Синтерланган кремний карбиды Sic кристалл / вафли көймәсе

Синтетик кремний карбиды Sic кристалл / пластиналы көймә. Күрсәтелгән рәсем.

Кыскача тасвирлама:

Безнең ферментланган кремний карбиды (SiC) кристалл/пластиналы көймә ярымүткәргечләр җитештерүдә төгәллек өчен эшләнгән. Гаҗәеп термик тотрыклылык, химик каршылык һәм механик ныклык белән бу көймә кристаллларны һәм пластиналарны югары температуралы процесслар аша куркынычсыз һәм нәтиҗәле ташуны тәэмин итә.

Безгә электрон почта җибәрегез PDF рәвешендә йөкләү

Продукт детальләре

Продукт теглары

СинтетикКремний карбиды (SiC)Кристалл/Вафли көймәсеярымүткәргечләр һәм микроэлектроника сәнәгатенең катгый таләпләре өчен эшләнгән. Ул югары температуралы эшкәртү вакытында кремний кристаллары һәм пластиналары белән эш итү өчен куркынычсыз платформа тәэмин итә, аларның бөтенлеге һәм сафлыгы саклануын тәэмин итә.

Төп үзенчәлекләр

Күренекле термик тотрыклылык: 1600°C кадәр температурага чыдам, төгәл җылылык контролен таләп итә торган процесслар өчен идеаль.
Югары химик каршылык: Күпчелек коррозияле химик матдәләргә һәм газларга чыдам, каты эшкәртү мохитендә ныклык тәэмин итә.
Ныклы механик ныклык: Югары көчәнеш астында структураның бөтенлеген саклый, деформация яки ватылу ихтималын киметә.
Минималь җылылык киңәюе: Термик шок һәм ярылу куркынычын минимальләштерү өчен эшләнгән, озак вакыт куллану вакытында ышанычлы эш сыйфатын тәэмин итә.
Төгәл җитештерү: Төрле кристалл һәм пластина зурлыкларын урнаштыру һәм махсус процесс таләпләренә туры килү өчен югары төгәллек белән эшләнгән.

Кушымталар

• Ярымүткәргечле пластина эшкәртү

• LED җитештерү

• Фотоэлектрик элементлар җитештерү

• Химик пар утырту (ХПК) системалары

• Материаллар фәне өлкәсендә тикшеренүләр һәм эшләнмәләр

烧结碳化硅物理特性 Физик үзлекләреSкысылганSиликонCарбид
性质 / Милек	典型数值 / Гадәти кыйммәт
化学成分 / ХимикКомпозиция	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Күплек тыгызлыгы	>3,07 г/см³
显气孔率/ Күренмәле поралылык Күренмәле поралылык	<0.1%
常温抗弯强度/ 20℃ температурада өзелү модуле	270 МПа
高温抗弯强度/ 1200℃ температурада өзелү модуле	290МПа
硬度/ 20℃ температурада катылык	2400 кг/мм²
断裂韧性/ Сыну чыдамлыгы 20%	3.3МПа · м^1/2
导热系数/ 1200℃ температурада җылылык үткәрүчәнлеге	45w/m .K
热膨胀系数/ 20-1200℃ температурада җылылык киңәюе	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Максималь эш температурасы	1400℃
热震稳定性/ 1200℃ температурада термик шокка чыдамлык	Яхшы

Ни өчен безнең синтезланган кремний карбиды (SiC) кристалл/вафли көймәсен сайларга кирәк?

Безнең SiC Crystal/Wafer Boat сайлау ышанычлылыкны, нәтиҗәлелекне һәм озак хезмәт итүне сайлау дигән сүз. Һәр көймә тармакның иң югары стандартларына туры килүен тәэмин итү өчен катгый сыйфат контроле чараларын үтә. Бу продукт сезнең җитештерү процессыгызның куркынычсызлыгын һәм җитештерүчәнлеген арттырып кына калмый, ә кремний кристаллары һәм пластиналарының даими сыйфатын да гарантияли. Безнең SiC Crystal/Wafer Boat белән сез эш осталыгыгызны хуплый торган чишелешкә ышана аласыз.