CVD (Chemical Vapor Deposition) adalah metode yang umum digunakan untuk menyiapkan lapisan silikon karbida.Pelapis silikon karbida CVDmemiliki banyak karakteristik kinerja yang unik. Artikel ini akan memperkenalkan metode persiapan pelapisan silikon karbida CVD dan karakteristik kinerjanya.
1. Cara PembuatanPelapisan silikon karbida CVD
Metode CVD mengubah prekursor gas menjadi lapisan silikon karbida padat dalam kondisi suhu tinggi. Berdasarkan prekursor gas yang berbeda, metode ini dapat dibagi menjadi CVD fase gas dan CVD fase cair.
1. Fase uap CVD
CVD fase uap menggunakan prekursor gas, biasanya senyawa organosilikon, untuk mencapai pertumbuhan lapisan silikon karbida. Senyawa organosilikon yang umum digunakan meliputi metilsilana, dimetilsilana, monosilana, dll., yang membentuk lapisan silikon karbida pada substrat logam dengan mengangkut prekursor gas ke dalam ruang reaksi bersuhu tinggi. Area bersuhu tinggi di ruang reaksi biasanya dihasilkan oleh pemanasan induksi atau pemanasan resistif.
2. CVD fase cair
CVD fase cair menggunakan prekursor cair, biasanya pelarut organik mengandung silikon dan senyawa silanol, yang dipanaskan dan diuapkan dalam ruang reaksi, kemudian lapisan silikon karbida dibentuk pada substrat melalui reaksi kimia.
2. Karakteristik kinerjaPelapisan silikon karbida CVD
1. Kinerja suhu tinggi yang sangat baik
Pelapis silikon karbida CVDmenawarkan stabilitas suhu tinggi dan ketahanan oksidasi yang sangat baik. Produk ini mampu bekerja di lingkungan bersuhu tinggi dan dapat bertahan dalam kondisi ekstrem pada suhu tinggi.
2. Sifat mekanik yang baik
Pelapisan silikon karbida CVDmemiliki kekerasan tinggi dan ketahanan aus yang baik. Melindungi substrat logam dari keausan dan korosi, sehingga memperpanjang masa pakai material.
3. Stabilitas kimia yang sangat baik
Pelapis silikon karbida CVDsangat tahan terhadap bahan kimia umum seperti asam, basa, dan garam. Tahan terhadap serangan kimia dan korosi pada substrat.
4. Koefisien gesekan rendah
Pelapisan silikon karbida CVDmemiliki koefisien gesekan rendah dan sifat pelumasan sendiri yang baik. Mengurangi gesekan dan keausan serta meningkatkan efisiensi penggunaan material.
5. Konduktivitas termal yang baik
Lapisan silikon karbida CVD memiliki sifat konduktivitas termal yang baik. Lapisan ini dapat menghantarkan panas dengan cepat dan meningkatkan efisiensi pembuangan panas pada dasar logam.
6. Sifat isolasi listrik yang sangat baik
Pelapis silikon karbida CVD memiliki sifat isolasi listrik yang baik dan dapat mencegah kebocoran arus. Pelapis ini banyak digunakan dalam perlindungan isolasi perangkat elektronik.
7. Ketebalan dan komposisi yang dapat disesuaikan
Dengan mengendalikan kondisi selama proses CVD dan konsentrasi prekursor, ketebalan dan komposisi film silikon karbida dapat disesuaikan. Hal ini memberikan banyak pilihan dan fleksibilitas untuk berbagai aplikasi.
Singkatnya, pelapis silikon karbida CVD memiliki kinerja suhu tinggi yang sangat baik, sifat mekanis yang sangat baik, stabilitas kimia yang baik, koefisien gesekan yang rendah, konduktivitas termal yang baik, dan sifat isolasi listrik. Sifat-sifat ini membuat pelapis silikon karbida CVD banyak digunakan di berbagai bidang, termasuk elektronik, optik, kedirgantaraan, industri kimia, dll.
Waktu posting: 20-Mar-2024