焼結炭化ケイ素（SiC）結晶/ウェーハボート半導体およびマイクロエレクトロニクス業界の厳しい要求に応えるよう設計されています。高温処理中のシリコン結晶およびウェハの安全な取り扱いプラットフォームを提供し、その完全性と純度を常に維持します。
主な特徴
- 優れた熱安定性: 最高1600℃の温度に耐えることができ、精密な熱制御を必要とするプロセスに最適です。
- 優れた耐薬品性ほとんどの腐食性化学物質やガスに対して耐性があり、過酷な処理環境でも耐久性を発揮します。
- 堅牢な機械的強度: 高いストレス下でも構造の完全性を維持し、変形や破損の可能性を低減します。
- 最小限の熱膨張: 熱衝撃やひび割れのリスクを最小限に抑えるように設計されており、長期間の使用でも信頼性の高いパフォーマンスを提供します。
- 精密製造: 特定のプロセス要件を満たし、さまざまな結晶およびウェハのサイズに対応できるよう高精度に製造されています。
アプリケーション
• 半導体ウェハ処理
• LED製造
• 太陽光発電セルの生産
• 化学蒸着（CVD）システム
• 材料科学の研究開発
| 烧结炭化硅の物理的特性 物理的特性S興味を持ったSシリコンCアービド | |
| 性质 / 財産 | 典型的な数値 / 標準値 |
| 化学成分 / 化学薬品構成 | SiC>95%、Si<5% |
| 体积密度 / 嵩密度 | >3.07 g/cm³ |
| 显気孔率/ 見かけの気孔率 見かけの多孔度 | <0.1% |
| 常温耐弯强度/ 20℃における破壊係数 | 270 MPa |
| 高温耐性强度/ 1200℃における破壊係数 | 290MPa |
| 硬度/ 20℃における硬度 | 2400 kg/mm² |
| 断裂性/ 破壊靭性20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导熱系数/ 1200℃における熱伝導率 | 45w/m .K |
| 熱膨張胀系数/ 20～1200℃の熱膨張 | 4.51 × 10-6/℃ |
| 最高作業温度/ 最高動作温度 | 1400℃ |
| 熱震稳安定性/ 1200℃の耐熱衝撃性 | 良い |
当社の焼結シリコンカーバイド (SiC) 結晶/ウェーハボートを選ぶ理由
当社のSiC結晶/ウェーハボートをお選びいただくことは、信頼性、効率性、そして長寿命をお選びいただくことを意味します。各ボートは厳格な品質管理を受けており、業界最高水準を満たしていることが保証されています。この製品は、製造プロセスの安全性と生産性を向上させるだけでなく、シリコン結晶とウェーハの一貫した品質を保証します。当社のSiC結晶/ウェーハボートは、お客様のオペレーションの卓越性を支える信頼できるソリューションです。
