A oblea semiillante de SiC de 6 polgadas de VET Energy é unha solución avanzada para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia, que ofrece unha condutividade térmica e un illamento eléctrico superiores. Estas obleas semiillantes son esenciais no desenvolvemento de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de potencia e outros compoñentes de alta tensión. VET Energy garante unha calidade e un rendemento consistentes, o que fai que estas obleas sexan ideais para unha ampla gama de procesos de fabricación de semicondutores.
Ademais das súas excepcionais propiedades illantes, estas obleas de SiC son compatibles cunha variedade de materiais, incluíndo obleas de Si, substratos de SiC, obleas de SOI, substratos de SiN e obleas de Epi, o que as fai versátiles para diferentes tipos de procesos de fabricación. Ademais, materiais avanzados como o óxido de galio Ga2O3 e a oblea de AlN pódense usar en combinación con estas obleas de SiC, o que proporciona unha flexibilidade aínda maior en dispositivos electrónicos de alta potencia. As obleas están deseñadas para unha integración perfecta cos sistemas de manipulación estándar da industria, como os sistemas de casete, o que garante a facilidade de uso en entornos de produción en masa.
VET Energy ofrece unha ampla carteira de substratos semicondutores, incluíndo obleas de Si, substratos de SiC, obleas de SOI, substratos de SiN, obleas de Epi, obleas de óxido de galio Ga2O3 e obleas de AlN. A nosa diversa liña de produtos satisfai as necesidades de diversas aplicacións electrónicas, desde electrónica de potencia ata RF e optoelectrónica.
Unha oblea de SiC semiaillante de 6 polgadas ofrece varias vantaxes:
Alta tensión de ruptura: a ampla banda prohibida do SiC permite tensións de ruptura máis altas, o que permite dispositivos de alimentación máis compactos e eficientes.
Funcionamento a alta temperatura: a excelente condutividade térmica do SiC permite o funcionamento a temperaturas máis altas, o que mellora a fiabilidade do dispositivo.
Baixa resistencia: os dispositivos de SiC presentan unha menor resistencia, o que reduce as perdas de potencia e mellora a eficiencia enerxética.
VET Energy ofrece obleas de SiC personalizables para satisfacer os seus requisitos específicos, incluíndo diferentes grosores, niveis de dopaxe e acabados superficiais. O noso equipo de expertos ofrece soporte técnico e servizo posvenda para garantir o seu éxito.
ESPECIFICACIÓNS DE WAFERING
*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante
| Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6 µm | ≤6 µm | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Deformación (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV(SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Bordo da oblea | Biselado | ||||
ACABADO DA SUPERFICIE
*n-Pm=tipo n grao Pm,n-Ps=tipo n grao Ps,Sl=semi-illlante
| Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Acabado superficial | Pulido óptico de dobre cara, CMP Si-Face | ||||
| Rugosidade da superficie | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5um x 5um) Ra ≤ 0,2 nm da cara de silicio | |||
| Chips de bordo | Ningún permitido (lonxitude e anchura ≥0,5 mm) | ||||
| Sangrías | Ningún permitido | ||||
| Rasguños (Si-Face) | Cantidade ≤5, acumulativa | Cantidade ≤5, acumulativa | Cantidade ≤5, acumulativa | ||
| Gretas | Ningún permitido | ||||
| Exclusión de bordos | 3 mm | ||||
-
Fabricante de paquetes de baterías de fluxo de vanadio ce...
-
Capa de difusión de gas de cela PEM revestida de platino...
-
Substrato de grafito revestido de carburo de silicio para S...
-
Pila de combustible de hidróxeno de alta precisión H...
-
Motor de pila de combustible de hidróxeno refrixerado por auga sen...
-
Oblea de carburo de silicio recristalizada de gran tamaño...

