خبرونه

د SiC کرسټال ودې لپاره درې لوی تخنیکونه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۷-۰۱
لکه څنګه چې په انځور 3 کې ښودل شوي، درې غالب تخنیکونه شتون لري چې موخه یې د SiC واحد کرسټال لوړ کیفیت او موثریت چمتو کول دي: د مایع مرحله ایپیټیکسي (LPE)، فزیکي بخار لیږد (PVT)، او د لوړې تودوخې کیمیاوي بخار زیرمه (HTCVD). PVT د SiC sin تولید لپاره یو ښه تاسیس شوی پروسه ده ...
نور یی ولوله
د دریم نسل سیمیکمډکټر GaN او اړونده اپیټیکسیل ټیکنالوژۍ لنډه پیژندنه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۸
۱. د دریم نسل سیمیکمډکټرونه د لومړي نسل سیمیکمډکټر ټیکنالوژي د سیمیکمډکټر موادو لکه Si او Ge پر بنسټ رامینځته شوې. دا د ټرانزیسټرونو او مدغم سرکټ ټیکنالوژۍ پراختیا لپاره مادي اساس دی. د لومړي نسل سیمیکمډکټر موادو ... کېښود.
نور یی ولوله
د سوزو سوپر یونیکورن شرکت ۲۳.۵ ملیارد ډالر ارزښت لري او IPO ته ځي
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۸
د نهو کلونو د تشبث وروسته، انوساینس په ټولیزه توګه له ۶ ملیارد یوانو څخه ډیر تمویل راټول کړی دی، او د هغې ارزښت حیرانونکي ۲۳.۵ ملیارد یوانو ته رسیدلی دی. د پانګوالو لیست د لسګونو شرکتونو په څیر اوږد دی: فوکون وینچر کیپیټل، دونګ فانګ دولتي ملکیت شتمنۍ، سوزو ژاني، ووجیان ...
نور یی ولوله
د ټنټالم کاربایډ پوښل شوي محصولات څنګه د موادو د زنګون مقاومت لوړوي؟
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۵
د ټانټالم کاربایډ کوټینګ د سطحې درملنې لپاره یو عام کارول شوی ټیکنالوژي ده چې کولی شي د موادو د زنګون مقاومت د پام وړ ښه کړي. د ټانټالم کاربایډ کوټینګ د چمتو کولو مختلف میتودونو له لارې د سبسټریټ سطح سره وصل کیدی شي، لکه د کیمیاوي بخار زیرمه کول، فزیک ...
نور یی ولوله
د دریم نسل سیمیکمډکټر GaN او اړونده اپیتیکسیل ټیکنالوژۍ معرفي کول
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۲۵
۱. د دریم نسل سیمیکمډکټرونه د لومړي نسل سیمیکمډکټر ټیکنالوژي د سیمیکمډکټر موادو لکه Si او Ge پر بنسټ رامینځته شوې. دا د ټرانزیسټرونو او مدغم سرکټ ټیکنالوژۍ پراختیا لپاره مادي اساس دی. د لومړي نسل سیمیکمډکټر موادو f... کېښود.
نور یی ولوله
د سیلیکون کاربایډ کرسټال ودې باندې د مسام لرونکي ګرافایټ اغیزې په اړه د عددي سمولیشن مطالعه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۱۸ نیټه
د SiC کرسټال ودې اساسي پروسه په لوړه تودوخه کې د خامو موادو د سبلیمیشن او تجزیې، د تودوخې د تدریجي عمل لاندې د ګاز مرحلې موادو لیږد، او د تخم کرسټال کې د ګاز مرحلې موادو د بیا کرسټال کولو وده ویشل شوې ده. د دې پر بنسټ، ...
نور یی ولوله
د ځانګړي ګرافایټ ډولونه
د مدیر لخوا په ۲۴-۰۶-۱۷ نیټه
ځانګړی ګرافایټ یو لوړ پاکوالی، لوړ کثافت او لوړ ځواک ګرافایټ مواد دی او د ښه زنګ مقاومت، د تودوخې لوړ ثبات او عالي بریښنایی چالکتیا لري. دا د لوړې تودوخې تودوخې درملنې او لوړ فشار پروسس کولو وروسته د طبیعي یا مصنوعي ګرافایټ څخه جوړ شوی ...
نور یی ولوله
د پتلي فلم د جمع کولو تجهیزاتو تحلیل - د PECVD/LPCVD/ALD تجهیزاتو اصول او غوښتنلیکونه
د مدیر لخوا په 24-06-12 کې
د نري فلم جمع کول د سیمیکمډکټر په اصلي سبسټریټ موادو باندې د فلم یوه طبقه پوښل دي. دا فلم د مختلفو موادو څخه جوړ کیدی شي، لکه د موصل کولو مرکب سیلیکون ډای اکسایډ، سیمیکمډکټر پولیسیلیکون، فلزي مسو، او داسې نور. هغه تجهیزات چې د کوټ کولو لپاره کارول کیږي د نري فلم جمع کول بلل کیږي...
نور یی ولوله
مهم مواد چې د مونوکرسټالین سیلیکون ودې کیفیت ټاکي - حرارتي ساحه
د مدیر لخوا په 24-06-12 کې
د مونوکرسټالین سیلیکون د ودې پروسه په بشپړ ډول په تودوخې ساحه کې ترسره کیږي. یو ښه تودوخې ساحه د کرسټالونو کیفیت ښه کولو لپاره ګټوره ده او د کرسټال کولو لوړه موثریت لري. د تودوخې ساحې ډیزاین په لویه کچه د تودوخې په تدریجي بدلونونو کې بدلونونه ټاکي ...
نور یی ولوله