सिंटर्डसिलिकॉन कार्बाइड (SiC)क्रिस्टल/वेफर नावइसे सेमीकंडक्टर और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स उद्योगों की कठोर आवश्यकताओं को ध्यान में रखकर डिज़ाइन किया गया है। यह उच्च तापमान प्रसंस्करण के दौरान सिलिकॉन क्रिस्टल और वेफर्स को संभालने के लिए एक सुरक्षित प्लेटफॉर्म प्रदान करता है, जिससे उनकी अखंडता और शुद्धता पूरी प्रक्रिया के दौरान बनी रहती है।
प्रमुख विशेषताऐं
- उत्कृष्ट तापीय स्थिरता: यह 1600°C तक के तापमान को सहन करने में सक्षम है, जो सटीक तापीय नियंत्रण की आवश्यकता वाली प्रक्रियाओं के लिए आदर्श है।
- बेहतर रासायनिक प्रतिरोधअधिकांश संक्षारक रसायनों और गैसों के प्रति प्रतिरोधी, कठोर प्रसंस्करण वातावरण में स्थायित्व प्रदान करता है।
- मजबूत यांत्रिक शक्ति: उच्च तनाव की स्थिति में भी संरचनात्मक अखंडता बनाए रखता है, जिससे विरूपण या टूटने की संभावना कम हो जाती है।
- न्यूनतम तापीय विस्तार: इसे थर्मल शॉक और दरार पड़ने के जोखिम को कम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो लंबे समय तक उपयोग के दौरान विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है।
- सटीक विनिर्माणविशिष्ट प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने और विभिन्न क्रिस्टल और वेफर आकारों के अनुरूप बनाने के लिए इसे उच्च परिशुद्धता के साथ तैयार किया गया है।
आवेदन
• सेमीकंडक्टर वेफर प्रोसेसिंग
• एलईडी निर्माण
• फोटोवोल्टिक सेल उत्पादन
• रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सीवीडी) प्रणालियाँ
• पदार्थ विज्ञान में अनुसंधान और विकास
| 烧结碳化硅物理特性 भौतिक गुणSप्रवेश कियाSसिलिकॉनCआर्बाइड | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मान |
| 化学成分 / रासायनिकसंघटन | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / थोक घनत्व | >3.07 ग्राम/सेमी³ |
| 显气孔率/ स्पष्ट सरंध्रता स्पष्ट सरंध्रता | <0.1% |
| 常温抗弯强度20℃ पर विखंडन का मापांक | 270 एमपीए |
| 高温抗弯强度1200℃ पर विखंडन का मापांक | 290एमपीए |
| 硬度20℃ पर कठोरता | 2400 किलोग्राम/मिमी² |
| बहुत बढ़िया/ 20% पर फ्रैक्चर कठोरता | 3.3एमपीए · मीटर1/2 |
| 导热系数1200℃ पर तापीय चालकता | 45w/m .K |
| 热膨胀系数20-1200℃ पर ऊष्मीय प्रसार | 4.51 ×10-6/℃ |
| यह एक अच्छा विचार हैअधिकतम कार्यशील तापमान | 1400℃ |
| 热震稳定性1200℃ पर ऊष्मीय आघात प्रतिरोध | अच्छा |
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