sintered silicon carbide Sic crystal / wafer ເຮືອ

sintered silicon carbide Sic ໄປເຊຍກັນ / wafer ເຮືອຮູບພາບແນະນໍາ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Sintered Silicon Carbide (SiC) Crystal/Wafer Boat ຂອງພວກເຮົາຖືກອອກແບບເພື່ອຄວາມແມ່ນຍໍາໃນການຜະລິດ semiconductor. ດ້ວຍຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກ, ເຮືອນີ້ຮັບປະກັນການຂົນສົ່ງໄປເຊຍກັນແລະ wafers ປອດໄພແລະປະສິດທິພາບໂດຍຜ່ານຂະບວນການທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ ດາວໂຫຼດເປັນ PDF

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

Sintered ໄດ້Silicon Carbide (SiC)Crystal/ເຮືອ Waferໄດ້ຖືກອອກແບບສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການທີ່ເຄັ່ງຄັດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະ microelectronics. ມັນສະຫນອງເວທີທີ່ປອດໄພສໍາລັບການຈັດການໄປເຊຍກັນຊິລິໂຄນແລະ wafers ໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງດ້ວຍອຸນຫະພູມສູງ, ຮັບປະກັນຄວາມສົມບູນແລະຄວາມບໍລິສຸດຂອງພວກມັນຖືກຮັກສາໄວ້ຕະຫຼອດ.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

ສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນ: ສາມາດທົນອຸນຫະພູມໄດ້ເຖິງ 1600°C, ເຫມາະສໍາລັບຂະບວນການທີ່ຕ້ອງການການຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນທີ່ຊັດເຈນ.
ຄວາມຕ້ານທານທາງເຄມີຊັ້ນສູງ: ທົນທານຕໍ່ກັບສານເຄມີ corrosive ຫຼາຍທີ່ສຸດແລະອາຍແກັສ, ສະຫນອງຄວາມທົນທານໃນສະພາບແວດລ້ອມການປຸງແຕ່ງ harsh.
ຄວາມເຂັ້ມແຂງກົນຈັກທີ່ເຂັ້ມແຂງ: ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນສູງ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມເປັນໄປໄດ້ຂອງການຜິດປົກກະຕິຫຼືແຕກຫັກ.
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຫນ້ອຍທີ່ສຸດ: ອອກແບບມາເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການເກີດການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ ແລະຮອຍແຕກ, ສະເຫນີປະສິດທິພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ຫຼາຍກວ່າການນໍາໃຊ້ຂະຫຍາຍ.
ການຜະລິດຄວາມແມ່ນຍໍາ: ຫັດຖະກໍາທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຂະບວນການສະເພາະໃດຫນຶ່ງແລະຮອງຮັບການໄປເຊຍກັນແລະຂະຫນາດ wafer ຕ່າງໆ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

• ການປຸງແຕ່ງ wafer semiconductor

• ການຜະລິດ LED

•ການຜະລິດຈຸລັງ photovoltaic

• ລະບົບການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD).

• ຄົ້ນຄວ້າ ແລະ ພັດທະນາວິທະຍາສາດວັດສະດຸ

烧结碳化硅物理特性 ຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບຂອງSມີຄວາມສົນໃຈSໄອລີຄອນCarbide
性质 / ຊັບສິນ	典型数值 / ມູນຄ່າປົກກະຕິ
化学成分 / ເຄມີອົງປະກອບ	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ	> 3.07 g/cm³
显气孔率/ porosity ປາກົດຂື້ນ porosity ປາກົດຂື້ນ	<0.1%
常温抗弯强度/ ໂມດູນຂອງ rupture ທີ່ 20 ℃	270 MPa
高温抗弯强度/ ໂມດູນຂອງ rupture ທີ່ 1200 ℃	290MPa
硬度/ ຄວາມແຂງຢູ່ທີ່ 20 ℃	2400 Kg/ມມ
断裂韧性/ ຄວາມທົນທານຂອງກະດູກຫັກຢູ່ທີ່ 20%	3.3MPa · ມ^1/2
导热系数/ ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ 1200 ℃	45w/m .K
热膨胀系数/ ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຢູ່ທີ່ 20-1200 ℃	4.51×10^-6/ ℃
最高工作温度/ ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ	1400℃
热震稳定性/ ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນຢູ່ທີ່ 1200 ℃	ດີ

ເປັນຫຍັງຕ້ອງເລືອກເຮືອທີ່ເຮັດດ້ວຍ Silicon Carbide (SiC) Crystal/wafer ຂອງພວກເຮົາ?

ການເລືອກເຮືອ SiC Crystal/Wafer ຂອງພວກເຮົາຫມາຍເຖິງການເລືອກຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື, ປະສິດທິພາບ, ແລະອາຍຸຍືນ. ແຕ່ລະເຮືອຜ່ານມາດຕະການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບຢ່າງເຂັ້ມງວດເພື່ອຮັບປະກັນວ່າມັນບັນລຸມາດຕະຖານສູງສຸດຂອງອຸດສາຫະກໍາ. ຜະລິດຕະພັນນີ້ບໍ່ພຽງແຕ່ເສີມຂະຫຍາຍຄວາມປອດໄພແລະຜົນຜະລິດຂອງຂະບວນການຜະລິດຂອງທ່ານ, ແຕ່ຍັງຮັບປະກັນຄຸນນະພາບທີ່ສອດຄ່ອງຂອງໄປເຊຍກັນ silicon ແລະ wafers ຂອງທ່ານ. ດ້ວຍເຮືອ SiC Crystal/Wafer ຂອງພວກເຮົາ, ທ່ານສາມາດໄວ້ວາງໃຈໃນການແກ້ໄຂທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການປະຕິບັດທີ່ດີເລີດຂອງທ່ານ.