Wafer SiC semiisolante da 6 pollici

Breve descrizione:

Il wafer di carburo di silicio (SiC) semiisolante da 6 pollici di VET Energy è un substrato di alta qualità, ideale per un'ampia gamma di applicazioni di elettronica di potenza. VET Energy impiega tecniche di crescita avanzate per produrre wafer di SiC con un'eccezionale qualità cristallina, bassa densità di difetti e alta resistività.


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Il wafer SiC semiisolante da 6 pollici di VET Energy è una soluzione avanzata per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza, offrendo conduttività termica e isolamento elettrico superiori. Questi wafer semiisolanti sono essenziali nello sviluppo di dispositivi come amplificatori RF, interruttori di potenza e altri componenti ad alta tensione. VET Energy garantisce qualità e prestazioni costanti, rendendo questi wafer ideali per un'ampia gamma di processi di fabbricazione di semiconduttori.

Oltre alle loro eccezionali proprietà isolanti, questi wafer di SiC sono compatibili con una varietà di materiali, tra cui wafer di Si, substrato di SiC, wafer SOI, substrato di SiN e wafer Epi, rendendoli versatili per diversi tipi di processi produttivi. Inoltre, materiali avanzati come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer di AlN possono essere utilizzati in combinazione con questi wafer di SiC, offrendo una flessibilità ancora maggiore nei dispositivi elettronici ad alta potenza. I wafer sono progettati per una perfetta integrazione con sistemi di movimentazione standard del settore, come i sistemi a cassette, garantendo facilità d'uso in ambienti di produzione di massa.

VET Energy offre un portafoglio completo di substrati semiconduttori, tra cui wafer di Si, substrato di SiC, wafer SOI, substrato di SiN, wafer di Epi, wafer di ossido di gallio Ga2O3 e wafer di AlN. La nostra ampia gamma di prodotti soddisfa le esigenze di diverse applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza alla radiofrequenza e all'optoelettronica.

Il wafer SiC semi-isolante da 6 pollici offre diversi vantaggi:
Elevata tensione di rottura: l'ampio bandgap del SiC consente tensioni di rottura più elevate, consentendo di realizzare dispositivi di potenza più compatti ed efficienti.
Funzionamento ad alta temperatura: l'eccellente conduttività termica del SiC consente il funzionamento a temperature più elevate, migliorando l'affidabilità del dispositivo.
Bassa resistenza di accensione: i dispositivi SiC presentano una resistenza di accensione inferiore, riducendo le perdite di potenza e migliorando l'efficienza energetica.

VET Energy offre wafer di SiC personalizzabili per soddisfare le vostre esigenze specifiche, inclusi diversi spessori, livelli di drogaggio e finiture superficiali. Il nostro team di esperti fornisce supporto tecnico e assistenza post-vendita per garantire il vostro successo.

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SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

Quantità ≤5, Cumulativo
Lunghezza≤0,5×diametro del wafer

crepe

Nessuno consentito

Esclusione del bordo

3 millimetri

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