Карбиди силиконии синтерӣшуда Sic булӯр / қаиқи вафлии Sic

Карбиди силиконии синтеризатсияшуда Sic кристалл / қаиқи вафлии Sic Тасвири махсус

Тавсифи мухтасар:

Қаиқи кристаллӣ/вафлии синтетсионии карбиди силиконии (SiC) мо барои дақиқӣ дар истеҳсоли нимноқилҳо тарҳрезӣ шудааст. Ин қаиқ бо устувории истисноии гармӣ, муқовимати кимиёвӣ ва қувваи механикӣ интиқоли бехатар ва самараноки кристаллҳо ва вафлиҳоро тавассути равандҳои ҳарорати баланд таъмин мекунад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед Ҳамчун PDF зеркашӣ кунед

Тафсилоти маҳсулот

Барчаспҳои маҳсулот

СинтезшудаКарбиди кремний (SiC)Кристалл/Қаиқи вафлибарои талаботи қатъии саноати нимноқилҳо ва микроэлектроника тарҳрезӣ шудааст. Он платформаи бехатарро барои коркарди кристаллҳо ва пластинаҳои кремний ҳангоми коркарди ҳарорати баланд фароҳам меорад ва нигоҳ доштани якпорчагӣ ва покии онҳоро дар тамоми раванд таъмин менамояд.

Хусусиятҳои асосӣ

Устувории гармии аълоҚобилияти таҳаммул кардани ҳарорат то 1600°C, ки барои равандҳое, ки назорати дақиқи гармиро талаб мекунанд, беҳтарин аст.
Муқовимати олии кимиёвӣ: Ба аксари моддаҳои кимиёвӣ ва газҳои зангзананда тобовар буда, дар муҳитҳои сахти коркард устуворӣ мебахшад.
Қувваи механикии мустаҳкам: Дар зери фишори баланд якпорчагии сохторро нигоҳ медорад ва эҳтимолияти деформатсия ё шикастанро кам мекунад.
Васеъшавии минималии гармӣ: Барои кам кардани хатари зарбаи гармӣ ва кафидан тарҳрезӣ шудааст ва ҳангоми истифодаи тӯлонӣ кори боэътимодро таъмин мекунад.
Истеҳсоли дақиқ: Бо дақиқии баланд барои қонеъ кардани талаботи мушаххаси раванд ва мутобиқ шудан ба андозаҳои гуногуни булӯр ва вафл сохта шудааст.

Барномаҳо

• Коркарди вафли нимноқилҳо

• Истеҳсоли LED

• Истеҳсоли ҳуҷайраҳои фотоэлектрикӣ

• Системаҳои буғгузории кимиёвӣ (CVD)

• Таҳқиқот ва рушд дар соҳаи илми маводшиносӣ

烧结碳化硅物理特性 Хусусиятҳои физикииSдарунсохтSиликонCарбид
性质 / Амвол	典型数值 / Арзиши маъмулӣ
化学成分 / КимиёвӣТаркиб	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Зичии оммавӣ	>3.07 г/см³
显气孔率/ Сӯрохии зоҳирӣ Сӯрохии зоҳирӣ	<0.1%
常温抗弯强度/ Модули кандашавӣ дар 20℃	270 МПа
高温抗弯强度/ Модули кандашавӣ дар 1200℃	290МПа
硬度/ Сахтӣ дар 20℃	2400 кг/мм²
断裂韧性/ Мустаҳкамии шикастагӣ дар 20%	3.3МПа · м^1/2
导热系数/ Ноқилияти гармӣ дар 1200℃	45в/м .К
热膨胀系数/ Васеъшавии гармӣ дар 20-1200℃	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Ҳарорати максималии корӣ	1400℃
热震稳定性/ Муқовимати зарбаи гармӣ дар 1200℃	Хуб

Чаро бояд қаиқи кристаллӣ/вафлии синтершудаи силикони карбиди (SiC)-и моро интихоб кунед?

Интихоби қаиқи кристаллӣ/вафлии SiC мо маънои интихоби эътимоднокӣ, самаранокӣ ва дарозумриро дорад. Ҳар як қаиқ чораҳои қатъии назорати сифатро барои таъмини мутобиқат ба стандартҳои баландтарини соҳа мегузаронад. Ин маҳсулот на танҳо бехатарӣ ва ҳосилнокии раванди истеҳсолии шуморо беҳтар мекунад, балки сифати доимии кристаллҳо ва вафлиҳои кремнийи шуморо низ кафолат медиҳад. Бо қаиқи кристаллӣ/вафлии SiC мо, шумо метавонед ба роҳи ҳале эътимод кунед, ки бартарии амалиётии шуморо дастгирӣ мекунад.