Sintētiskā silīcija karbīda Sic kristāla/vafeļu laiva

Īss apraksts:

Mūsu saķepinātā silīcija karbīda (SiC) kristālu/vafeļu laiva ir izstrādāta precīzai pusvadītāju ražošanai. Pateicoties izcilai termiskajai stabilitātei, ķīmiskajai izturībai un mehāniskajai izturībai, šī laiva nodrošina drošu un efektīvu kristālu un vafeļu transportēšanu augstas temperatūras procesos.

Sūtiet mums e-pastu Lejupielādēt kā PDF

Produkta informācija

Produkta tagi

SaķepinātaisSilīcija karbīds (SiC)Kristāls/Vafeļu laivair izstrādāts, lai atbilstu pusvadītāju un mikroelektronikas nozaru stingrajām prasībām. Tas nodrošina drošu platformu silīcija kristālu un plākšņu apstrādei augstas temperatūras apstrādes laikā, garantējot to integritātes un tīrības saglabāšanu visā apstrādes laikā.

Galvenās iezīmes

Izcila termiskā stabilitāteSpēj izturēt temperatūru līdz 1600 °C, ideāli piemērots procesiem, kuriem nepieciešama precīza termiskā kontrole.
Izcila ķīmiskā izturībaIzturīgs pret lielāko daļu kodīgo ķīmisko vielu un gāzu, nodrošinot izturību skarbos apstrādes apstākļos.
Izturīga mehāniskā izturībaSaglabā strukturālo integritāti lielas slodzes apstākļos, samazinot deformācijas vai lūzuma iespējamību.
Minimāla termiskā izplešanāsIzstrādāts, lai samazinātu termiskā trieciena un plaisāšanas risku, nodrošinot uzticamu veiktspēju ilgstošas lietošanas laikā.
Precīza ražošanaIzgatavots ar augstu precizitāti, lai atbilstu īpašām procesa prasībām un pielāgotos dažādiem kristālu un plākšņu izmēriem.

Pieteikumi

• Pusvadītāju plākšņu apstrāde

• LED ražošana

• Fotoelektrisko elementu ražošana

• Ķīmiskās tvaiku uzklāšanas (CVD) sistēmas

• Pētniecība un attīstība materiālzinātnē

烧结碳化硅物理特性 Fizikālās īpašībasSieinteresētsSsilikonsCarbīds
性质 / Īpašums	典型数值 / Tipiskā vērtība
化学成分 / Ķīmiskā vielaSastāvs	SiC > 95%, Si < 5%
体积密度 / Tilpuma blīvums	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Šķietamā porainība Šķietamā porainība	<0,1%
常温抗弯强度/ Pārrāvuma modulis pie 20 ℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Pārrāvuma modulis pie 1200 ℃	290MPa
硬度Cietība pie 20 ℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Lūzuma izturība pie 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Siltumvadītspēja pie 1200 ℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Termiskā izplešanās pie 20–1200 ℃	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Maksimālā darba temperatūra	1400 ℃
热震稳定性/ Termiskā trieciena izturība pie 1200 ℃	Labi

Kāpēc izvēlēties mūsu saķepinātā silīcija karbīda (SiC) kristāla/vafeļu laivu?

Izvēloties mūsu SiC kristāla/vafeļu laivu, jūs izvēlaties uzticamību, efektivitāti un ilgmūžību. Katra laiva tiek pakļauta stingriem kvalitātes kontroles pasākumiem, lai nodrošinātu tās atbilstību augstākajiem nozares standartiem. Šis produkts ne tikai uzlabo jūsu ražošanas procesa drošību un produktivitāti, bet arī garantē jūsu silīcija kristālu un vafeļu nemainīgu kvalitāti. Ar mūsu SiC kristāla/vafeļu laivu jūs varat uzticēties risinājumam, kas atbalsta jūsu darbības izcilību.