Silic cacbua thiêu kết Tinh thể Sic / thuyền wafer

Hình ảnh nổi bật của thuyền wafer/silicon carbide thiêu kết

Mô tả ngắn gọn:

Thuyền tinh thể/tấm wafer thiêu kết silicon carbide (SiC) của chúng tôi được thiết kế để có độ chính xác trong sản xuất chất bán dẫn. Với độ ổn định nhiệt, khả năng chống hóa chất và độ bền cơ học đặc biệt, thuyền này đảm bảo vận chuyển tinh thể và tấm wafer an toàn và hiệu quả qua các quy trình nhiệt độ cao.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Thiêu kếtCacbua Silic (SiC)Pha lê/Thuyền Waferđược thiết kế cho nhu cầu khắt khe của ngành công nghiệp bán dẫn và vi điện tử. Nó cung cấp một nền tảng an toàn để xử lý tinh thể silicon và tấm wafer trong quá trình xử lý nhiệt độ cao, đảm bảo tính toàn vẹn và độ tinh khiết của chúng được duy trì trong suốt quá trình.

Các tính năng chính

Độ ổn định nhiệt vượt trội: Có khả năng chịu nhiệt lên tới 1600°C, lý tưởng cho các quy trình đòi hỏi kiểm soát nhiệt độ chính xác.
Khả năng kháng hóa chất vượt trội: Chịu được hầu hết các loại hóa chất và khí ăn mòn, mang lại độ bền trong môi trường xử lý khắc nghiệt.
Sức mạnh cơ học mạnh mẽ: Duy trì tính toàn vẹn của cấu trúc dưới ứng suất cao, giảm khả năng biến dạng hoặc vỡ.
Sự giãn nở nhiệt tối thiểu: Được thiết kế để giảm thiểu nguy cơ sốc nhiệt và nứt vỡ, mang lại hiệu suất đáng tin cậy khi sử dụng lâu dài.
Sản xuất chính xác:Được chế tạo với độ chính xác cao để đáp ứng các yêu cầu quy trình cụ thể và phù hợp với nhiều kích thước tinh thể và wafer khác nhau.

Ứng dụng

• Xử lý wafer bán dẫn

• Sản xuất đèn LED

• Sản xuất pin quang điện

• Hệ thống lắng đọng hơi hóa học (CVD)

• Nghiên cứu và phát triển khoa học vật liệu

烧结碳化物理特性 Tính chất vật lý củaSquan tâmScon lợnCngăn chặn
性质 / Tài sản	典型数值 / Giá trị điển hình
化学成分 / Hóa chấtThành phần	SiC>95%, Si<5%
bạn密度 / Mật độ khối	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Độ xốp biểu kiến Độ xốp biểu kiến	<0,1%
常温抗弯强度/ Mô đun đứt gãy ở 20℃	270MPa
高温抗弯强度/ Mô đun đứt gãy ở 1200℃	290MPa
硬度/ Độ cứng ở 20℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Độ bền gãy ở mức 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Độ dẫn nhiệt ở 1200℃	45có/m .K
热膨胀系数/ Sự giãn nở vì nhiệt ở 20-1200℃	4,51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Nhiệt độ làm việc tối đa	1400℃
热震稳定性/ Khả năng chịu sốc nhiệt ở 1200℃	Tốt

Tại sao nên chọn thuyền tinh thể/tấm wafer silicon carbide (SiC) thiêu kết của chúng tôi?

Lựa chọn SiC Crystal/Wafer Boat của chúng tôi có nghĩa là lựa chọn độ tin cậy, hiệu quả và tuổi thọ. Mỗi chiếc thuyền đều trải qua các biện pháp kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt để đảm bảo đáp ứng các tiêu chuẩn cao nhất của ngành. Sản phẩm này không chỉ nâng cao tính an toàn và năng suất của quy trình sản xuất của bạn mà còn đảm bảo chất lượng đồng nhất của tinh thể silicon và wafer của bạn. Với SiC Crystal/Wafer Boat của chúng tôi, bạn có thể tin tưởng vào một giải pháp hỗ trợ cho sự xuất sắc trong hoạt động của bạn.