-
سه تکنیک اصلی برای رشد کریستال SiC
همانطور که در شکل 3 نشان داده شده است، سه تکنیک غالب با هدف ارائه تک بلور SiC با کیفیت و راندمان بالا وجود دارد: اپیتاکسی فاز مایع (LPE)، انتقال بخار فیزیکی (PVT) و رسوب بخار شیمیایی در دمای بالا (HTCVD). PVT یک فرآیند شناخته شده برای تولید SiC sin...ادامه مطلب -
معرفی مختصر نیمههادی نسل سوم GaN و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه داده شد. این ماده اساس توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. مواد نیمه هادی نسل اول ...ادامه مطلب -
۲۳.۵ میلیارد دلار، ابرشرکت تکشاخ سوژو به عرضه اولیه سهام (IPO) میرود
پس از ۹ سال کارآفرینی، اینوساینس بیش از ۶ میلیارد یوان در مجموع تأمین مالی جذب کرده و ارزشگذاری آن به رقم شگفتانگیز ۲۳.۵ میلیارد یوان رسیده است. فهرست سرمایهگذاران آن به اندازه دهها شرکت است: Fukun Venture Capital، Dongfang State-owned Assets، Suzhou Zhanyi، Wujian...ادامه مطلب -
چگونه محصولات پوشش داده شده با کاربید تانتالیوم مقاومت خوردگی مواد را افزایش میدهند؟
پوشش کاربید تانتالیوم یک فناوری معمول برای عملیات سطحی است که میتواند مقاومت به خوردگی مواد را به طور قابل توجهی بهبود بخشد. پوشش کاربید تانتالیوم را میتوان از طریق روشهای مختلف آمادهسازی، مانند رسوب بخار شیمیایی، رسوب فیزیکی، پوششدهی سطحی و غیره، به سطح زیرلایه متصل کرد.ادامه مطلب -
مقدمهای بر نیمههادی نسل سوم GaN و فناوری اپیتاکسیال مرتبط
1. نیمه هادی های نسل سوم فناوری نیمه هادی نسل اول بر اساس مواد نیمه هادی مانند Si و Ge توسعه داده شد. این ماده اساس توسعه ترانزیستورها و فناوری مدار مجتمع است. مواد نیمه هادی نسل اول ...ادامه مطلب -
مطالعه شبیهسازی عددی تأثیر گرافیت متخلخل بر رشد بلور کاربید سیلیکون
فرآیند اساسی رشد کریستال SiC به تصعید و تجزیه مواد اولیه در دمای بالا، انتقال مواد فاز گازی تحت تأثیر گرادیان دما و رشد تبلور مجدد مواد فاز گازی در کریستال بذر تقسیم میشود. بر این اساس،...ادامه مطلب -
انواع گرافیت ویژه
گرافیت ویژه یک ماده گرافیتی با خلوص بالا، چگالی بالا و استحکام بالا است و از مقاومت در برابر خوردگی عالی، پایداری در دمای بالا و رسانایی الکتریکی عالی برخوردار است. این ماده از گرافیت طبیعی یا مصنوعی پس از عملیات حرارتی در دمای بالا و پردازش فشار بالا ساخته میشود...ادامه مطلب -
تحلیل تجهیزات لایه نشانی لایه نازک - اصول و کاربردهای تجهیزات PECVD/LPCVD/ALD
رسوب لایه نازک به معنای پوشاندن یک لایه از فیلم روی ماده اصلی بستر نیمه هادی است. این فیلم میتواند از مواد مختلفی مانند دی اکسید سیلیکون عایق، پلی سیلیکون نیمه هادی، مس فلزی و غیره ساخته شود. تجهیزات مورد استفاده برای پوشش، رسوب لایه نازک نامیده میشود...ادامه مطلب -
مواد مهمی که کیفیت رشد سیلیکون تک کریستالی را تعیین میکنند - میدان حرارتی
فرآیند رشد سیلیکون تک کریستالی کاملاً در میدان حرارتی انجام میشود. یک میدان حرارتی خوب برای بهبود کیفیت کریستالها مفید است و راندمان تبلور بالاتری دارد. طراحی میدان حرارتی تا حد زیادی تغییرات گرادیان دما را تعیین میکند...ادامه مطلب
- English
- French
- German
- Portuguese
- Spanish
- Russian
- Japanese
- Korean
- Arabic
- Irish
- Greek
- Turkish
- Italian
- Danish
- Romanian
- Indonesian
- Czech
- Afrikaans
- Swedish
- Polish
- Basque
- Catalan
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- Albanian
- Amharic
- Armenian
- Azerbaijani
- Belarusian
- Bengali
- Bosnian
- Bulgarian
- Cebuano
- Chichewa
- Corsican
- Croatian
- Dutch
- Estonian
- Filipino
- Finnish
- Frisian
- Galician
- Georgian
- Gujarati
- Haitian
- Hausa
- Hawaiian
- Hebrew
- Hmong
- Hungarian
- Icelandic
- Igbo
- Javanese
- Kannada
- Kazakh
- Khmer
- Kurdish
- Kyrgyz
- Latin
- Latvian
- Lithuanian
- Luxembou..
- Macedonian
- Malagasy
- Malay
- Malayalam
- Maltese
- Maori
- Marathi
- Mongolian
- Burmese
- Nepali
- Norwegian
- Pashto
- Persian
- Punjabi
- Serbian
- Sesotho
- Sinhala
- Slovak
- Slovenian
- Somali
- Samoan
- Scots Gaelic
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- Ukrainian
- Urdu
- Uzbek
- Vietnamese
- Welsh
- Xhosa
- Yiddish
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur