Il wafer SiC semiisolante da 6 pollici di VET Energy è una soluzione avanzata per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza, offrendo conduttività termica e isolamento elettrico superiori. Questi wafer semiisolanti sono essenziali nello sviluppo di dispositivi come amplificatori RF, interruttori di potenza e altri componenti ad alta tensione. VET Energy garantisce qualità e prestazioni costanti, rendendo questi wafer ideali per un'ampia gamma di processi di fabbricazione di semiconduttori.
Oltre alle loro eccezionali proprietà isolanti, questi wafer di SiC sono compatibili con una varietà di materiali, tra cui wafer di Si, substrato di SiC, wafer SOI, substrato di SiN e wafer Epi, rendendoli versatili per diversi tipi di processi produttivi. Inoltre, materiali avanzati come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer di AlN possono essere utilizzati in combinazione con questi wafer di SiC, offrendo una flessibilità ancora maggiore nei dispositivi elettronici ad alta potenza. I wafer sono progettati per una perfetta integrazione con sistemi di movimentazione standard del settore, come i sistemi a cassette, garantendo facilità d'uso in ambienti di produzione di massa.
VET Energy offre un portafoglio completo di substrati semiconduttori, tra cui wafer di Si, substrato di SiC, wafer SOI, substrato di SiN, wafer di Epi, wafer di ossido di gallio Ga2O3 e wafer di AlN. La nostra ampia gamma di prodotti soddisfa le esigenze di diverse applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza alla radiofrequenza e all'optoelettronica.
Il wafer SiC semi-isolante da 6 pollici offre diversi vantaggi:
Elevata tensione di rottura: l'ampio bandgap del SiC consente tensioni di rottura più elevate, consentendo di realizzare dispositivi di potenza più compatti ed efficienti.
Funzionamento ad alta temperatura: l'eccellente conduttività termica del SiC consente il funzionamento a temperature più elevate, migliorando l'affidabilità del dispositivo.
Bassa resistenza di accensione: i dispositivi SiC presentano una resistenza di accensione inferiore, riducendo le perdite di potenza e migliorando l'efficienza energetica.
VET Energy offre wafer di SiC personalizzabili per soddisfare le vostre esigenze specifiche, inclusi diversi spessori, livelli di drogaggio e finiture superficiali. Il nostro team di esperti fornisce supporto tecnico e assistenza post-vendita per garantire il vostro successo.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arco (GF3YFCD) - Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bordo del wafer | smussatura | ||||
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Pm-Grade,n-Ps=tipo n Ps-Grade,Sl=Semi-isolante
| Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura superficiale | Lucidatura ottica bifacciale, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità superficiale | (10 µm x 10 µm) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
| Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥0,5 mm) | ||||
| Rientri | Nessuno consentito | ||||
| Graffi (Si-Face) | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | Quantità ≤5, Cumulativo | ||
| crepe | Nessuno consentito | ||||
| Esclusione del bordo | 3 millimetri | ||||
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