ਖ਼ਬਰਾਂ

SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧੇ ਲਈ ਤਿੰਨ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕਾਂ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-07-01 ਨੂੰ
ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿੱਤਰ 3 ਵਿੱਚ ਦਿਖਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ, ਤਿੰਨ ਪ੍ਰਮੁੱਖ ਤਕਨੀਕਾਂ ਹਨ ਜਿਨ੍ਹਾਂ ਦਾ ਉਦੇਸ਼ SiC ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਨੂੰ ਉੱਚ ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਨਾ ਹੈ: ਤਰਲ ਪੜਾਅ ਐਪੀਟੈਕਸੀ (LPE), ਭੌਤਿਕ ਭਾਫ਼ ਆਵਾਜਾਈ (PVT), ਅਤੇ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ (HTCVD)। PVT SiC sin ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਥਾਪਿਤ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ GaN ਅਤੇ ਸੰਬੰਧਿਤ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਸੰਖੇਪ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-28 ਨੂੰ
1. ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਸੀ ਅਤੇ ਜੀਈ ਵਰਗੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। ਇਹ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰਾਂ ਅਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਪਦਾਰਥਕ ਆਧਾਰ ਹੈ। ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਨੇ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
23.5 ਬਿਲੀਅਨ, ਸੁਜ਼ੌ ਦਾ ਸੁਪਰ ਯੂਨੀਕੋਰਨ IPO ਵਿੱਚ ਜਾ ਰਿਹਾ ਹੈ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-28 ਨੂੰ
9 ਸਾਲਾਂ ਦੇ ਉੱਦਮਤਾ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਇਨੋਸਾਈਂਸ ਨੇ ਕੁੱਲ ਵਿੱਤ ਵਿੱਚ 6 ਬਿਲੀਅਨ ਯੂਆਨ ਤੋਂ ਵੱਧ ਇਕੱਠੇ ਕੀਤੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਸਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਹੈਰਾਨੀਜਨਕ 23.5 ਬਿਲੀਅਨ ਯੂਆਨ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਿਆ ਹੈ। ਨਿਵੇਸ਼ਕਾਂ ਦੀ ਸੂਚੀ ਦਰਜਨਾਂ ਕੰਪਨੀਆਂ ਜਿੰਨੀ ਲੰਬੀ ਹੈ: ਫੁਕੁਨ ਵੈਂਚਰ ਕੈਪੀਟਲ, ਡੋਂਗਫਾਂਗ ਸਰਕਾਰੀ ਮਾਲਕੀ ਵਾਲੀਆਂ ਜਾਇਦਾਦਾਂ, ਸੁਜ਼ੌ ਝਾਨਯੀ, ਵੁਜਿਆਨ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟੇਡ ਉਤਪਾਦ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਕਿਵੇਂ ਵਧਾਉਂਦੇ ਹਨ?
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-25 ਨੂੰ
ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ ਇੱਕ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਣ ਵਾਲੀ ਸਤਹ ਇਲਾਜ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਹੈ ਜੋ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨੂੰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸੁਧਾਰ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਟੈਂਟਲਮ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕੋਟਿੰਗ ਨੂੰ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਤਿਆਰੀ ਤਰੀਕਿਆਂ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਰਸਾਇਣਕ ਭਾਫ਼ ਜਮ੍ਹਾਂ, ਭੌਤਿਕ ਵਿਗਿਆਨ... ਰਾਹੀਂ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ ਨਾਲ ਜੋੜਿਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ GaN ਅਤੇ ਸੰਬੰਧਿਤ ਐਪੀਟੈਕਸੀਅਲ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੀ ਜਾਣ-ਪਛਾਣ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-25 ਨੂੰ
1. ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੀ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਸੀ ਅਤੇ ਜੀਈ ਵਰਗੀਆਂ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਅਧਾਰ ਤੇ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਸੀ। ਇਹ ਟਰਾਂਜਿਸਟਰਾਂ ਅਤੇ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਸਰਕਟ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਲਈ ਪਦਾਰਥਕ ਆਧਾਰ ਹੈ। ਪਹਿਲੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਨੇ f...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਵਾਧੇ 'ਤੇ ਪੋਰਸ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੇ ਪ੍ਰਭਾਵ 'ਤੇ ਸੰਖਿਆਤਮਕ ਸਿਮੂਲੇਸ਼ਨ ਅਧਿਐਨ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-18 ਨੂੰ
SiC ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੀ ਮੁੱਢਲੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ ਕੱਚੇ ਮਾਲ ਦੇ ਉੱਤਮੀਕਰਨ ਅਤੇ ਸੜਨ, ਤਾਪਮਾਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਅਧੀਨ ਗੈਸ ਪੜਾਅ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੀ ਆਵਾਜਾਈ, ਅਤੇ ਬੀਜ ਕ੍ਰਿਸਟਲ 'ਤੇ ਗੈਸ ਪੜਾਅ ਪਦਾਰਥਾਂ ਦੇ ਮੁੜ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਵਾਧੇ ਵਿੱਚ ਵੰਡਿਆ ਗਿਆ ਹੈ। ਇਸ ਦੇ ਆਧਾਰ 'ਤੇ,...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਦੀਆਂ ਕਿਸਮਾਂ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-17 ਨੂੰ
ਵਿਸ਼ੇਸ਼ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਇੱਕ ਉੱਚ ਸ਼ੁੱਧਤਾ, ਉੱਚ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਉੱਚ ਤਾਕਤ ਵਾਲਾ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਸਥਿਰਤਾ ਅਤੇ ਵਧੀਆ ਬਿਜਲੀ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ। ਇਹ ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਗਰਮੀ ਦੇ ਇਲਾਜ ਅਤੇ ਉੱਚ ਦਬਾਅ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਕੁਦਰਤੀ ਜਾਂ ਨਕਲੀ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਤੋਂ ਬਣਿਆ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦਾ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ - PECVD/LPCVD/ALD ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਸਿਧਾਂਤ ਅਤੇ ਉਪਯੋਗ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-12 ਨੂੰ
ਥਿਨ ਫਿਲਮ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਦੇ ਮੁੱਖ ਸਬਸਟਰੇਟ ਮਟੀਰੀਅਲ ਉੱਤੇ ਫਿਲਮ ਦੀ ਇੱਕ ਪਰਤ ਨੂੰ ਕੋਟ ਕਰਨਾ ਹੈ। ਇਹ ਫਿਲਮ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਤੋਂ ਬਣਾਈ ਜਾ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਇੰਸੂਲੇਟਿੰਗ ਕੰਪਾਊਂਡ ਸਿਲੀਕਾਨ ਡਾਈਆਕਸਾਈਡ, ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਪੋਲੀਸਿਲਿਕਨ, ਮੈਟਲ ਕਾਪਰ, ਆਦਿ। ਕੋਟਿੰਗ ਲਈ ਵਰਤੇ ਜਾਣ ਵਾਲੇ ਉਪਕਰਣ ਨੂੰ ਥਿਨ ਫਿਲਮ ਡਿਪੋਜ਼ੀਸ਼ਨ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ
ਮੋਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਵਾਧੇ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪਦਾਰਥ - ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ
ਐਡਮਿਨ ਦੁਆਰਾ 24-06-12 ਨੂੰ
ਮੋਨੋਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਨ ਸਿਲੀਕਾਨ ਦੀ ਵਿਕਾਸ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਵਿੱਚ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇੱਕ ਚੰਗਾ ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਂ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਨ ਲਈ ਅਨੁਕੂਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਧੇਰੇ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਥਰਮਲ ਫੀਲਡ ਦਾ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਤਾਪਮਾਨ ਗਰੇਡੀਐਂਟ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲੀਆਂ ਨੂੰ ਨਿਰਧਾਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ...
ਹੋਰ ਪੜ੍ਹੋ