин.Күбрәк укыгыз -
Өченче буын ярымүткәргеч GaN һәм аңа бәйле эпитаксиаль технология белән таныштыру
1. Өченче буын ярымүткәргечләр Беренче буын ярымүткәргеч технологиясе Si һәм Ge кебек ярымүткәргеч материаллар нигезендә эшләнгән. Ул транзисторлар һәм интеграль схемалар технологиясен үстерү өчен матди нигез булып тора. Беренче буын ярымүткәргеч материаллары ... нигезен салды.Күбрәк укыгыз -
Кремний карбиды кристаллары үсешенә күзәнәкле графитның йогынтысын санлы симуляцияләү тикшеренүе
SiC кристаллары үсешенең төп процессы чималның югары температурада сублимациясе һәм таркалуы, температура градиенты тәэсирендә газ фазасы матдәләрен ташу һәм орлык кристалында газ фазасы матдәләренең яңадан кристаллашуы үсешенә бүленә. Моңа нигезләнеп,...Күбрәк укыгыз -
Махсус графит төрләре
Махсус графит - югары сафлык, югары тыгызлык һәм югары ныклыктагы графит материалы, ул коррозиягә чыдам, югары температура тотрыклылыгы һәм электр үткәрүчәнлеге белән аерылып тора. Ул югары температуралы җылылык эшкәртү һәм югары басымлы эшкәртүдән соң табигый яки ясалма графиттан ясала...Күбрәк укыгыз -
Нечкә пленка урнаштыру җиһазларын анализлау – PECVD/LPCVD/ALD җиһазларының принциплары һәм кулланылышы
Нечкә пленка урнаштыру - ярымүткәргечнең төп субстрат материалына пленка катламын каплау. Бу пленка төрле материаллардан, мәсәлән, изоляцияләүче кремний диоксиды, ярымүткәргеч полисиликон, металл бакыр һ.б. ясалырга мөмкин. Каплау өчен кулланыла торган җиһаз нечкә пленка урнаштыру дип атала...Күбрәк укыгыз -
Монокристалл кремний үсеше сыйфатын билгеләүче мөһим материаллар - термик кыр
Монокристалл кремнийның үсеш процессы тулысынча термик кырда башкарыла. Яхшы термик кыр кристалларның сыйфатын яхшыртуга ярдәм итә һәм югарырак кристаллашу нәтиҗәлелегенә ия. Термик кырның дизайны температура градиентларының үзгәрүен нигездә билгели...Күбрәк укыгыз