Das GesinterteSiliziumkarbid (SiC)Kristall/Waffelbootist für die hohen Anforderungen der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie konzipiert. Es bietet eine sichere Plattform für die Handhabung von Siliziumkristallen und -Wafern während der Hochtemperaturverarbeitung und gewährleistet deren Integrität und Reinheit.
Hauptmerkmale
- Hervorragende thermische Stabilität: Hält Temperaturen bis zu 1600 °C stand, ideal für Prozesse, die eine präzise Wärmekontrolle erfordern.
- Überlegene chemische Beständigkeit: Beständig gegen die meisten ätzenden Chemikalien und Gase und somit langlebig in rauen Verarbeitungsumgebungen.
- Robuste mechanische Festigkeit: Erhält die strukturelle Integrität unter hoher Belastung und verringert die Wahrscheinlichkeit einer Verformung oder eines Bruchs.
- Minimale Wärmeausdehnung: Entwickelt, um das Risiko eines Temperaturschocks und von Rissen zu minimieren und bietet zuverlässige Leistung bei längerem Gebrauch.
- Präzisionsfertigung: Mit hoher Präzision gefertigt, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen und verschiedene Kristall- und Wafergrößen zu berücksichtigen.
Anwendungen
• Halbleiter-Wafer-Verarbeitung
• LED-Herstellung
• Photovoltaikzellenproduktion
• Systeme zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD)
• Forschung und Entwicklung in der Materialwissenschaft
| 烧结碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften vonSinteressiertSSiliziumCArbid | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 化学成分 / ChemieZusammensetzung | SiC > 95 %, Si < 5 % |
| 体积密度 / Schüttdichte | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率/ Scheinbare Porosität Scheinbare Porosität | <0,1 % |
| 常温抗弯强度/ Bruchmodul bei 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度/ Bruchmodul bei 1200℃ | 290MPa |
| 硬度/ Härte bei 20℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Bruchzähigkeit bei 20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Wärmeleitfähigkeit bei 1200℃ | 45w/m .K |
| 热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 20-1200℃ | 4.51 ×10-6/℃ |
| 最高工作温度/ Max. Betriebstemperatur | 1400℃ |
| 热震稳定性/ Thermoschockbeständigkeit bei 1200℃ | Gut |
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