La plaquette SiC semi-isolante de 6 pouces de VET Energy est une solution avancée pour les applications haute puissance et haute fréquence, offrant une conductivité thermique et une isolation électrique supérieures. Ces plaquettes semi-isolantes sont essentielles au développement de dispositifs tels que les amplificateurs RF, les commutateurs de puissance et autres composants haute tension. VET Energy garantit une qualité et des performances constantes, ce qui en fait la solution idéale pour un large éventail de procédés de fabrication de semi-conducteurs.
Outre leurs propriétés isolantes exceptionnelles, ces plaquettes de SiC sont compatibles avec une variété de matériaux, notamment les plaquettes de Si, les substrats de SiC, les plaquettes SOI, les substrats de SiN et les plaquettes Epi, ce qui les rend polyvalentes pour différents types de procédés de fabrication. De plus, des matériaux avancés comme l'oxyde de gallium Ga₂O₃ et les plaquettes d'AlN peuvent être utilisés en combinaison avec ces plaquettes de SiC, offrant une flexibilité accrue pour les dispositifs électroniques de forte puissance. Ces plaquettes sont conçues pour une intégration transparente avec les systèmes de manutention standard de l'industrie, comme les systèmes à cassettes, garantissant ainsi une utilisation aisée en production de masse.
VET Energy propose une gamme complète de substrats semi-conducteurs, notamment des plaquettes de silicium (Si), des substrats de silicium (SiC), des plaquettes de silicium sur isolant (SOI), des substrats de silicium sur silicium (SiN), des plaquettes d'épithélium (Epi), de l'oxyde de gallium (Ga₂O₃) et des plaquettes d'aluminium (AlN). Notre gamme diversifiée répond aux besoins de diverses applications électroniques, de l'électronique de puissance à la radiofréquence (RF) et à l'optoélectronique.
La plaquette SiC semi-isolante de 6 pouces offre plusieurs avantages :
Tension de claquage élevée : la large bande interdite du SiC permet des tensions de claquage plus élevées, permettant ainsi des dispositifs d'alimentation plus compacts et plus efficaces.
Fonctionnement à haute température : l'excellente conductivité thermique du SiC permet un fonctionnement à des températures plus élevées, améliorant ainsi la fiabilité de l'appareil.
Faible résistance à l'état passant : les dispositifs SiC présentent une résistance à l'état passant plus faible, ce qui réduit les pertes de puissance et améliore l'efficacité énergétique.
VET Energy propose des plaquettes de SiC personnalisables pour répondre à vos besoins spécifiques, avec différentes épaisseurs, niveaux de dopage et finitions de surface. Notre équipe d'experts assure un support technique et un service après-vente pour garantir votre réussite.
SPÉCIFICATIONS DE DÉCAPAGE
*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤ 6 µm | ≤ 6 µm | |||
| Arc (GF3YFCD) - Valeur absolue | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤ 25 μm | ≤15 μm | |
| Déformation (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
| LTV (SBIR)-10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Bord de plaquette | Biseautage | ||||
FINITION DE SURFACE
*n-Pm=type n de qualité Pm,n-Ps=type n de qualité Ps,Sl=semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finition de surface | Polissage optique double face, Si-Face CMP | ||||
| Rugosité de surface | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5 µm x 5 µm) Face Si Ra ≤ 0,2 nm | |||
| Chips de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur ≥ 0,5 mm) | ||||
| Retraits | Aucun permis | ||||
| Rayures (Si-Face) | Qté ≤ 5, Cumulatif | Qté ≤ 5, Cumulatif | Qté ≤ 5, Cumulatif | ||
| Fissures | Aucun permis | ||||
| Exclusion des bords | 3 mm | ||||
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