Cristal/nacelle en carbure de silicium fritté

Image vedette de la plaquette de cristal/navire en carbure de silicium fritté

Brève description :

Notre nacelle pour cristaux/wafers en carbure de silicium (SiC) fritté est conçue pour la précision de la fabrication de semi-conducteurs. Dotée d'une stabilité thermique, d'une résistance chimique et d'une résistance mécanique exceptionnelles, cette nacelle assure un transport sûr et efficace des cristaux et des wafers lors des processus à haute température.

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Le frittéCarbure de silicium (SiC)Cristal/Bateau à gaufresConçu pour répondre aux exigences rigoureuses des industries des semi-conducteurs et de la microélectronique, il offre une plateforme sécurisée pour la manipulation des cristaux et des plaquettes de silicium lors du traitement à haute température, garantissant ainsi leur intégrité et leur pureté tout au long du processus.

Caractéristiques principales

Stabilité thermique exceptionnelle:Capable de supporter des températures allant jusqu'à 1600°C, idéal pour les processus nécessitant un contrôle thermique précis.
Résistance chimique supérieure:Résistant à la plupart des produits chimiques et gaz corrosifs, offrant une durabilité dans les environnements de traitement difficiles.
Résistance mécanique robuste:Maintient l’intégrité structurelle sous forte contrainte, réduisant ainsi le risque de déformation ou de rupture.
Dilatation thermique minimale:Conçu pour minimiser le risque de choc thermique et de fissuration, offrant des performances fiables lors d'une utilisation prolongée.
Fabrication de précision:Fabriqué avec une grande précision pour répondre aux exigences spécifiques du processus et s'adapter à différentes tailles de cristaux et de plaquettes.

Applications

• Traitement des plaquettes de semi-conducteurs

• Fabrication de LED

• Production de cellules photovoltaïques

• Systèmes de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

• Recherche et développement en science des matériaux

烧结碳化硅物理特性 Propriétés physiques deSintéresséSsiliciumCardoise
性质 / Propriété	典型数值 / Valeur typique
化学成分 / ChimiqueComposition	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Densité apparente	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Porosité apparente Porosité apparente	<0,1%
常温抗弯强度/ Module de rupture à 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Module de rupture à 1200℃	290MPa
硬度/ Dureté à 20℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Ténacité à la rupture à 20 %	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Conductivité thermique à 1200℃	45f/m .K
热膨胀系数/ Dilatation thermique à 20-1200℃	4,51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Température de fonctionnement max.	1400℃
热震稳定性/ Résistance aux chocs thermiques à 1200℃	Bien

Pourquoi choisir notre bateau en cristal/plaquette en carbure de silicium fritté (SiC) ?

Choisir notre nacelle de cristaux/wafers SiC, c'est opter pour la fiabilité, l'efficacité et la longévité. Chaque nacelle est soumise à des contrôles qualité rigoureux pour garantir sa conformité aux normes les plus strictes de l'industrie. Ce produit améliore non seulement la sécurité et la productivité de votre processus de fabrication, mais garantit également la qualité constante de vos cristaux et wafers de silicium. Avec notre nacelle de cristaux/wafers SiC, vous pouvez compter sur une solution qui contribue à votre excellence opérationnelle.