Wadah kristal/wafer silikon karbida SiC yang disinter

Deskripsi Singkat:

Wadah Kristal/Wafer Silikon Karbida (SiC) Sinter kami dirancang untuk presisi dalam manufaktur semikonduktor. Dengan stabilitas termal, ketahanan kimia, dan kekuatan mekanik yang luar biasa, wadah ini memastikan pengangkutan kristal dan wafer yang aman dan efisien melalui proses suhu tinggi.

Kirim email kepada kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

DisinterSilikon Karbida (SiC)Kristal/Perahu WaferDirancang untuk memenuhi tuntutan ketat industri semikonduktor dan mikroelektronika. Alat ini menyediakan platform yang aman untuk menangani kristal dan wafer silikon selama pemrosesan suhu tinggi, memastikan integritas dan kemurniannya tetap terjaga.

Fitur Utama

Stabilitas Termal yang Luar BiasaMampu menahan suhu hingga 1600°C, ideal untuk proses yang membutuhkan kontrol termal yang presisi.
Ketahanan Kimia yang UnggulTahan terhadap sebagian besar bahan kimia dan gas korosif, sehingga memberikan daya tahan di lingkungan pemrosesan yang keras.
Kekuatan Mekanik yang Kokoh: Mempertahankan integritas struktural di bawah tekanan tinggi, mengurangi kemungkinan deformasi atau kerusakan.
Ekspansi Termal MinimalDirancang untuk meminimalkan risiko guncangan termal dan retak, menawarkan kinerja yang andal dalam penggunaan jangka panjang.
Manufaktur PresisiDibuat dengan presisi tinggi untuk memenuhi persyaratan proses tertentu dan mengakomodasi berbagai ukuran kristal dan wafer.

Aplikasi

• Pemrosesan wafer semikonduktor

• Manufaktur LED

• Produksi sel fotovoltaik

• Sistem pengendapan uap kimia (CVD)

• Penelitian dan pengembangan di bidang ilmu material

烧结碳化硅物理特性 Sifat fisik dariStertarikSsilikonCarbide
性质 / Properti	典型数值 / Nilai Khas
化学成分 / KimiaKomposisi	SiC>95%, Si<5%
itu密度 / Kepadatan Massal	>3,07 g/cm³
显气孔 foto/ Porositas tampak Porositas tampak	<0,1%
常温抗弯强度Modulus patahan pada suhu 20℃	270 MPa
高温抗弯强度Modulus patahan pada suhu 1200℃	290MPa
硬度Kekerasan pada suhu 20℃	2400 Kg/mm²
断裂韧性/ Ketahanan terhadap patahan pada 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数Konduktivitas Termal pada 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数Ekspansi termal pada suhu 20-1200℃	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度Suhu kerja maksimum	1400℃
热震稳定性Ketahanan terhadap guncangan termal pada suhu 1200℃	Bagus

Mengapa Memilih Wadah Kristal/Wafer Silikon Karbida (SiC) Sinter Kami?

Memilih SiC Crystal/Wafer Boat kami berarti memilih keandalan, efisiensi, dan umur panjang. Setiap boat menjalani langkah-langkah kontrol kualitas yang ketat untuk memastikan memenuhi standar tertinggi di industri. Produk ini tidak hanya meningkatkan keamanan dan produktivitas proses manufaktur Anda, tetapi juga menjamin kualitas kristal dan wafer silikon Anda yang konsisten. Dengan SiC Crystal/Wafer Boat kami, Anda dapat mempercayai solusi yang mendukung keunggulan operasional Anda.