Portadores de obleas MOCVD con grafito e revestimento de SiC, susceptores de grafito paraEpitaxia de SiC,
Susceptores de subministración de carbono, Susceptores de epitaxia de grafito, Substratos de soporte de grafito, Susceptor MOCVD, Epitaxia de SiC, Susceptores de obleas,

Entre as vantaxes especiais dos nosos susceptores de grafito revestidos de SiC inclúense unha pureza extremadamente alta, un revestimento homoxéneo e unha excelente vida útil. Tamén teñen propiedades de alta resistencia química e estabilidade térmica.

O revestimento de SiC de substrato de grafito para aplicacións de semicondutores produce unha peza con pureza superior e resistencia á atmosfera oxidante.
O SiC CVD ou o SiC CVI aplícase ao grafito de pezas de deseño simple ou complexo. O revestimento pódese aplicar en diferentes grosores e a pezas moi grandes.

Características:
· Excelente resistencia ao choque térmico
· Excelente resistencia física aos impactos
· Excelente resistencia química
· Pureza superalta
· Dispoñibilidade en forma complexa
· Utilizable en atmosfera oxidante

Aplicación:

Propiedades típicas do material de grafito base:

Susceptores de subministración de carbonoe compoñentes de grafito para todos os reactores de epitaxia actuais. A nosa carteira inclúe susceptores de barril para unidades aplicadas e LPE, susceptores de filloa para unidades LPE, CSD e Gemini e susceptores de oblea única para unidades aplicadas e ASM. Ao combinar fortes asociacións con fabricantes de equipos orixinais líderes, experiencia en materiais e coñecementos de fabricación, SGL ofrece o deseño óptimo para a súa aplicación.