-
Tiga teknik utama untuk pertumbuhan kristal SiC
Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3, terdapat tiga teknik dominan yang bertujuan untuk menghasilkan kristal tunggal SiC dengan kualitas dan efisiensi tinggi: epitaksi fase cair (LPE), transpor uap fisik (PVT), dan deposisi uap kimia suhu tinggi (HTCVD). PVT adalah proses yang sudah mapan untuk menghasilkan kristal tunggal SiC...Baca selengkapnya -
Pengenalan singkat tentang semikonduktor generasi ketiga GaN dan teknologi epitaksial terkait.
1. Semikonduktor Generasi Ketiga Teknologi semikonduktor generasi pertama dikembangkan berdasarkan material semikonduktor seperti Si dan Ge. Ini adalah dasar material untuk pengembangan transistor dan teknologi sirkuit terpadu. Material semikonduktor generasi pertama meletakkan dasar...Baca selengkapnya -
23,5 miliar, perusahaan rintisan super unicorn dari Suzhou akan melakukan IPO.
Setelah 9 tahun berwirausaha, Innoscience telah mengumpulkan total pendanaan lebih dari 6 miliar yuan, dan valuasi perusahaannya mencapai angka fantastis 23,5 miliar yuan. Daftar investornya sangat panjang, setara dengan puluhan perusahaan: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...Baca selengkapnya -
Bagaimana produk berlapis tantalum karbida meningkatkan ketahanan korosi material?
Pelapisan tantalum karbida adalah teknologi perawatan permukaan yang umum digunakan dan dapat secara signifikan meningkatkan ketahanan korosi material. Pelapisan tantalum karbida dapat dilekatkan pada permukaan substrat melalui berbagai metode persiapan, seperti deposisi uap kimia, fisik...Baca selengkapnya -
Pengantar semikonduktor generasi ketiga GaN dan teknologi epitaksial terkait.
1. Semikonduktor Generasi Ketiga Teknologi semikonduktor generasi pertama dikembangkan berdasarkan material semikonduktor seperti Si dan Ge. Ini adalah dasar material untuk pengembangan transistor dan teknologi sirkuit terpadu. Material semikonduktor generasi pertama meletakkan dasar...Baca selengkapnya -
Studi simulasi numerik tentang pengaruh grafit berpori terhadap pertumbuhan kristal silikon karbida.
Proses dasar pertumbuhan kristal SiC dibagi menjadi sublimasi dan dekomposisi bahan baku pada suhu tinggi, transportasi zat fase gas di bawah pengaruh gradien suhu, dan pertumbuhan rekristalisasi zat fase gas pada kristal benih. Berdasarkan hal ini, ...Baca selengkapnya -
Jenis-jenis Grafit Khusus
Grafit khusus adalah material grafit dengan kemurnian tinggi, kepadatan tinggi, dan kekuatan tinggi, serta memiliki ketahanan korosi yang sangat baik, stabilitas suhu tinggi, dan konduktivitas listrik yang tinggi. Grafit ini terbuat dari grafit alami atau buatan setelah melalui perlakuan panas suhu tinggi dan pemrosesan tekanan tinggi...Baca selengkapnya -
Analisis peralatan deposisi lapisan tipis – prinsip dan aplikasi peralatan PECVD/LPCVD/ALD
Deposisi lapisan tipis adalah proses melapisi lapisan film pada bahan substrat utama semikonduktor. Film ini dapat terbuat dari berbagai bahan, seperti senyawa isolasi silikon dioksida, semikonduktor polisilikon, logam tembaga, dan lain-lain. Peralatan yang digunakan untuk pelapisan disebut deposisi lapisan tipis...Baca selengkapnya -
Bahan-bahan penting yang menentukan kualitas pertumbuhan silikon monokristalin – medan termal
Proses pertumbuhan silikon monokristalin sepenuhnya dilakukan dalam medan termal. Medan termal yang baik kondusif untuk meningkatkan kualitas kristal dan memiliki efisiensi kristalisasi yang lebih tinggi. Desain medan termal sangat menentukan perubahan gradien suhu...Baca selengkapnya