समाचार

SiC क्रिस्टल वृद्धि के लिए तीन प्रमुख तकनीकें
एडमिन द्वारा 24-07-01 को
चित्र 3 में दर्शाए अनुसार, उच्च गुणवत्ता और दक्षता वाले SiC एकल क्रिस्टल प्रदान करने के उद्देश्य से तीन प्रमुख तकनीकें हैं: तरल चरण एपिटैक्सी (LPE), भौतिक वाष्प परिवहन (PVT), और उच्च तापमान रासायनिक वाष्प निक्षेपण (HTCVD)। PVT, SiC एकल क्रिस्टल के उत्पादन के लिए एक सुस्थापित प्रक्रिया है...
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तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर GaN और संबंधित एपिटैक्सियल तकनीक का संक्षिप्त परिचय
एडमिन द्वारा 24-06-28 को
1. तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक: पहली पीढ़ी की अर्धचालक तकनीक सिलिकॉन (Si) और जर्मेनियम (Ge) जैसे अर्धचालक पदार्थों पर आधारित थी। यह ट्रांजिस्टर और एकीकृत परिपथ तकनीक के विकास का आधारभूत पदार्थ है। पहली पीढ़ी के अर्धचालक पदार्थों ने...
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सूज़ौ की सुपर यूनिकॉर्न कंपनी 23.5 बिलियन डॉलर के साथ आईपीओ करने जा रही है।
एडमिन द्वारा 24-06-28 को
नौ वर्षों के उद्यम के बाद, इनोसाइंस ने कुल मिलाकर 6 अरब युआन से अधिक की फंडिंग जुटाई है और इसका मूल्यांकन 23.5 अरब युआन के चौंका देने वाले स्तर तक पहुंच गया है। निवेशकों की सूची दर्जनों कंपनियों जितनी लंबी है: फुकुन वेंचर कैपिटल, डोंगफैंग स्टेट-ओन्ड एसेट्स, सूज़ौ झानयी, वूजियान...
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टैंटलम कार्बाइड लेपित उत्पाद सामग्रियों के संक्षारण प्रतिरोध को कैसे बढ़ाते हैं?
एडमिन द्वारा 24-06-25 को
टैंटलम कार्बाइड कोटिंग एक सामान्य रूप से उपयोग की जाने वाली सतह उपचार तकनीक है जो सामग्रियों के संक्षारण प्रतिरोध को काफी हद तक बेहतर बना सकती है। टैंटलम कार्बाइड कोटिंग को रासायनिक वाष्प निक्षेपण, भौतिक निक्षेपण आदि जैसी विभिन्न तैयारी विधियों के माध्यम से सब्सट्रेट की सतह पर लगाया जा सकता है।
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तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर GaN और संबंधित एपिटैक्सियल तकनीक का परिचय
एडमिन द्वारा 24-06-25 को
1. तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक: पहली पीढ़ी की अर्धचालक तकनीक सिलिकॉन (Si) और जर्मेनियम (Ge) जैसे अर्धचालक पदार्थों पर आधारित थी। यह ट्रांजिस्टर और एकीकृत परिपथ तकनीक के विकास का आधार है। पहली पीढ़ी के अर्धचालक पदार्थों ने नींव रखी...
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छिद्रयुक्त ग्रेफाइट का सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धि पर प्रभाव का संख्यात्मक अनुकरण अध्ययन
एडमिन द्वारा 24-06-18 को
SiC क्रिस्टल वृद्धि की मूल प्रक्रिया को उच्च तापमान पर कच्चे माल के ऊर्ध्वपातन और अपघटन, तापमान प्रवणता के प्रभाव में गैसीय अवस्था पदार्थों के परिवहन और बीज क्रिस्टल पर गैसीय अवस्था पदार्थों के पुन: क्रिस्टलीकरण वृद्धि में विभाजित किया गया है। इसके आधार पर...
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विशेष प्रकार के ग्रेफाइट
एडमिन द्वारा 24-06-17 को
विशेष ग्रेफाइट एक उच्च शुद्धता, उच्च घनत्व और उच्च शक्ति वाला ग्रेफाइट पदार्थ है, जिसमें उत्कृष्ट संक्षारण प्रतिरोध, उच्च तापमान स्थिरता और उच्च विद्युत चालकता होती है। इसे प्राकृतिक या कृत्रिम ग्रेफाइट से उच्च तापमान ताप उपचार और उच्च दबाव प्रसंस्करण के बाद बनाया जाता है।
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थिन फिल्म डिपोजिशन उपकरणों का विश्लेषण – PECVD/LPCVD/ALD उपकरणों के सिद्धांत और अनुप्रयोग
एडमिन द्वारा 24-06-12 को
पतली फिल्म निक्षेपण एक ऐसी प्रक्रिया है जिसमें अर्धचालक के मुख्य आधार पदार्थ पर फिल्म की एक परत चढ़ाई जाती है। यह फिल्म विभिन्न पदार्थों से बनी हो सकती है, जैसे कि इन्सुलेटिंग यौगिक सिलिकॉन डाइऑक्साइड, अर्धचालक पॉलीसिलिकॉन, धातु तांबा आदि। इस प्रक्रिया में प्रयुक्त उपकरण को पतली फिल्म निक्षेपण कहा जाता है।
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मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन के विकास की गुणवत्ता निर्धारित करने वाले महत्वपूर्ण पदार्थ – थर्मल क्षेत्र
एडमिन द्वारा 24-06-12 को
मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन की वृद्धि प्रक्रिया पूरी तरह से ऊष्मीय क्षेत्र में संपन्न होती है। एक अनुकूल ऊष्मीय क्षेत्र क्रिस्टलों की गुणवत्ता में सुधार लाने में सहायक होता है और क्रिस्टलीकरण दक्षता को बढ़ाता है। ऊष्मीय क्षेत्र का डिज़ाइन तापमान प्रवणता में होने वाले परिवर्तनों को काफी हद तक निर्धारित करता है।
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