-
SiC კრისტალების ზრდის სამი ძირითადი ტექნიკა
როგორც ნაჩვენებია ნახ. 3-ში, არსებობს სამი დომინანტური ტექნიკა, რომლებიც მიზნად ისახავს SiC მონოკრისტალის მაღალი ხარისხისა და ეფექტურობის უზრუნველყოფას: თხევადი ფაზის ეპიტაქსია (LPE), ფიზიკური ორთქლის ტრანსპორტირება (PVT) და მაღალტემპერატურულ ქიმიურ ორთქლის დეპონირება (HTCVD). PVT არის კარგად დამკვიდრებული პროცესი SiC sin...-ის წარმოებისთვის.დაწვრილებით -
მესამე თაობის ნახევარგამტარული GaN და მასთან დაკავშირებული ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის მოკლე შესავალი
1. მესამე თაობის ნახევარგამტარები პირველი თაობის ნახევარგამტარების ტექნოლოგია შემუშავდა ნახევარგამტარული მასალების, როგორიცაა Si და Ge, საფუძველზე. ეს არის ტრანზისტორებისა და ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიის განვითარების მატერიალური საფუძველი. პირველი თაობის ნახევარგამტარულმა მასალებმა საფუძველი ჩაუყარა...დაწვრილებით -
23.5 მილიარდი დოლარის ღირებულების სუჯოუს სუპერ-უნიკორნი IPO-ზე გაიყიდება
9 წლიანი მეწარმეობის შემდეგ, Innoscience-მა 6 მილიარდ იუანზე მეტი დაფინანსება მოიზიდა და მისი შეფასება გასაოცარ 23.5 მილიარდ იუანს მიაღწია. ინვესტორთა სია ათობით კომპანიის სიას აჭარბებს: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...დაწვრილებით -
როგორ აძლიერებს ტანტალის კარბიდით დაფარული პროდუქტები მასალების კოროზიისადმი მდგრადობას?
ტანტალის კარბიდის საფარი ფართოდ გამოყენებული ზედაპირის დამუშავების ტექნოლოგიაა, რომელსაც შეუძლია მნიშვნელოვნად გააუმჯობესოს მასალების კოროზიისადმი მდგრადობა. ტანტალის კარბიდის საფარის მიმაგრება სუბსტრატის ზედაპირზე შესაძლებელია სხვადასხვა მომზადების მეთოდით, როგორიცაა ქიმიური ორთქლის დეპონირება, ფიზიკური...დაწვრილებით -
მესამე თაობის ნახევარგამტარული GaN-ის და მასთან დაკავშირებული ეპიტაქსიური ტექნოლოგიის შესავალი
1. მესამე თაობის ნახევარგამტარები პირველი თაობის ნახევარგამტარების ტექნოლოგია შემუშავდა ნახევარგამტარული მასალების, როგორიცაა Si და Ge, საფუძველზე. ეს არის ტრანზისტორებისა და ინტეგრირებული სქემების ტექნოლოგიის შემუშავების მატერიალური საფუძველი. პირველი თაობის ნახევარგამტარულმა მასალებმა საფუძველი ჩაუყარა...დაწვრილებით -
ფოროვანი გრაფიტის სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდაზე გავლენის რიცხვითი სიმულაციის კვლევა
SiC კრისტალის ზრდის ძირითადი პროცესი იყოფა ნედლეულის სუბლიმაციასა და დაშლაზე მაღალ ტემპერატურაზე, აირადი ფაზის ნივთიერებების ტრანსპორტირებაზე ტემპერატურის გრადიენტის ზემოქმედებით და აირადი ფაზის ნივთიერებების რეკრისტალიზაციის ზრდაზე სათესლე კრისტალზე. ამის საფუძველზე,...დაწვრილებით -
სპეციალური გრაფიტის ტიპები
სპეციალური გრაფიტი არის მაღალი სისუფთავის, მაღალი სიმკვრივისა და მაღალი სიმტკიცის გრაფიტის მასალა და ხასიათდება შესანიშნავი კოროზიისადმი მდგრადობით, მაღალ ტემპერატურაზე სტაბილურობით და შესანიშნავი ელექტროგამტარობით. იგი მზადდება ბუნებრივი ან ხელოვნური გრაფიტისგან მაღალტემპერატურულ თერმული დამუშავებისა და მაღალი წნევის დამუშავების შემდეგ...დაწვრილებით -
თხელი ფენის დეპონირების აღჭურვილობის ანალიზი - PECVD/LPCVD/ALD აღჭურვილობის პრინციპები და გამოყენება
თხელი აპკის დატანა გულისხმობს ნახევარგამტარის ძირითად სუბსტრატზე აპკის ფენის დაფარვას. ეს აპკი შეიძლება დამზადდეს სხვადასხვა მასალისგან, როგორიცაა საიზოლაციო ნაერთი სილიციუმის დიოქსიდი, ნახევარგამტარული პოლისილიციუმი, ლითონის სპილენძი და ა.შ. დაფარვისთვის გამოყენებულ აღჭურვილობას თხელი აპკის დატანა ეწოდება...დაწვრილებით -
მნიშვნელოვანი მასალები, რომლებიც განსაზღვრავენ მონოკრისტალური სილიციუმის ზრდის ხარისხს - თერმული ველი
მონოკრისტალური სილიციუმის ზრდის პროცესი სრულად ხორციელდება თერმულ ველში. კარგი თერმული ველი ხელს უწყობს კრისტალების ხარისხის გაუმჯობესებას და აქვს კრისტალიზაციის უფრო მაღალი ეფექტურობა. თერმული ველის დიზაინი დიდწილად განსაზღვრავს ტემპერატურის გრადიენტების ცვლილებებს...დაწვრილებით