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Três técnicas principais para o crescimento de cristais de SiC
Como mostrado na Fig. 3, existem três técnicas dominantes que visam fornecer monocristais de SiC com alta qualidade e eficiência: epitaxia em fase líquida (LPE), transporte físico de vapor (PVT) e deposição química de vapor em alta temperatura (HTCVD). O PVT é um processo bem estabelecido para a produção de monocristais de SiC...Leia mais -
Breve introdução à tecnologia epitaxial de GaN semicondutor de terceira geração e tecnologias relacionadas.
1. Semicondutores de terceira geração A tecnologia de semicondutores de primeira geração foi desenvolvida com base em materiais semicondutores como Si e Ge. Ela constitui a base material para o desenvolvimento de transistores e da tecnologia de circuitos integrados. Os materiais semicondutores de primeira geração estabeleceram as bases...Leia mais -
Com um valor de mercado de 23,5 bilhões, o super unicórnio de Suzhou vai realizar seu IPO.
Após 9 anos de empreendedorismo, a Innoscience angariou mais de 6 bilhões de yuans em financiamento total, e sua avaliação atingiu a impressionante marca de 23,5 bilhões de yuans. A lista de investidores inclui dezenas de empresas: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Leia mais -
Como os produtos revestidos com carboneto de tântalo melhoram a resistência à corrosão dos materiais?
O revestimento de carboneto de tântalo é uma tecnologia de tratamento de superfície comumente utilizada que pode melhorar significativamente a resistência à corrosão dos materiais. O revestimento de carboneto de tântalo pode ser aplicado à superfície do substrato por meio de diferentes métodos de preparação, como deposição química de vapor, processos físicos, etc.Leia mais -
Introdução à terceira geração de semicondutores GaN e tecnologias epitaxiais relacionadas.
1. Semicondutores de terceira geração A tecnologia de semicondutores de primeira geração foi desenvolvida com base em materiais semicondutores como Si e Ge. Ela constitui a base material para o desenvolvimento de transistores e da tecnologia de circuitos integrados. Os materiais semicondutores de primeira geração estabeleceram as bases para...Leia mais -
Estudo de simulação numérica sobre o efeito do grafite poroso no crescimento de cristais de carbeto de silício.
O processo básico de crescimento de cristais de SiC divide-se em sublimação e decomposição de matérias-primas a altas temperaturas, transporte de substâncias na fase gasosa sob a ação de um gradiente de temperatura e crescimento por recristalização dessas substâncias na fase gasosa sobre o cristal semente. Com base nisso, o...Leia mais -
Tipos de grafite especial
O grafite especial é um material de grafite de alta pureza, alta densidade e alta resistência, apresentando excelente resistência à corrosão, estabilidade a altas temperaturas e ótima condutividade elétrica. É produzido a partir de grafite natural ou artificial após tratamento térmico em alta temperatura e processamento sob alta pressão.Leia mais -
Análise de equipamentos de deposição de filmes finos – os princípios e aplicações de equipamentos PECVD/LPCVD/ALD
A deposição de filmes finos consiste em revestir uma camada de filme sobre o substrato principal do semicondutor. Esse filme pode ser feito de diversos materiais, como o composto isolante dióxido de silício, o semicondutor polissilício, o metal cobre, etc. O equipamento utilizado para esse revestimento é chamado de deposição de filmes finos.Leia mais -
Materiais importantes que determinam a qualidade do crescimento de silício monocristalino – campo térmico
O processo de crescimento do silício monocristalino ocorre inteiramente em um campo térmico. Um bom campo térmico contribui para melhorar a qualidade dos cristais e proporciona maior eficiência de cristalização. O projeto do campo térmico determina, em grande parte, as variações nos gradientes de temperatura...Leia mais
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