ผลึกซิลิคอนคาร์ไบด์เผาผนึก / แผ่นเวเฟอร์

คำอธิบายโดยย่อ:

ถาดขนส่งผลึก/แผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์เผาผนึก (SiC) ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อความแม่นยำในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ ด้วยเสถียรภาพทางความร้อน ความทนทานต่อสารเคมี และความแข็งแรงเชิงกลที่ยอดเยี่ยม ถาดนี้จึงรับประกันการขนส่งผลึกและแผ่นเวเฟอร์อย่างปลอดภัยและมีประสิทธิภาพผ่านกระบวนการที่มีอุณหภูมิสูง

ส่งอีเมลถึงเรา ดาวน์โหลดเป็นไฟล์ PDF

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

การเผาผนึกซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)คริสตัล/เรือเวเฟอร์ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดของอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และไมโครอิเล็กทรอนิกส์ โดยเป็นแพลตฟอร์มที่ปลอดภัยสำหรับการจัดการผลึกซิลิคอนและแผ่นเวเฟอร์ในระหว่างกระบวนการที่อุณหภูมิสูง เพื่อให้มั่นใจได้ว่าความสมบูรณ์และความบริสุทธิ์ของวัสดุจะได้รับการรักษาไว้ตลอดกระบวนการ

คุณสมบัติหลัก

เสถียรภาพทางความร้อนที่ยอดเยี่ยม: สามารถทนต่ออุณหภูมิได้สูงถึง 1600°C เหมาะสำหรับกระบวนการที่ต้องการการควบคุมอุณหภูมิอย่างแม่นยำ
ทนทานต่อสารเคมีได้ดีเยี่ยมทนทานต่อสารเคมีและก๊าซกัดกร่อนส่วนใหญ่ ทำให้มีความทนทานในสภาพแวดล้อมการผลิตที่รุนแรง
ความแข็งแรงเชิงกลที่แข็งแกร่ง: ช่วยรักษาความสมบูรณ์ของโครงสร้างภายใต้แรงกดสูง ลดโอกาสการเสียรูปหรือแตกหัก
การขยายตัวทางความร้อนน้อยที่สุด: ออกแบบมาเพื่อลดความเสี่ยงจากความเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันและการแตกร้าว ให้ประสิทธิภาพการทำงานที่เชื่อถือได้ตลอดการใช้งานระยะยาว
การผลิตที่แม่นยำผลิตด้วยความแม่นยำสูงเพื่อให้ตรงตามข้อกำหนดของกระบวนการเฉพาะและรองรับขนาดของผลึกและแผ่นเวเฟอร์ที่หลากหลาย

แอปพลิเคชัน

• กระบวนการผลิตแผ่นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์

• การผลิต LED

• การผลิตเซลล์แสงอาทิตย์

• ระบบการตกตะกอนไอสารเคมี (CVD)

• การวิจัยและพัฒนาด้านวัสดุศาสตร์

烧结碳化硅物理特性 คุณสมบัติทางกายภาพของSสนใจSซิลิคอนCอาร์บิเด
性质 / คุณสมบัติ	典型数值 / มูลค่าทั่วไป
化学成分 / เคมีองค์ประกอบ	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / ความหนาแน่นรวม	>3.07 กรัม/ซม³
显气孔率ความพรุนที่ปรากฏ ความพรุนที่ปรากฏ	<0.1%
常温抗弯强度ค่าโมดูลัสการแตกหักที่ 20℃	270 เมกะปาสคาล
高温抗弯强度ค่าโมดูลัสการแตกหักที่อุณหภูมิ 1200℃	290เมกะปาสคาล
硬度ความแข็งที่อุณหภูมิ 20℃	2400 กก./มม.²
断裂韧性ความทนทานต่อการแตกหักที่ 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数ค่าการนำความร้อนที่อุณหภูมิ 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数การขยายตัวเนื่องจากความร้อนที่อุณหภูมิ 20-1200℃	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度อุณหภูมิการทำงานสูงสุด	1400℃
热震稳定性ความทนทานต่อการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิอย่างฉับพลันที่ 1200℃	ดี

เหตุใดจึงควรเลือกเรือคริสตัล/เวเฟอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) แบบเผาผนึกของเรา?

การเลือกใช้ถาดลำเลียงผลึก/แผ่นเวเฟอร์ SiC ของเรา หมายถึงการเลือกความน่าเชื่อถือ ประสิทธิภาพ และอายุการใช้งานที่ยาวนาน ถาดแต่ละชิ้นผ่านกระบวนการควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวดเพื่อให้มั่นใจได้ว่าตรงตามมาตรฐานสูงสุดของอุตสาหกรรม ผลิตภัณฑ์นี้ไม่เพียงแต่ช่วยเพิ่มความปลอดภัยและประสิทธิภาพในการผลิตของคุณเท่านั้น แต่ยังรับประกันคุณภาพที่สม่ำเสมอของผลึกและแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนของคุณอีกด้วย ด้วยถาดลำเลียงผลึก/แผ่นเวเฟอร์ SiC ของเรา คุณจึงมั่นใจได้ว่านี่คือโซลูชันที่สนับสนุนความเป็นเลิศในการดำเนินงานของคุณ