VET Energy का 6 इंच सेमी इंसुलेटिंग SiC वेफर उच्च-शक्ति और उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए एक उन्नत समाधान है, जो बेहतर थर्मल चालकता और विद्युत इन्सुलेशन प्रदान करता है। ये सेमी-इंसुलेटिंग वेफ़र RF एम्पलीफायर, पावर स्विच और अन्य उच्च-वोल्टेज घटकों जैसे उपकरणों के विकास में आवश्यक हैं। VET Energy निरंतर गुणवत्ता और प्रदर्शन सुनिश्चित करता है, जिससे ये वेफ़र सेमीकंडक्टर निर्माण प्रक्रियाओं की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आदर्श बन जाते हैं।
अपने बेहतरीन इंसुलेटिंग गुणों के अलावा, ये SiC वेफ़र Si वेफ़र, SiC सब्सट्रेट, SOI वेफ़र, SiN सब्सट्रेट और Epi वेफ़र सहित कई तरह की सामग्रियों के साथ संगत हैं, जो उन्हें विभिन्न प्रकार की निर्माण प्रक्रियाओं के लिए बहुमुखी बनाते हैं। इसके अलावा, गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफ़र जैसी उन्नत सामग्रियों का उपयोग इन SiC वेफ़र्स के साथ संयोजन में किया जा सकता है, जो उच्च-शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में और भी अधिक लचीलापन प्रदान करता है। वेफ़र्स को कैसेट सिस्टम जैसे उद्योग-मानक हैंडलिंग सिस्टम के साथ सहज एकीकरण के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो बड़े पैमाने पर उत्पादन सेटिंग्स में उपयोग में आसानी सुनिश्चित करता है।
वीईटी एनर्जी सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्स का एक व्यापक पोर्टफोलियो प्रदान करता है, जिसमें Si वेफर, SiC सब्सट्रेट, SOI वेफर, SiN सब्सट्रेट, Epi वेफर, गैलियम ऑक्साइड Ga2O3 और AlN वेफर शामिल हैं। हमारी विविध उत्पाद लाइन पावर इलेक्ट्रॉनिक्स से लेकर RF और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स तक विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों की ज़रूरतों को पूरा करती है।
6 इंच अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC वेफर कई लाभ प्रदान करता है:
उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज: SiC का विस्तृत बैंडगैप उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज को सक्षम बनाता है, जिससे अधिक कॉम्पैक्ट और कुशल विद्युत उपकरण प्राप्त होते हैं।
उच्च तापमान पर परिचालन: SiC की उत्कृष्ट तापीय चालकता उच्च तापमान पर परिचालन को सक्षम बनाती है, जिससे उपकरण की विश्वसनीयता में सुधार होता है।
कम ऑन-प्रतिरोध: SiC उपकरण कम ऑन-प्रतिरोध प्रदर्शित करते हैं, जिससे बिजली की हानि कम होती है और ऊर्जा दक्षता में सुधार होता है।
VET Energy आपकी विशिष्ट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए अनुकूलन योग्य SiC वेफ़र प्रदान करता है, जिसमें विभिन्न मोटाई, डोपिंग स्तर और सतह फ़िनिश शामिल हैं। हमारी विशेषज्ञ टीम आपकी सफलता सुनिश्चित करने के लिए तकनीकी सहायता और बिक्री के बाद सेवा प्रदान करती है।
वेफ़रिंग विनिर्देश
*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग
| वस्तु | 8-इंच | 6 इंच | 4 इंच | ||
| एनपी | एन-पीएम | एन-पीएस | SI | SI | |
| टीटीवी(जीबीआईआर) | ≤6um | ≤6um | |||
| धनुष(GF3YFCD)-निरपेक्ष मान | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| ताना(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| एलटीवी(एसबीआईआर)-10मिमीx10मिमी | <2μm | ||||
| वेफर एज | बेवेलिंग | ||||
सतह खत्म
*एन-पीएम=एन-टाइप पीएम-ग्रेड,एन-पीएस=एन-टाइप पीएस-ग्रेड,एसएल=अर्द्ध इन्सुलेटिंग
| वस्तु | 8-इंच | 6 इंच | 4 इंच | ||
| एनपी | एन-पीएम | एन-पीएस | SI | SI | |
| सतह खत्म | डबल साइड ऑप्टिकल पॉलिश, Si- फेस सीएमपी | ||||
| सतह खुरदरापन | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-फेस Ra≤0.2nm | |||
| एज चिप्स | कोई भी अनुमति नहीं (लंबाई और चौड़ाई≥0.5 मिमी) | ||||
| इंडेंट | कोई अनुमति नहीं | ||||
| खरोंचें (Si-फेस) | मात्रा.≤5, संचयी | मात्रा.≤5, संचयी | मात्रा.≤5, संचयी | ||
| दरारें | कोई अनुमति नहीं | ||||
| एज एक्सक्लूज़न | 3 मिमी | ||||







