Sintered silisiumkarbid Sic kristal / waferboat

Koarte beskriuwing:

Us Sintered Silicon Carbide (SiC) Crystal/Wafer Boat is ûntworpen foar presyzje yn 'e produksje fan healgeleiders. Mei útsûnderlike termyske stabiliteit, gemyske wjerstân en meganyske sterkte soarget dizze boat foar feilich en effisjint transport fan kristallen en wafers troch prosessen mei hege temperatuer.

Stjoer e-post nei ús Download as PDF

Produktdetail

Produktlabels

De SinteredSilisiumkarbid (SiC)Kristal/Waferboatis ûntworpen foar de strange easken fan 'e healgeleider- en mikro-elektroanika-yndustry. It biedt in feilich platfoarm foar it behanneljen fan silisiumkristallen en wafers tidens hege-temperatuerferwurking, wêrtroch't har yntegriteit en suverens de hiele tiid bewarre bliuwe.

Wichtige funksjes

Uitstekende termyske stabiliteitBy steat om temperatueren oant 1600 °C te fernearen, ideaal foar prosessen dy't krekte termyske kontrôle fereaskje.
Superieure gemyske wjerstânBestindich tsjin de measte korrosive gemikaliën en gassen, en soarget foar duorsumens yn rûge ferwurkingsomjouwings.
Robuuste meganyske sterkteBehâldt strukturele yntegriteit ûnder hege stress, wêrtroch de kâns op deformaasje of brekken ferminderet.
Minimale termyske útwreidingUntworpen om it risiko op termyske skok en barsten te minimalisearjen, en biedt betroubere prestaasjes oer lang gebrûk.
PresyzjeproduksjeMei hege presyzje makke om te foldwaan oan spesifike proseseasken en ferskate kristal- en wafergruttes te akkommodearjen.

Applikaasjes

• Ferwurking fan healgeleiderwafers

• LED-produksje

• Produksje fan fotovoltaïske sellen

• Systemen foar gemyske dampôfsetting (CVD)

• Undersyk en ûntwikkeling yn materiaalkunde

烧结碳化硅物理特性 Fysyske eigenskippen fanSynteressearreSsilikonCarbide
性质 / Eigendom	典型数值 / Typyske wearde
化学成分 / GemyskKomposysje	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Bulkdichtheid	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Skynbere porositeit Skynbere porositeit	<0,1%
常温抗弯强度/ Breukmodulus by 20 ℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Breukmodulus by 1200 ℃	290MPa
硬度/ Hurdens by 20 ℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Breuktaaiheid op 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Termyske geliedingsfermogen by 1200 ℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Termyske útwreiding by 20-1200 ℃	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Maks. wurktemperatuer	1400 ℃
热震稳定性/ Termyske skokbestindigens by 1200 ℃	Goed

Wêrom kieze wy ús sinterde silisiumkarbide (SiC) kristal/waferboat?

Kieze foar ús SiC Crystal/Wafer Boat betsjut kieze foar betrouberens, effisjinsje en lange libbensdoer. Elke boat ûndergiet strange kwaliteitskontrôlemaatregels om te soargjen dat it foldocht oan de heechste noarmen fan 'e yndustry. Dit produkt ferbetteret net allinich de feiligens en produktiviteit fan jo produksjeproses, mar garandearret ek de konsekwinte kwaliteit fan jo silisiumkristallen en wafers. Mei ús SiC Crystal/Wafer Boat kinne jo fertrouwe op in oplossing dy't jo operasjonele treflikens stipet.