6 אינטש האַלב-איזאָלירנדיקע SiC וואַפער

קורצע באַשרייַבונג:

VET Energy'ס 6 אינטש האַלב-איזאָלירנדיקע סיליקאָן קאַרבייד (SiC) וועיפער איז אַ הויך-קוואַליטעט סאַבסטראַט וואָס איז ידעאַל פֿאַר אַ ברייטע קייט פון מאַכט עלעקטראָניק אַפּליקאַציעס. VET Energy ניצט אַוואַנסירטע גראָוט טעקניקס צו פּראָדוצירן SiC וועיפערס מיט אויסערגעוויינלעכע קריסטאַל קוואַליטעט, נידעריקע דעפעקט געדיכטקייט און הויך קעגנשטעל.

שיקט אַן אימעיל צו אונדז אראָפּלאָדן ווי PDF

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

דער 6 אינטש האַלב-איזאָלירנדיקער SiC וועיפער פֿון VET Energy איז אַן אַוואַנסירטע לייזונג פֿאַר הויך-מאַכט און הויך-פֿרעקווענץ אַפּליקאַציעס, וואָס אָפֿערט העכערע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי און עלעקטרישע איזאָלאַציע. די האַלב-איזאָלירנדיקע וועיפער זענען וויכטיק אין דער אַנטוויקלונג פֿון דעוויסעס ווי RF אַמפּליפֿיערס, מאַכט סוויטשיז און אַנדערע הויך-וואָולטידזש קאָמפּאָנענטן. VET Energy גאַראַנטירט קאָנסיסטענט קוואַליטעט און פאָרשטעלונג, מאַכנדיג די וועיפער ידעאַל פֿאַר אַ ברייט קייט פֿון האַלב-קאָנדוקטאָר פֿאַבריקאַציע פּראָצעסן.

אין צוגאב צו זייערע אויסגעצייכנטע איזאָלירנדיקע אייגנשאַפטן, זענען די SiC וועיפערס קאָמפּאַטיבל מיט אַ פאַרשיידנקייט פון מאַטעריאַלן אַרייַנגערעכנט Si וועיפערס, SiC סאַבסטראַט, SOI וועיפערס, SiN סאַבסטראַט, און Epi וועיפערס, מאַכנדיג זיי ווערסאַטאַל פֿאַר פאַרשידענע טייפּס פון מאַנופאַקטורינג פּראָצעסן. דערצו, קענען אַוואַנסירטע מאַטעריאַלן ווי גאַליום אָקסייד Ga2O3 און AlN וועיפערס ווערן גענוצט אין קאָמבינאַציע מיט די SiC וועיפערס, וואָס גיט נאָך גרעסערע בייגיקייט אין הויך-מאַכט עלעקטראָנישע דעוויסעס. די וועיפערס זענען דיזיינד פֿאַר סימלאַס ינטאַגריישאַן מיט אינדוסטריע-סטאַנדאַרט האַנדלינג סיסטעמען ווי קאַסעט סיסטעמען, וואָס ענשורז גרינגקייט פון נוצן אין מאַסע פּראָדוקציע סעטטינגס.

VET ענערגיע אָפפערט אַ פולשטענדיק פּאָרטפעל פון האַלב-קאָנדוקטאָר סאַבסטראַטן, אַרייַנגערעכנט Si וועיפער, SiC סאַבסטראַט, SOI וועיפער, SiN סאַבסטראַט, Epi וועיפער, Gallium Oxide Ga2O3, און AlN וועיפער. אונדזער פֿאַרשיידענע פּראָדוקט ליניע באַדינט די באַדערפֿנישן פֿון פֿאַרשידענע עלעקטראָנישע אַפּליקאַציעס, פֿון מאַכט עלעקטראָניק ביז RF און אָפּטאָעלעקטראָניק.

6 אינטש האַלב-איזאָלירנדיקע SiC וועיפער אָפפערס עטלעכע מעלות:
הויך ברייקדאַון וואָולטידזש: די ברייט באַנדגאַפּ פון SiC ענייבאַלז העכער ברייקדאַון וואָולטידזשעס, אַלאַוינג פֿאַר מער קאָמפּאַקט און עפעקטיוו מאַכט דעוויסעס.
הויך-טעמפּעראַטור אָפּעראַציע: SiC'ס אויסגעצייכנטע טערמישע קאַנדאַקטיוויטי ענייבאַלז אָפּעראַציע ביי העכערע טעמפּעראַטורן, פֿאַרבעסערן די רילייאַבילאַטי פון די מיטל.
נידעריק אן-קעגנשטעל: SiC דעוויסעס ווײַזן אַ נידעריקער אן-קעגנשטעל, וואָס רעדוצירט מאַכט פארלוסטן און פֿאַרבעסערט ענערגיע עפעקטיווקייט.

VET ענערגיע אָפפערט קאַסטאַמייזאַבאַל SiC וועיפערס צו טרעפן דיין ספּעציפֿישע באדערפענישן, אַרייַנגערעכנט פאַרשידענע גרעב, דאָפּינג לעוועלס און ייבערפלאַך פינישעס. אונדזער עקספּערט מאַנשאַפֿט גיט טעכנישע שטיצע און נאָך-פאַרקויף סערוויס צו ענשור דיין הצלחה.

וואַפערינג ספּעסיפיקאַציעס

*n-Pm=n-טיפּ Pm-גראַד, n-Ps=n-טיפּ Ps-גראַד, Sl=האַלב-איזאָלירנדיק

אייטעם	8-אינטש	6-אינטש			4-אינטש
אייטעם	נפּ	n-PM	n-Ps	SI	SI
טי-טי-ווי (גי-בי-אר)	≤6ום	≤6ום
בויגן (GF3YFCD) - אַבסאָלוטע ווערט	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
וואָרפּ (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) - 10 מ״מ x 10 מ״מ	<2μm
וואַפער עדזש	בעוועלינג

ייבערפלאַך ענדיקן

*n-Pm=n-טיפּ Pm-גראַד, n-Ps=n-טיפּ Ps-גראַד, Sl=האַלב-איזאָלירנדיק

אייטעם	8-אינטש	6-אינטש			4-אינטש
	נפּ	n-PM	n-Ps	SI	SI
ייבערפלאַך ענדיקן	טאָפּל זייטיק אָפּטיש פּאָליש, סי-פייס סי-עם-פּי
ייבערפלאַך ראַפֿקייט	(10µm x 10µm) סי-פֿאַסעראַ≤0.2 נם C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) סי-פייס ראַ≤0.2 נם C-Face Ra≤0.5nm
עדזש טשיפּס	נישט ערלויבט (לענג און ברייט ≥0.5 מם)
איינדריקונגען	נישט ערלויבט
קראַצן (סי-פייס)	קוואַנטיטי ≤5, קומולאַטיוו לענג ≤0.5 × וואַפער דיאַמעטער	קוואַנטיטי ≤5, קומולאַטיוו לענג ≤0.5 × וואַפער דיאַמעטער			קוואַנטיטי ≤5, קומולאַטיוו לענג ≤0.5 × וואַפער דיאַמעטער
ריסן	נישט ערלויבט
ברעג אויסשליסונג	3 מ״מ