Tinh thể/tấm wafer silicon carbide thiêu kết (Sic)

Mô tả ngắn gọn:

Khay đựng tinh thể/tấm bán dẫn Silicon Carbide (SiC) thiêu kết của chúng tôi được thiết kế để đảm bảo độ chính xác trong sản xuất chất bán dẫn. Với độ ổn định nhiệt, khả năng kháng hóa chất và độ bền cơ học vượt trội, khay này đảm bảo vận chuyển tinh thể và tấm bán dẫn an toàn và hiệu quả qua các quy trình nhiệt độ cao.

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống dưới dạng PDF

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Vật liệu thiêu kếtSilicon Carbide (SiC)Pha lê/Thuyền bánh xốpĐược thiết kế để đáp ứng những yêu cầu khắt khe của ngành công nghiệp bán dẫn và vi điện tử. Nó cung cấp một nền tảng an toàn để xử lý các tinh thể và tấm silicon trong quá trình xử lý ở nhiệt độ cao, đảm bảo tính toàn vẹn và độ tinh khiết của chúng được duy trì xuyên suốt.

Các tính năng chính

Độ ổn định nhiệt vượt trộiCó khả năng chịu được nhiệt độ lên đến 1600°C, lý tưởng cho các quy trình yêu cầu kiểm soát nhiệt độ chính xác.
Khả năng kháng hóa chất vượt trộiCó khả năng chống lại hầu hết các hóa chất và khí ăn mòn, mang lại độ bền cao trong môi trường chế biến khắc nghiệt.
Độ bền cơ học caoGiúp duy trì tính toàn vẹn cấu trúc dưới áp lực cao, giảm thiểu khả năng biến dạng hoặc gãy vỡ.
Giãn nở nhiệt tối thiểuĐược thiết kế để giảm thiểu nguy cơ sốc nhiệt và nứt vỡ, mang lại hiệu suất đáng tin cậy trong thời gian sử dụng lâu dài.
Sản xuất chính xácĐược chế tạo với độ chính xác cao để đáp ứng các yêu cầu quy trình cụ thể và phù hợp với nhiều kích thước tinh thể và tấm bán dẫn khác nhau.

Ứng dụng

• Xử lý tấm bán dẫn

• Sản xuất đèn LED

• Sản xuất pin quang điện

• Hệ thống lắng đọng hơi hóa học (CVD)

• Nghiên cứu và phát triển trong lĩnh vực khoa học vật liệu

烧结碳化物理特性 Tính chất vật lý củaSchôn cấtSsiliconCarbide
性质 / Tài sản	典型数值 Giá trị điển hình
化学成分 / Hóa chấtBố cục	SiC > 95%, Si < 5%
bạn密度 / Khối lượng riêng	>3,07 g/cm³
显气孔率Độ xốp biểu kiến Độ xốp biểu kiến	<0,1%
常温抗弯强度Mô đun phá vỡ ở 20℃	270 MPa
高温抗弯强度Mô đun phá vỡ ở 1200℃	290MPa
硬度Độ cứng ở 20℃	2400 Kg/mm²
断裂韧性Độ bền chống gãy ở mức 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数Độ dẫn nhiệt ở 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数Sự giãn nở nhiệt ở nhiệt độ 20-1200℃	4,51 ×10^-6/℃
最高工作温度Nhiệt độ làm việc tối đa	1400℃
热震稳定性Khả năng chịu sốc nhiệt ở 1200℃	Tốt

Tại sao nên chọn khay đựng tinh thể/tấm wafer silicon carbide (SiC) thiêu kết của chúng tôi?

Lựa chọn khay đựng tinh thể/tấm wafer SiC của chúng tôi đồng nghĩa với việc lựa chọn độ tin cậy, hiệu quả và tuổi thọ cao. Mỗi khay đều trải qua các biện pháp kiểm soát chất lượng nghiêm ngặt để đảm bảo đáp ứng các tiêu chuẩn cao nhất của ngành. Sản phẩm này không chỉ nâng cao độ an toàn và năng suất của quy trình sản xuất mà còn đảm bảo chất lượng ổn định của tinh thể và tấm wafer silicon. Với khay đựng tinh thể/tấm wafer SiC của chúng tôi, bạn có thể tin tưởng vào một giải pháp hỗ trợ sự xuất sắc trong hoạt động của mình.