ویفر نیمه عایق SiC 6 اینچی

شرح مختصر:

ویفر سیلیکون کاربید نیمه عایق (SiC) 6 اینچی VET Energy یک زیرلایه با کیفیت بالا است که برای طیف وسیعی از کاربردهای الکترونیک قدرت ایده‌آل است. VET Energy از تکنیک‌های رشد پیشرفته برای تولید ویفرهای SiC با کیفیت کریستالی استثنایی، چگالی نقص کم و مقاومت ویژه بالا استفاده می‌کند.


جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

ویفر نیمه عایق SiC با قطر ۶ اینچ از شرکت VET Energy، یک راهکار پیشرفته برای کاربردهای توان بالا و فرکانس بالا است که رسانایی حرارتی و عایق الکتریکی فوق‌العاده‌ای را ارائه می‌دهد. این ویفرهای نیمه عایق در توسعه دستگاه‌هایی مانند تقویت‌کننده‌های RF، سوئیچ‌های قدرت و سایر اجزای ولتاژ بالا ضروری هستند. VET Energy کیفیت و عملکرد پایدار را تضمین می‌کند و این ویفرها را برای طیف وسیعی از فرآیندهای ساخت نیمه‌هادی ایده‌آل می‌سازد.

علاوه بر خواص عایق‌بندی برجسته، این ویفرهای SiC با انواع مواد از جمله ویفر Si، زیرلایه SiC، ویفر SOI، زیرلایه SiN و ویفر Epi سازگار هستند و آنها را برای انواع مختلف فرآیندهای تولید تطبیق‌پذیر می‌کنند. علاوه بر این، مواد پیشرفته‌ای مانند اکسید گالیوم Ga2O3 و ویفر AlN را می‌توان در ترکیب با این ویفرهای SiC استفاده کرد و انعطاف‌پذیری بیشتری را در دستگاه‌های الکترونیکی پرقدرت فراهم کرد. این ویفرها برای ادغام یکپارچه با سیستم‌های جابجایی استاندارد صنعتی مانند سیستم‌های کاست طراحی شده‌اند و سهولت استفاده در تنظیمات تولید انبوه را تضمین می‌کنند.

شرکت VET Energy مجموعه‌ای جامع از زیرلایه‌های نیمه‌هادی، از جمله ویفر سیلیکونی (Si Wafer)، زیرلایه سیلیکونی (SiC Substrate)، ویفر اکسید آلومینیوم (SOI Wafer)، زیرلایه سیلیکون نیترید (SiN Substrate)، ویفر اپی (Epi Wafer)، اکسید گالیوم Ga2O3 و ویفر آلومینیوم نیترید (AlN Wafer) را ارائه می‌دهد. خط تولید متنوع ما نیازهای کاربردهای مختلف الکترونیکی، از الکترونیک قدرت گرفته تا RF و اپتوالکترونیک را برآورده می‌کند.

ویفر SiC نیمه عایق 6 اینچی مزایای متعددی را ارائه می‌دهد:
ولتاژ شکست بالا: شکاف باند وسیع SiC، ولتاژهای شکست بالاتری را ممکن می‌سازد و امکان ساخت دستگاه‌های قدرت فشرده‌تر و کارآمدتر را فراهم می‌کند.
عملکرد در دمای بالا: رسانایی حرارتی عالی SiC امکان عملکرد در دماهای بالاتر را فراهم می‌کند و قابلیت اطمینان دستگاه را بهبود می‌بخشد.
مقاومت کم در حالت روشن: قطعات SiC مقاومت کمتری در حالت روشن از خود نشان می‌دهند که باعث کاهش تلفات توان و بهبود راندمان انرژی می‌شود.

شرکت VET Energy ویفرهای SiC قابل تنظیم را برای برآورده کردن نیازهای خاص شما، از جمله ضخامت‌های مختلف، سطوح دوپینگ و پرداخت‌های سطحی، ارائه می‌دهد. تیم متخصص ما پشتیبانی فنی و خدمات پس از فروش را برای اطمینان از موفقیت شما ارائه می‌دهد.

第6页-36
第6页-35

مشخصات ویفر

*n-Pm=نوع n درجه Pm،n-Ps=نوع n درجه Ps،Sl=نیمه عایق

مورد

۸ اینچ

۶ اینچ

۴ اینچ

ان پی

n-Pm

n-Ps

SI

SI

تی‌تی‌وی (GBIR)

≤6um

≤6um

کمان (GF3YFCD) - قدر مطلق

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

تار (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV (SBIR) - 10mmx10mm

<2μm

لبه ویفر

پخ زنی

پرداخت سطح

*n-Pm=نوع n درجه Pm،n-Ps=نوع n درجه Ps،Sl=نیمه عایق

مورد

۸ اینچ

۶ اینچ

۴ اینچ

ان پی

n-Pm

n-Ps

SI

SI

پرداخت سطح

پولیش نوری دو طرفه، سی-فیس CMP

زبری سطح

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) سی-فیس Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

تراشه‌های لبه

مجاز نیست (طول و عرض ≥0.5 میلی‌متر)

تورفتگی‌ها

هیچ کدام مجاز نیست

خراش‌ها (سی-فیس)

تعداد≤5، تجمعی
قطر ویفر ≤0.5 × طول

تعداد≤5، تجمعی
قطر ویفر ≤0.5 × طول

تعداد≤5، تجمعی
قطر ویفر ≤0.5 × طول

ترک‌ها

هیچ کدام مجاز نیست

حذف لبه

۳ میلی‌متر

اندازه_فنی_1_2
下载 (2)

  • قبلی:
  • بعدی:

  • چت آنلاین واتس‌اپ!