Oblea de carburo de silicio semiaislante de 6 pulgadas

Descripción breve:

La oblea de carburo de silicio (SiC) semiaislante de 6 pulgadas de VET Energy es un sustrato de alta calidad ideal para una amplia gama de aplicaciones de electrónica de potencia. VET Energy emplea técnicas avanzadas de crecimiento para producir obleas de SiC con una calidad cristalina excepcional, baja densidad de defectos y alta resistividad.

Envíanos un correo electrónico Descargar como PDF

Detalle del producto

Etiquetas de productos

La oblea de SiC semiaislante de 6 pulgadas de VET Energy es una solución avanzada para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, que ofrece una conductividad térmica y un aislamiento eléctrico superiores. Estas obleas semiaislantes son esenciales para el desarrollo de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de potencia y otros componentes de alto voltaje. VET Energy garantiza una calidad y un rendimiento constantes, lo que las convierte en la opción ideal para una amplia gama de procesos de fabricación de semiconductores.

Además de sus excelentes propiedades aislantes, estas obleas de SiC son compatibles con diversos materiales, como obleas de SiC, sustratos de SiC, obleas de SOI, sustratos de SiN y obleas de Epi, lo que las hace versátiles para diferentes procesos de fabricación. Además, materiales avanzados como el óxido de galio (Ga₂O₃) y las obleas de AlN pueden utilizarse en combinación con estas obleas de SiC, lo que proporciona una mayor flexibilidad en dispositivos electrónicos de alta potencia. Las obleas están diseñadas para una integración perfecta con sistemas de manipulación estándar de la industria, como los sistemas de casete, lo que garantiza su facilidad de uso en entornos de producción en masa.

VET Energy ofrece una cartera completa de sustratos semiconductores, que incluye obleas de silicio (Si), sustratos de SiC (SiC), obleas de SOI (Soil Insulated ...

La oblea de SiC semiaislante de 6 pulgadas ofrece varias ventajas:
Alto voltaje de ruptura: la amplia banda prohibida del SiC permite voltajes de ruptura más altos, lo que da lugar a dispositivos de energía más compactos y eficientes.
Operación a alta temperatura: la excelente conductividad térmica del SiC permite el funcionamiento a temperaturas más altas, lo que mejora la confiabilidad del dispositivo.
Baja resistencia de encendido: los dispositivos SiC exhiben una menor resistencia de encendido, lo que reduce las pérdidas de energía y mejora la eficiencia energética.

VET Energy ofrece obleas de SiC personalizables para satisfacer sus necesidades específicas, incluyendo diferentes espesores, niveles de dopaje y acabados superficiales. Nuestro equipo de expertos le ofrece soporte técnico y servicio posventa para garantizar su éxito.

ESPECIFICACIONES DE OBLEAS

*n-Pm=grado Pm tipo n,n-Ps=grado Ps tipo n,Sl=semiaislante

Artículo	8 pulgadas	6 pulgadas			4 pulgadas
Artículo	notario público	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6 um	≤6 um
Valor absoluto de Bow(GF3YFCD)	≤15 μm	≤15 μm	≤25μm		≤15 μm
Deformación(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm	<2 μm
Borde de oblea	Biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=grado Pm tipo n,n-Ps=grado Ps tipo n,Sl=semiaislante

Artículo	8 pulgadas	6 pulgadas			4 pulgadas
	notario público	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Acabado de la superficie	Pulido óptico de doble cara, cara de silicio CMP
Rugosidad de la superficie	(10 um x 10 um) Cara de silicio Ra≤0,2 nm Cara C Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Cara de silicio Ra≤0,2 nm Cara C Ra≤0,5 nm
Fichas de borde	No se permite ninguno (largo y ancho ≥0,5 mm)
Sangrías	No se permite ninguno
Arañazos (Si-Face)	Cantidad ≤ 5, acumulada Longitud ≤ 0,5 × diámetro de la oblea	Cantidad ≤ 5, acumulada Longitud ≤ 0,5 × diámetro de la oblea			Cantidad ≤ 5, acumulada Longitud ≤ 0,5 × diámetro de la oblea
Grietas	No se permite ninguno
Exclusión de bordes	3 mm