সিন্টারড সিলিকন কার্বাইড Sic ক্রিস্টাল / ওয়েফার বোট

সংক্ষিপ্ত বিবরণ:

আমাদের সিন্টার্ড সিলিকন কার্বাইড (SiC) ক্রিস্টাল/ওয়েফার বোটটি সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে নির্ভুলতার জন্য বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে। এর অসাধারণ তাপীয় স্থিতিশীলতা, রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং যান্ত্রিক শক্তির মাধ্যমে, এই বোটটি উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে ক্রিস্টাল এবং ওয়েফারের নিরাপদ ও কার্যকর পরিবহন নিশ্চিত করে।

আমাদেরকে ইমেল পাঠান পিডিএফ হিসাবে ডাউনলোড করুন

পণ্যের বিবরণ

পণ্যের ট্যাগ

সিন্টারডসিলিকন কার্বাইড (SiC)ক্রিস্টাল/ওয়েফার বোটএটি সেমিকন্ডাক্টর এবং মাইক্রোইলেকট্রনিক্স শিল্পের কঠোর চাহিদা মেটানোর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এটি উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াকরণের সময় সিলিকন ক্রিস্টাল এবং ওয়েফার পরিচালনার জন্য একটি নিরাপদ প্ল্যাটফর্ম প্রদান করে, যা পুরো প্রক্রিয়া জুড়ে তাদের অখণ্ডতা এবং বিশুদ্ধতা বজায় রাখা নিশ্চিত করে।

মূল বৈশিষ্ট্য

অসামান্য তাপীয় স্থিতিশীলতা১৬০০° সেলসিয়াস পর্যন্ত তাপমাত্রা সহ্য করতে সক্ষম, যা সুনির্দিষ্ট তাপ নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন এমন প্রক্রিয়ার জন্য আদর্শ।
উচ্চতর রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতাঅধিকাংশ ক্ষয়কারী রাসায়নিক ও গ্যাসের বিরুদ্ধে প্রতিরোধী, যা কঠোর প্রক্রিয়াজাতকরণ পরিবেশে স্থায়িত্ব প্রদান করে।
শক্তিশালী যান্ত্রিক শক্তিউচ্চ চাপের অধীনেও কাঠামোগত অখণ্ডতা বজায় রাখে, ফলে বিকৃতি বা ভাঙনের সম্ভাবনা হ্রাস পায়।
ন্যূনতম তাপীয় প্রসারণতাপীয় অভিঘাত ও ফাটলের ঝুঁকি কমানোর জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যা দীর্ঘ ব্যবহারে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা প্রদান করে।
নির্ভুল উৎপাদননির্দিষ্ট প্রক্রিয়াগত প্রয়োজনীয়তা মেটাতে এবং বিভিন্ন ক্রিস্টাল ও ওয়েফার আকারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ করার জন্য অত্যন্ত সূক্ষ্মতার সাথে তৈরি।

অ্যাপ্লিকেশন

• সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার প্রক্রিয়াকরণ

• এলইডি উৎপাদন

• ফটোভোল্টাইক কোষ উৎপাদন

• রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) সিস্টেম

• বস্তু বিজ্ঞানে গবেষণা ও উন্নয়ন

烧结碳化硅物理特性 ভৌত বৈশিষ্ট্যSসমাধিস্থSইলিকনCআরবিড
性质 সম্পত্তি	典型数值 সাধারণ মান
化学成分 রাসায়নিকগঠন	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / স্থূল ঘনত্ব	>৩.০৭ গ্রাম/সেমি³
显气孔率আপাত ছিদ্রতা আপাত ছিদ্রতা	<০.১%
常温抗弯强度২০℃ তাপমাত্রায় ভাঙন গুণাঙ্ক	২৭০ মেগাপ্যাসকেল
高温抗弯强度১২০০℃ তাপমাত্রায় ভাঙন গুণাঙ্ক	২৯০এমপিএ
硬度২০℃ তাপমাত্রায় কাঠিন্য	২৪০০ কেজি/মিমি²
断裂韧性২০% এ ফ্র্যাকচার টাফনেস	৩.৩MPa · m^১/২
导热系数১২০০℃ তাপমাত্রায় তাপ পরিবাহিতা	৪৫w/m .K
热膨胀系数২০-১২০০℃ তাপমাত্রায় তাপীয় প্রসারণ	৪.৫১ × ১০^-6/℃
最高工作温度সর্বোচ্চ কার্যকরী তাপমাত্রা	১৪০০℃
热震稳定性১২০০℃ তাপমাত্রায় তাপীয় অভিঘাত প্রতিরোধ ক্ষমতা	ভালো

কেন আমাদের সিন্টার্ড সিলিকন কার্বাইড (SiC) ক্রিস্টাল/ওয়েফার বোট বেছে নেবেন?

আমাদের SiC ক্রিস্টাল/ওয়েফার বোট বেছে নেওয়ার অর্থ হলো নির্ভরযোগ্যতা, কার্যকারিতা এবং দীর্ঘস্থায়িত্বকে বেছে নেওয়া। প্রতিটি বোট কঠোর মান নিয়ন্ত্রণ প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায়, যাতে এটি শিল্পের সর্বোচ্চ মান পূরণ করে। এই পণ্যটি কেবল আপনার উৎপাদন প্রক্রিয়ার নিরাপত্তা ও উৎপাদনশীলতাই বৃদ্ধি করে না, বরং আপনার সিলিকন ক্রিস্টাল এবং ওয়েফারের ধারাবাহিক গুণমানও নিশ্চিত করে। আমাদের SiC ক্রিস্টাল/ওয়েফার বোটের মাধ্যমে, আপনি এমন একটি সমাধানের উপর আস্থা রাখতে পারেন যা আপনার পরিচালনগত উৎকর্ষকে সমর্থন করে।