Wafer de SiC semi-isolante de 6 polegadas

Descrição curta:

O wafer de carboneto de silício (SiC) semi-isolante de 6 polegadas da VET Energy é um substrato de alta qualidade ideal para uma ampla gama de aplicações em eletrônica de potência. A VET Energy emprega técnicas avançadas de crescimento para produzir wafers de SiC com qualidade cristalina excepcional, baixa densidade de defeitos e alta resistividade.

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O wafer de SiC semi-isolante de 6 polegadas da VET Energy é uma solução avançada para aplicações de alta potência e alta frequência, oferecendo condutividade térmica e isolamento elétrico superiores. Esses wafers semi-isolantes são essenciais no desenvolvimento de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de energia e outros componentes de alta tensão. A VET Energy garante qualidade e desempenho consistentes, tornando esses wafers ideais para uma ampla gama de processos de fabricação de semicondutores.

Além de suas excelentes propriedades isolantes, esses wafers de SiC são compatíveis com uma variedade de materiais, incluindo wafer de Si, substrato de SiC, wafer SOI, substrato de SiN e wafer Epi, tornando-os versáteis para diferentes tipos de processos de fabricação. Além disso, materiais avançados como óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN podem ser usados em combinação com esses wafers de SiC, proporcionando ainda mais flexibilidade em dispositivos eletrônicos de alta potência. Os wafers são projetados para integração perfeita com sistemas de manuseio padrão da indústria, como sistemas de cassete, garantindo facilidade de uso em ambientes de produção em massa.

A VET Energy oferece um portfólio abrangente de substratos semicondutores, incluindo wafer de Si, substrato de SiC, wafer de SOI, substrato de SiN, wafer de Epi, óxido de gálio Ga2O3 e wafer de AlN. Nossa diversificada linha de produtos atende às necessidades de diversas aplicações eletrônicas, desde eletrônica de potência até RF e optoeletrônica.

O wafer de SiC semi-isolante de 6 polegadas oferece diversas vantagens:
Alta tensão de ruptura: a ampla banda proibida do SiC permite tensões de ruptura mais altas, possibilitando dispositivos de energia mais compactos e eficientes.
Operação em alta temperatura: a excelente condutividade térmica do SiC permite a operação em temperaturas mais altas, melhorando a confiabilidade do dispositivo.
Baixa resistência: dispositivos SiC apresentam menor resistência, reduzindo perdas de energia e melhorando a eficiência energética.

A VET Energy oferece wafers de SiC personalizáveis para atender às suas necessidades específicas, incluindo diferentes espessuras, níveis de dopagem e acabamentos de superfície. Nossa equipe de especialistas oferece suporte técnico e serviço pós-venda para garantir o seu sucesso.

ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item	8 polegadas	6 polegadas			4 polegadas
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-Valor Absoluto	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformação(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Borda de Wafer	Chanfradura

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-isolante

Item	8 polegadas	6 polegadas			4 polegadas
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Acabamento de superfície	Polimento óptico de dupla face, Si-Face CMP
Rugosidade da superfície	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5 nm
Chips de Borda	Nenhum permitido (comprimento e largura ≥ 0,5 mm)
Recuos	Nenhum permitido
Arranhões (Si-Face)	Qtd.≤5,Acumulativo Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer	Qtd.≤5,Acumulativo Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer			Qtd.≤5,Acumulativo Comprimento ≤ 0,5 × diâmetro do wafer
Rachaduras	Nenhum permitido
Exclusão de Borda	3 mm