Gesintert Siliziumkarbid Sic Kristall / Waferboot

Kuerz Beschreiwung:

Eis Kristall-/Wafer-Boot aus gesintertem Siliziumkarbid (SiC) ass fir Präzisioun an der Hallefleederproduktioun entwéckelt ginn. Mat aussergewéinlecher thermescher Stabilitéit, chemescher Resistenz a mechanescher Stäerkt garantéiert dëst Boot e sécheren an effizienten Transport vu Kristaller a Waferen duerch Héichtemperaturprozesser.

Schéckt eis eng E-Mail Als PDF eroflueden

Produktdetailer

Produkt Tags

Déi SinteredSiliziumkarbid (SiC)Kristall/Waferbootass fir déi streng Ufuerderungen vun der Hallefleeder- a Mikroelektronikindustrie entwéckelt ginn. Et bitt eng sécher Plattform fir d'Handhabung vu Siliziumkristaller a Waferen während der Héichtemperaturveraarbechtung, wouduerch hir Integritéit a Rengheet während dem ganze Prozess erhale bleiwen.

Schlësselmerkmale

Aussergewéinlech thermesch StabilitéitKann Temperaturen bis zu 1600°C aushalen, ideal fir Prozesser, déi eng präzis thermesch Kontroll erfuerderen.
Iwwerleeën chemesch ResistenzResistent géint déi meescht korrosiv Chemikalien a Gaser, wat Haltbarkeet a rauhen Veraarbechtungsumfeld garantéiert.
Robust mechanesch StäerktErhält d'strukturell Integritéit ënner héijer Belaaschtung, reduzéiert d'Wahrscheinlechkeet vun Deformatioun oder Broch.
Minimal thermesch ExpansiounEntworf fir de Risiko vun Thermoschock a Rëssbildung ze minimiséieren, a bitt eng zouverlässeg Leeschtung iwwer länger Benotzung.
PräzisiounsproduktiounMat héijer Präzisioun hiergestallt fir spezifesch Prozessufuerderungen gerecht ze ginn a verschidde Kristall- a Wafergréissten z'ënnerstëtzen.

Uwendungen

• Veraarbechtung vu Hallefleiterwaferen

• LED-Produktioun

• Produktioun vu Photovoltaikzellen

• Systemer fir chemesch Dampfoflagerung (CVD)

• Fuerschung an Entwécklung an der Materialwëssenschaft

烧结碳化硅物理特性 Physikalesch Eegeschafte vunSinteresséiertSSilikonCArbid
性质 / Immobilie	典型数值 / Typesche Wäert
化学成分 / ChemeschKompositioun	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Volumendicht	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Scheinbar Porositéit Scheinbar Porositéit	<0,1%
常温抗弯强度/ Brochmodul bei 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Brochmodul bei 1200 ℃	290MPa
硬度/ Härte bei 20℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Bruchstäerkt bei 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Wärmeleitfäegkeet bei 1200 ℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Thermesch Expansioun bei 20-1200 ℃	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Maximal Aarbechtstemperatur	1400℃
热震稳定性/ Widderstand géint Thermeschock bei 1200 ℃	Gutt

Firwat eisen gesinterten Siliziumkarbid (SiC) Kristall-/Wafer-Boot wielen?

Wann Dir eist SiC Kristall/Wafer-Boot wielt, wielt Dir Zouverlässegkeet, Effizienz a Liewensdauer. All Boot ënnerläit strenge Qualitéitskontrollmoossnamen, fir sécherzestellen, datt et den héchste Standarden vun der Industrie entsprécht. Dëst Produkt verbessert net nëmmen d'Sécherheet an d'Produktivitéit vun Ärem Produktiounsprozess, mä garantéiert och déi konsequent Qualitéit vun Äre Siliziumkristaller a Waferen. Mat eisem SiC Kristall/Wafer-Boot kënnt Dir op eng Léisung vertrauen, déi Är operationell Exzellenz ënnerstëtzt.