-
Tiga teknik utama untuk pertumbuhan kristal SiC
Seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 3, terdapat tiga teknik dominan yang bertujuan untuk menyediakan kristal tunggal SiC dengan kualiti dan kecekapan yang tinggi: epitaksi fasa cecair (LPE), pengangkutan wap fizikal (PVT), dan pemendapan wap kimia suhu tinggi (HTCVD). PVT ialah proses yang mantap untuk menghasilkan SiC sin...Baca lebih lanjut -
Pengenalan ringkas teknologi epitaksi semikonduktor GaN generasi ketiga dan berkaitan
1. Semikonduktor generasi ketiga Teknologi semikonduktor generasi pertama dibangunkan berdasarkan bahan semikonduktor seperti Si dan Ge. Ia merupakan asas bahan untuk pembangunan transistor dan teknologi litar bersepadu. Bahan semikonduktor generasi pertama meletakkan...Baca lebih lanjut -
23.5 bilion, unicorn super Suzhou akan IPO
Selepas 9 tahun berkecimpung dalam bidang keusahawanan, Innoscience telah mengumpul lebih daripada 6 bilion yuan dalam jumlah pembiayaan, dan penilaiannya telah mencecah 23.5 bilion yuan yang menakjubkan. Senarai pelaburnya adalah sama panjang dengan berpuluh-puluh syarikat: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Baca lebih lanjut -
Bagaimanakah produk bersalut tantalum karbida meningkatkan ketahanan kakisan bahan?
Salutan tantalum karbida merupakan teknologi rawatan permukaan yang biasa digunakan yang boleh meningkatkan ketahanan kakisan bahan dengan ketara. Salutan tantalum karbida boleh dilekatkan pada permukaan substrat melalui kaedah penyediaan yang berbeza, seperti pemendapan wap kimia, fizik...Baca lebih lanjut -
Pengenalan kepada semikonduktor GaN generasi ketiga dan teknologi epitaksi yang berkaitan
1. Semikonduktor generasi ketiga Teknologi semikonduktor generasi pertama dibangunkan berdasarkan bahan semikonduktor seperti Si dan Ge. Ia merupakan asas bahan untuk pembangunan transistor dan teknologi litar bersepadu. Bahan semikonduktor generasi pertama meletakkan f...Baca lebih lanjut -
Kajian simulasi berangka tentang kesan grafit berliang terhadap pertumbuhan kristal silikon karbida
Proses asas pertumbuhan kristal SiC dibahagikan kepada pemejalwapan dan penguraian bahan mentah pada suhu tinggi, pengangkutan bahan fasa gas di bawah tindakan kecerunan suhu, dan pertumbuhan penghabluran semula bahan fasa gas pada kristal benih. Berdasarkan ini,...Baca lebih lanjut -
Jenis-jenis Grafit Khas
Grafit khas ialah bahan grafit berketumpatan tinggi, berketumpatan tinggi dan berkekuatan tinggi serta mempunyai rintangan kakisan yang sangat baik, kestabilan suhu tinggi dan kekonduksian elektrik yang hebat. Ia diperbuat daripada grafit semula jadi atau tiruan selepas rawatan haba suhu tinggi dan pemprosesan tekanan tinggi...Baca lebih lanjut -
Analisis peralatan pemendapan filem nipis – prinsip dan aplikasi peralatan PECVD/LPCVD/ALD
Pemendapan filem nipis adalah untuk menyalut lapisan filem pada bahan substrat utama semikonduktor. Filem ini boleh diperbuat daripada pelbagai bahan, seperti sebatian penebat silikon dioksida, polisilikon semikonduktor, logam kuprum, dan sebagainya. Peralatan yang digunakan untuk menyalut dipanggil pemendapan filem nipis...Baca lebih lanjut -
Bahan penting yang menentukan kualiti pertumbuhan silikon monokristalin – medan terma
Proses pertumbuhan silikon monokristalin dijalankan sepenuhnya dalam medan terma. Medan terma yang baik kondusif untuk meningkatkan kualiti kristal dan mempunyai kecekapan penghabluran yang lebih tinggi. Reka bentuk medan terma sebahagian besarnya menentukan perubahan kecerunan suhu...Baca lebih lanjut