Sintrita silicia karbido Sic-kristala / oblata boato

Sintrita silicia karbido Sic-kristalo / vafloboato Elstara Bildo

Mallonga Priskribo:

Nia sinterita silicikarbida (SiC) kristala/plato-boato estas desegnita por precizeco en duonkonduktaĵa fabrikado. Kun escepta termika stabileco, kemia rezisto kaj mekanika forto, ĉi tiu boato certigas sekuran kaj efikan transportadon de kristaloj kaj platoj tra alttemperaturaj procezoj.

Sendu retpoŝton al ni Elŝuti kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

La SintritaSilicia Karbido (SiC)Kristalo/Vafla Boatoestas desegnita por la rigoraj postuloj de la duonkonduktaĵaj kaj mikroelektronikaj industrioj. Ĝi provizas sekuran platformon por manipulado de siliciaj kristaloj kaj oblatoj dum alt-temperatura prilaborado, certigante, ke ilia integreco kaj pureco estas konservitaj tra la tuta procezo.

Ĉefaj Trajtoj

Elstara Termika StabilecoKapabla elteni temperaturojn ĝis 1600 °C, ideala por procezoj kiuj postulas precizan termikan kontrolon.
Supera Kemia RezistoRezistema al plej multaj korodaj kemiaĵoj kaj gasoj, provizante daŭripovon en severaj prilaboraj medioj.
Fortika Mekanika FortoKonservas strukturan integrecon sub alta streĉo, reduktante la probablecon de deformado aŭ rompiĝo.
Minimuma Termika EkspansioDizajnita por minimumigi la riskon de termika ŝoko kaj fendado, ofertante fidindan funkciadon dum plilongigita uzo.
Preciza FabrikadoKreita kun alta precizeco por plenumi specifajn procezajn postulojn kaj akomodi diversajn kristalajn kaj oblatajn grandecojn.

Aplikoj

• Prilaborado de duonkonduktaĵaj oblatetoj

• LED-fabrikado

• Produktado de fotovoltaecaj ĉeloj

• Sistemoj por kemia vapora deponado (CVD)

• Esploro kaj disvolviĝo en materialscienco

烧结碳化硅物理特性 Fizikaj ecoj deSenterigitaSilikonoCarbido
性质 / Nemoveblaĵo	典型数值 / Tipa Valoro
化学成分 / KemiaKomponaĵo	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Groca denseco	>3.07 g/cm³
显气孔率/ Ŝajna poreco Ŝajna poreco	<0.1%
常温抗弯强度/ Modulo de rompo je 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Modulo de rompo je 1200℃	290MPa
硬度/ Malmoleco je 20℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Romporezisteco je 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Termika Konduktiveco je 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Termika ekspansio je 20-1200℃	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Maks. labortemperaturo	1400℃
热震稳定性/ Termika ŝokorezisto je 1200℃	Bona

Kial Elekti Nian Sintritan Silicikarbidan (SiC) Kristalan/Vafleran Ŝipon?

Elekti nian SiC-kristalan/platetan boaton signifas elekti fidindecon, efikecon kaj longdaŭrecon. Ĉiu boato spertas striktajn kvalitkontrolajn mezurojn por certigi, ke ĝi plenumas la plej altajn normojn de la industrio. Ĉi tiu produkto ne nur plibonigas la sekurecon kaj produktivecon de via fabrikada procezo, sed ankaŭ garantias la konstantan kvaliton de viaj siliciaj kristaloj kaj platoj. Kun nia SiC-kristala/plateta boato, vi povas fidi je solvo, kiu subtenas vian funkcian plejbonecon.