Il sinterizzatoCarburo di silicio (SiC)Cristallo/Wafer BoatÈ progettato per soddisfare le rigorose esigenze dei settori dei semiconduttori e della microelettronica. Fornisce una piattaforma sicura per la gestione di cristalli e wafer di silicio durante i processi ad alta temperatura, garantendo che la loro integrità e purezza siano mantenute in ogni fase.
Caratteristiche principali
- Eccezionale stabilità termica: In grado di resistere a temperature fino a 1600 °C, ideale per processi che richiedono un controllo termico preciso.
- Resistenza chimica superioreResistente alla maggior parte delle sostanze chimiche e dei gas corrosivi, garantisce durata nel tempo anche in ambienti di lavorazione difficili.
- Rendimento meccanico robusto: Mantiene l'integrità strutturale sotto forte stress, riducendo la probabilità di deformazione o rottura.
- Espansione termica minimaProgettato per ridurre al minimo il rischio di shock termico e crepe, offre prestazioni affidabili anche con un utilizzo prolungato.
- Produzione di precisioneRealizzato con elevata precisione per soddisfare specifici requisiti di processo e adattarsi a diverse dimensioni di cristalli e wafer.
Applicazioni
• Lavorazione di wafer di semiconduttori
• Produzione di LED
• Produzione di celle fotovoltaiche
• Sistemi di deposizione chimica da fase vapore (CVD)
• Ricerca e sviluppo nel campo della scienza dei materiali
| 烧结碳化硅物理特性 Proprietà fisiche diSinteressatoSiliconCarbide | |
| 性质 / Proprietà | 典型数值 / Valore tipico |
| 化学成分 / ChimicoComposizione | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Densità apparente | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率Porosità apparente Porosità apparente | <0,1% |
| 常温抗弯强度Modulo di rottura a 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度Modulo di rottura a 1200℃ | 290MPa |
| 硬度Durezza a 20℃ | 2400 Kg/mm² |
| 断裂韧性/ Resistenza alla frattura al 20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Conduttività termica a 1200℃ | 45wm .K |
| 热膨胀系数/ Dilatazione termica a 20-1200℃ | 4.51 ×10-6/℃ |
| 最高工作温度/ Temperatura massima di esercizio | 1400℃ |
| 热震稳定性Resistenza agli shock termici a 1200℃ | Bene |
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