Es ist eine hervorragende Möglichkeit, unsere Produkte, Lösungen und Reparaturen zu optimieren. Unsere Mission ist es, innovative Produkte und Lösungen für unsere Kunden zu entwickeln. Dabei setzen wir auf unsere langjährige Erfahrung im Bereich OEM/ODM GaN-basierter Depitaxie auf 4-Zoll-SiC-Substraten. Wir konzentrieren uns auf den Aufbau unserer eigenen Marke und kombinieren diese mit umfassender Erfahrung und erstklassiger Ausrüstung. Unsere Produkte sind es wert, von Ihnen genutzt zu werden.
Es ist tatsächlich eine gute Möglichkeit, unsere Produkte und Lösungen sowie unseren Reparaturservice zu verbessern. Unsere Mission sollte es sein, innovative Produkte und Lösungen für unsere Kunden zu entwickeln und ihnen dabei ein hervorragendes Arbeitserlebnis zu bieten.China GaN-Substrate und GaN-FilmeMit einer breiten Produktpalette, hoher Qualität, fairen Preisen und stilvollem Design finden unsere Produkte breite Anwendung in der Schönheitsbranche und anderen Industriezweigen. Unsere Produkte und Lösungen genießen hohes Ansehen und Vertrauen bei den Anwendern und erfüllen die sich stetig wandelnden wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Bedürfnisse.

SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Waferträger

Alle unsere Suszeptoren bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit. Profitieren Sie von der hohen Reinheit unserer Graphite – speziell entwickelt für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und Plasmaätzen sowie für die Herstellung von LED-Chips.

Produktbeschreibung
Die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Bauteil mit überlegener Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Bauteilen mit einfacher oder komplexer Konstruktion aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Schichtdicken und auf sehr großen Bauteilen erfolgen.

Komponente

Zu den besonderen Vorteilen unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren zählen extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und eine ausgezeichnete Lebensdauer. Sie weisen zudem eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.

Wir gewährleisten durch hochpräzise Bearbeitung und die Einhaltung engster Toleranzen bei der SiC-Beschichtung ein gleichmäßiges Suszeptorprofil. Zudem fertigen wir Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert.

Anwendung:

Merkmale:
• Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
• Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
• Ausgezeichnete Chemikalienbeständigkeit
• Höchste Reinheit
• Verfügbarkeit in komplexen Formen
• Anwendbar unter oxidierender AtmosphäreTypische Eigenschaften des Basisgraphitmaterials:

Es ist eine hervorragende Möglichkeit, unsere Produkte, Lösungen und Reparaturen zu optimieren. Unsere Mission ist es, innovative Produkte und Lösungen für unsere Kunden zu entwickeln. Dabei setzen wir auf unsere langjährige Erfahrung im Bereich OEM/ODM GaN-basierter Depitaxie auf 4-Zoll-SiC-Substraten. Wir konzentrieren uns auf den Aufbau unserer eigenen Marke und kombinieren diese mit umfassender Erfahrung und erstklassiger Ausrüstung. Unsere Produkte sind es wert, von Ihnen genutzt zu werden.
Großhandel OEM/ODMChina GaN-Substrate und GaN-FilmeMit einer breiten Produktpalette, hoher Qualität, fairen Preisen und stilvollem Design finden unsere Produkte breite Anwendung in der Schönheitsbranche und anderen Industriezweigen. Unsere Produkte und Lösungen genießen hohes Ansehen und Vertrauen bei den Anwendern und erfüllen die sich stetig wandelnden wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Bedürfnisse.