焼結炭化ケイ素（SiC）結晶/ウェハーボート半導体およびマイクロエレクトロニクス業界の厳しい要求に応えるように設計されています。高温処理中にシリコン結晶やウェーハを安全に取り扱うためのプラットフォームを提供し、処理全体を通してそれらの完全性と純度を維持します。
主な機能
- 優れた熱安定性最高1600℃までの高温に耐えることができ、精密な温度制御を必要とするプロセスに最適です。
- 優れた耐薬品性ほとんどの腐食性化学物質やガスに対して耐性があり、過酷な加工環境下でも耐久性を発揮します。
- 堅牢な機械的強度高応力下でも構造的完全性を維持し、変形や破損の可能性を低減します。
- 熱膨張が最小限熱衝撃やひび割れのリスクを最小限に抑えるように設計されており、長期間の使用においても信頼性の高い性能を発揮します。
- 精密製造特定のプロセス要件を満たし、様々な結晶およびウェハサイズに対応できるよう、高精度で製造されています。
アプリケーション
・半導体ウェハー加工
• LED製造
・太陽電池の製造
・化学気相成長（CVD）システム
・材料科学における研究開発
| 烧结炭化硅の物理的特性 物理的性質S埋葬SシリコンCアルビド | |
| 性质 / 財産 | 典型的な数値 標準値 |
| 化学成分 / 化学薬品構成 | SiC>95%、Si<5% |
| 体积密度 / かさ密度 | >3.07 g/cm³ |
| 显気孔率見かけの多孔度 見かけの多孔性 | 0.1%未満 |
| 常温耐弯强度20℃における破壊係数 | 270 MPa |
| 高温耐性强度1200℃における破壊係数 | 290MPa |
| 硬度20℃における硬度 | 2400 kg/mm² |
| 断裂性20%における破壊靭性 | 3.3MPa・m1/2 |
| 导熱系数1200℃における熱伝導率 | 45w/m .K |
| 熱膨張胀系数20～1200℃における熱膨張率 | 4.51 ×10-6/℃ |
| 最高作業温度最大動作温度 | 1400℃ |
| 熱震稳安定性1200℃での耐熱衝撃性 | 良い |
当社の焼結シリコンカーバイド（SiC）製結晶／ウェハーボートを選ぶ理由とは？
当社のSiC結晶／ウェハーボートをお選びいただくことは、信頼性、効率性、そして長寿命をお選びいただくことを意味します。各ボートは、業界最高水準を満たすよう、厳格な品質管理措置を受けています。この製品は、製造プロセスの安全性と生産性を向上させるだけでなく、シリコン結晶とウェハーの一貫した品質も保証します。当社のSiC結晶／ウェハーボートは、お客様の卓越したオペレーションを支えるソリューションとして、信頼できる選択肢となるでしょう。
