El sinterizadoCarburo de silicio (SiC)Cristal/Barco de obleasEstá diseñado para las rigurosas exigencias de las industrias de semiconductores y microelectrónica. Proporciona una plataforma segura para la manipulación de cristales y obleas de silicio durante el procesamiento a alta temperatura, garantizando su integridad y pureza en todo momento.
Características principales
- Excelente estabilidad térmica:Capaz de soportar temperaturas de hasta 1600°C, ideal para procesos que requieren un control térmico preciso.
- Resistencia química superior:Resistente a la mayoría de los productos químicos y gases corrosivos, lo que proporciona durabilidad en entornos de procesamiento hostiles.
- Resistencia mecánica robusta:Mantiene la integridad estructural bajo alta tensión, reduciendo la probabilidad de deformación o rotura.
- Expansión térmica mínima:Diseñado para minimizar el riesgo de choque térmico y agrietamiento, ofreciendo un rendimiento confiable durante un uso prolongado.
- Fabricación de precisión:Fabricado con alta precisión para cumplir con los requisitos de procesos específicos y adaptarse a varios tamaños de cristales y obleas.
Aplicaciones
• Procesamiento de obleas de semiconductores
• Fabricación de LED
• Producción de células fotovoltaicas
• Sistemas de deposición química de vapor (CVD)
• Investigación y desarrollo en ciencia de materiales
| 烧结碳化硅物理特性 Propiedades físicas deSinteresadoSilicónCarbida | |
| 性质 / Propiedad | 典型数值 / Valor típico |
| 化学成分 / QuímicaComposición | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Densidad aparente | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率/ Porosidad aparente Porosidad aparente | <0,1% |
| 常温抗弯强度/ Módulo de ruptura a 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度/ Módulo de ruptura a 1200℃ | 290MPa |
| 硬度/ Dureza a 20℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Tenacidad a la fractura al 20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Conductividad térmica a 1200℃ | 45blanco m.K |
| 热膨胀系数Expansión térmica a 20-1200℃ | 4.51 × 10-6/°C |
| 最高工作温度/ Temperatura máxima de trabajo | 1400℃ |
| 热震稳定性/ Resistencia al choque térmico a 1200℃ | Bien |
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