Gesintertes Siliziumkarbid Sic-Kristall / Waferboot

Kurze Beschreibung:

Unser Kristall-/Waferschiffchen aus gesintertem Siliziumkarbid (SiC) ist für die Präzision in der Halbleiterfertigung konzipiert. Dank seiner außergewöhnlichen thermischen Stabilität, chemischen Beständigkeit und mechanischen Festigkeit gewährleistet dieses Schiffchen den sicheren und effizienten Transport von Kristallen und Wafern durch Hochtemperaturprozesse.


Produktdetail

Produkt Tags

Das GesinterteSiliziumkarbid (SiC)Kristall/Waffelbootist für die hohen Anforderungen der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie konzipiert. Es bietet eine sichere Plattform für die Handhabung von Siliziumkristallen und -Wafern während der Hochtemperaturverarbeitung und gewährleistet deren Integrität und Reinheit.

Hauptmerkmale

  1. Hervorragende thermische Stabilität: Hält Temperaturen bis zu 1600 °C stand, ideal für Prozesse, die eine präzise Wärmekontrolle erfordern.
  2. Überlegene chemische Beständigkeit: Beständig gegen die meisten ätzenden Chemikalien und Gase und somit langlebig in rauen Verarbeitungsumgebungen.
  3. Robuste mechanische Festigkeit: Erhält die strukturelle Integrität unter hoher Belastung und verringert die Wahrscheinlichkeit einer Verformung oder eines Bruchs.
  4. Minimale Wärmeausdehnung: Entwickelt, um das Risiko eines Temperaturschocks und von Rissen zu minimieren und bietet zuverlässige Leistung bei längerem Gebrauch.
  5. Präzisionsfertigung: Mit hoher Präzision gefertigt, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen und verschiedene Kristall- und Wafergrößen zu berücksichtigen.

Anwendungen

• Halbleiter-Wafer-Verarbeitung

• LED-Herstellung

• Photovoltaikzellenproduktion

• Systeme zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD)

• Forschung und Entwicklung in der Materialwissenschaft

烧结碳化硅物理特性

Physikalische Eigenschaften vonSinteressiertSSiliziumCArbid

性质 / Eigentum

典型数值 / Typischer Wert

化学成分 / ChemieZusammensetzung

SiC > 95 %, Si < 5 %

体积密度 / Schüttdichte

>3,07 g/cm³

显气孔率/ Scheinbare Porosität

Scheinbare Porosität

<0,1 %

常温抗弯强度/ Bruchmodul bei 20℃

270 MPa

高温抗弯强度/ Bruchmodul bei 1200℃

290MPa

硬度/ Härte bei 20℃

2400 kg/mm²

断裂韧性/ Bruchzähigkeit bei 20%

3.3MPa · m1/2

导热系数/ Wärmeleitfähigkeit bei 1200℃

45w/m .K

热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 20-1200℃

4.51 ×10-6/℃

最高工作温度/ Max. Betriebstemperatur

1400℃

热震稳定性/ Thermoschockbeständigkeit bei 1200℃

Gut

Warum sollten Sie sich für unser Kristall-/Waferboot aus gesintertem Siliziumkarbid (SiC) entscheiden?

Mit unserem SiC-Kristall-/Wafer-Boot entscheiden Sie sich für Zuverlässigkeit, Effizienz und Langlebigkeit. Jedes Boot durchläuft strenge Qualitätskontrollen, um sicherzustellen, dass es den höchsten Branchenstandards entspricht. Dieses Produkt erhöht nicht nur die Sicherheit und Produktivität Ihres Herstellungsprozesses, sondern garantiert auch die gleichbleibende Qualität Ihrer Siliziumkristalle und Wafer. Mit unserem SiC-Kristall-/Wafer-Boot vertrauen Sie auf eine Lösung, die Ihre operative Exzellenz unterstützt.

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