სინთეზირებული სილიციუმის კარბიდის Sic კრისტალი / ვაფლის ნავი

მოკლე აღწერა:

ჩვენი სინტერიზებული სილიციუმის კარბიდის (SiC) კრისტალური/ვაფლის ნავი დაპროექტებულია ნახევარგამტარული წარმოების სიზუსტისთვის. განსაკუთრებული თერმული სტაბილურობით, ქიმიური მდგრადობითა და მექანიკური სიმტკიცით, ეს ნავი უზრუნველყოფს კრისტალებისა და ვაფლების უსაფრთხო და ეფექტურ ტრანსპორტირებას მაღალტემპერატურულ პროცესებში.

გამოგვიგზავნეთ ელ.წერილი ჩამოტვირთეთ PDF ფორმატში

პროდუქტის დეტალები

პროდუქტის ტეგები

სინტერირებულისილიციუმის კარბიდი (SiC)კრისტალი/ვაფლის ნავიშექმნილია ნახევარგამტარული და მიკროელექტრონული ინდუსტრიების მკაცრი მოთხოვნების დასაკმაყოფილებლად. ის უზრუნველყოფს უსაფრთხო პლატფორმას სილიციუმის კრისტალებისა და ვაფლების დასამუშავებლად მაღალტემპერატურულ დამუშავებაში, რაც უზრუნველყოფს მათი მთლიანობისა და სისუფთავის შენარჩუნებას მთელი პროცესის განმავლობაში.

ძირითადი მახასიათებლები

გამორჩეული თერმული სტაბილურობა1600°C-მდე ტემპერატურის ატანა შეუძლია, იდეალურია ისეთი პროცესებისთვის, რომლებიც ზუსტ თერმულ კონტროლს მოითხოვს.
უმაღლესი ქიმიური წინააღმდეგობამდგრადია კოროზიული ქიმიკატებისა და აირების უმეტესობის მიმართ, რაც უზრუნველყოფს გამძლეობას მკაცრ დამუშავების გარემოში.
მტკიცე მექანიკური სიმტკიცეინარჩუნებს სტრუქტურულ მთლიანობას მაღალი დატვირთვის დროს, ამცირებს დეფორმაციის ან დაზიანების ალბათობას.
მინიმალური თერმული გაფართოებაშექმნილია თერმული დარტყმისა და ბზარების რისკის მინიმიზაციისთვის, რაც უზრუნველყოფს საიმედო მუშაობას ხანგრძლივი გამოყენებისას.
ზუსტი წარმოებადამზადებულია მაღალი სიზუსტით, რათა დააკმაყოფილოს კონკრეტული პროცესის მოთხოვნები და მოერგოს სხვადასხვა ზომის კრისტალებსა და ვაფლებს.

აპლიკაციები

• ნახევარგამტარული ვაფლის დამუშავება

• LED-ების წარმოება

• ფოტოელექტრული უჯრედების წარმოება

• ქიმიური ორთქლის დეპონირების (CVD) სისტემები

• კვლევა და განვითარება მასალათმცოდნეობაში

烧结碳化硅物理特性 ფიზიკური თვისებებიSდაინტერესებულიSილიკონიCმსაჯობა
性质 / ქონება	典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა
化学成分 / ქიმიურიკომპოზიცია	SiC>95%, Si<5%
თქვენ密度 / მოცულობითი სიმკვრივე	>3.07 გ/სმ³
显气孔率/ აშკარა ფორიანობა აშკარა ფორიანობა	<0.1%
常温抗弯强度/ რღვევის მოდული 20℃-ზე	270 მპა
高温抗弯强度/ რღვევის მოდული 1200℃-ზე	290მპა
硬度/ სიმტკიცე 20℃-ზე	2400 კგ/მმ²
断裂韧性/ მოტეხილობისადმი გამძლეობა 20%-ზე	3.3მპა · მ^1/2
导热系数/ თბოგამტარობა 1200℃-ზე	45წთ/მ .კ
热膨胀系数/ თერმული გაფართოება 20-1200℃-ზე	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ მაქსიმალური სამუშაო ტემპერატურა	1400℃
热震稳定性/ თერმული დარტყმის წინააღმდეგობა 1200℃-ზე	კარგი

რატომ უნდა აირჩიოთ ჩვენი სინტერიზებული სილიციუმის კარბიდის (SiC) კრისტალური/ვაფლის ნავი?

ჩვენი SiC კრისტალური/ვაფლის ნავის არჩევა ნიშნავს საიმედოობის, ეფექტურობისა და ხანგრძლივი მომსახურების არჩევას. თითოეული ნავი გადის მკაცრი ხარისხის კონტროლის ზომებს, რათა უზრუნველყოფილი იყოს მისი შესაბამისობა ინდუსტრიის უმაღლეს სტანდარტებთან. ეს პროდუქტი არა მხოლოდ აუმჯობესებს თქვენი წარმოების პროცესის უსაფრთხოებას და პროდუქტიულობას, არამედ გარანტიას იძლევა თქვენი სილიკონის კრისტალებისა და ვაფლების სტაბილურ ხარისხზე. ჩვენი SiC კრისტალური/ვაფლის ნავით შეგიძლიათ ენდოთ გადაწყვეტას, რომელიც მხარს უჭერს თქვენს ოპერაციულ სრულყოფილებას.