Sinterlenen kremniý karbidi Sic kristal / wafer gaýygy

Gysgaça düşündiriş:

Sinterlenen kremniý karbidi (SiC) kristal/wafer gaýygymyz ýarymgeçiriji önümçilikde takyklyk üçin döredildi. Ajaýyp termal durnuklylyk, himiki garşylyk we mehaniki berklik bilen, bu gaýyk kristallaryň we waferleriň ýokary temperatura prosesleri arkaly howpsuz we netijeli daşalmagyny üpjün edýär.

Bize e-poçta iberiň PDF görnüşinde göçürip alyň

Önümiň jikme-jiklikleri

Önümiň tegleri

SinterlenenKremniý karbidi (SiC)Kristal/Wafer gaýygyýarymgeçirijiler we mikroelektronika senagatlarynyň berk talaplary üçin niýetlenendir. Ol ýokary temperaturada gaýtadan işlemek wagtynda kremniý kristallaryny we waflilerini işläp düzmek üçin howpsuz platforma üpjün edýär, olaryň bitewüliginiň we arassalygynyň saklanmagyny üpjün edýär.

Esasy aýratynlyklar

Ajaýyp termal durnuklylyk: 1600°C çenli temperatura çydap bilýär, takyk termal gözegçiligi talap edýän prosesler üçin ideal.
Ýokary himiki garşylyk: Köp aşyndyryjy himiki maddalara we gazlara çydamly, berk gaýtadan işleýän gurşawlarda berkligi üpjün edýär.
Berk mehaniki güýç: Ýokary stres astynda gurluşyň bitewüligini saklaýar, deformasiýanyň ýa-da döwülmegiň ähtimallygyny azaldýar.
Minimal termal giňelme: Termal şok we çatlama howpuny azaltmak üçin niýetlenen, uzak wagtlap ulanylanda ygtybarly iş görkezýär.
Takyk önümçilik: Dürli kristal we plastinka ölçeglerini göz öňünde tutmak we belli bir proses talaplaryna laýyk gelmek üçin ýokary takyklyk bilen işlenip düzüldi.

Programmalar

• Ýarymgeçirijili plastinkalary gaýtadan işlemek

• LED önümçiligi

• Fotowoltaik elementleriň öndürilişi

• Himiki bug çökündisi (HBÇ) ulgamlary

• Materialşynaslyk ulgamynda ylmy-barlag işleri we işläp taýýarlamalar

烧结碳化硅物理特性 Fiziki häsiýetleriSiçine çekilenSilikonCarbid
性质 / Emläk	典型数值 / Adaty gymmatlyk
化学成分 / HimikiKompozisiýa	SiC>95%, Si<5%
体积密度 / Toplu dykyzlyk	>3.07 g/sm³
显气孔率/ Görünýän gözeneklilik Görünýän gözeneklilik	<0.1%
常温抗弯强度/ 20℃-de döwülme moduly	270 MPa
高温抗弯强度/ 1200℃-de döwülme moduly	290MPa
硬度/ 20℃-de gatylyk	2400 Kg/mm²
断裂韧性/ Synmagyň berkligi 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ 1200℃-de ýylylyk geçirijiligi	45w/m .K
热膨胀系数/ 20-1200℃ temperaturada termal giňelme	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Maksimum iş temperaturasy	1400℃
热震稳定性/ 1200℃ temperaturada termal şoka garşylyk	Gowy

Näme üçin Sinterlenen Silikon Karbidi (SiC) Kristal/Wafer Gaýygymyzy saýlamaly?

SiC Kristal/Wafer Gatymyzy saýlamak ygtybarlylygy, netijeliligi we uzak ömürliligi saýlamak diýmekdir. Her bir gaýyk pudagyň iň ýokary standartlaryna laýyk gelmegini üpjün etmek üçin berk hil gözegçiligi çärelerinden geçýär. Bu önüm diňe bir önümçilik prosesiňiziň howpsuzlygyny we öndürijiligini ýokarlandyrmak bilen çäklenmän, eýsem kremniý kristallaryňyzyň we waferleriňiziň yzygiderli hilini hem kepillendirýär. SiC Kristal/Wafer Gatymyz bilen siz öz iş ussatlygyňyzy goldaýan çözgüde ynanyp bilersiňiz.