Sintret silisiumkarbid Sic-krystall / waferbåt

Kort beskrivelse:

Vår krystall-/waferbåt av sintret silisiumkarbid (SiC) er konstruert for presisjon i halvlederproduksjon. Med eksepsjonell termisk stabilitet, kjemisk motstand og mekanisk styrke sikrer denne båten sikker og effektiv transport av krystaller og wafere gjennom høytemperaturprosesser.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Den sintredeSilisiumkarbid (SiC)Krystall/Waferbåter utviklet for de strenge kravene til halvleder- og mikroelektronikkindustrien. Den gir en sikker plattform for håndtering av silisiumkrystaller og -skiver under høytemperaturbehandling, og sikrer at deres integritet og renhet opprettholdes gjennom hele prosessen.

Viktige funksjoner

  1. Enestående termisk stabilitetTåler temperaturer opptil 1600 °C, ideell for prosesser som krever presis termisk kontroll.
  2. Overlegen kjemisk motstandMotstandsdyktig mot de fleste korrosive kjemikalier og gasser, noe som gir holdbarhet i tøffe prosesseringsmiljøer.
  3. Robust mekanisk styrkeOpprettholder strukturell integritet under høy belastning, noe som reduserer sannsynligheten for deformasjon eller brudd.
  4. Minimal termisk ekspansjonUtviklet for å minimere risikoen for termisk sjokk og sprekkdannelser, og gir pålitelig ytelse over lengre bruk.
  5. PresisjonsproduksjonLaget med høy presisjon for å møte spesifikke prosesskrav og tilpasse seg ulike krystall- og waferstørrelser.

Bruksområder

• Halvlederwaferbehandling

• LED-produksjon

• Produksjon av fotovoltaiske celler

• Systemer for kjemisk dampavsetning (CVD)

• Forskning og utvikling innen materialvitenskap

烧结碳化硅物理特性

Fysiske egenskaper tilSinteressertSsilikonCarbide

性质 / Eiendom

典型数值 / Typisk verdi

化学成分 / KjemiskKomposisjon

SiC>95%, Si<5%

体积密度 / Bulktetthet

>3,07 g/cm³

显气孔率/ Tilsynelatende porøsitet

Tilsynelatende porøsitet

<0,1 %

常温抗弯强度/ Bruddmodul ved 20 ℃

270 MPa

高温抗弯强度/ Bruddmodul ved 1200 ℃

290MPa

硬度/ Hardhet ved 20 ℃

2400 kg/mm²

断裂韧性/ Bruddstyrke på 20 %

3.3MPa · m1/2

导热系数/ Varmeledningsevne ved 1200 ℃

45w/m .K

热膨胀系数/ Termisk ekspansjon ved 20–1200 ℃

4,51 × 10-6/℃

最高工作温度/ Maks. arbeidstemperatur

1400 ℃

热震稳定性/ Termisk sjokkmotstand ved 1200 ℃

God

Hvorfor velge vår sintrede silisiumkarbid (SiC) krystall-/waferbåt?

Å velge vår SiC-krystall-/waferbåt betyr å velge pålitelighet, effektivitet og lang levetid. Hver båt gjennomgår strenge kvalitetskontroller for å sikre at den oppfyller bransjens høyeste standarder. Dette produktet forbedrer ikke bare sikkerheten og produktiviteten i produksjonsprosessen, men garanterer også en jevn kvalitet på silisiumkrystallene og waferene dine. Med vår SiC-krystall-/waferbåt kan du stole på en løsning som støtter din driftsmessige fortreffelighet.

微信图片_20240812105939
微信图片_20240812105941

  • Tidligere:
  • Neste:

  • WhatsApp online chat!