Placă semiizolantă SiC de 6 inci

Scurtă descriere:

Placheta semiizolantă din carbură de siliciu (SiC) de 6 inch de la VET Energy este un substrat de înaltă calitate, ideal pentru o gamă largă de aplicații în electronica de putere. VET Energy utilizează tehnici avansate de creștere pentru a produce plachete de SiC cu o calitate excepțională a cristalelor, densitate redusă a defectelor și rezistivitate ridicată.


Detalii produs

Etichete de produs

Placheta semiizolantă SiC de 6 inci de la VET Energy este o soluție avansată pentru aplicații de mare putere și înaltă frecvență, oferind o conductivitate termică și o izolație electrică superioare. Aceste plachete semiizolante sunt esențiale în dezvoltarea de dispozitive precum amplificatoare RF, întrerupătoare de putere și alte componente de înaltă tensiune. VET Energy asigură o calitate și o performanță constante, făcând aceste plachete ideale pentru o gamă largă de procese de fabricare a semiconductorilor.

Pe lângă proprietățile lor izolatoare remarcabile, aceste napolitane SiC sunt compatibile cu o varietate de materiale, inclusiv napolitane Si, substrat SiC, napolitane SOI, substrat SiN și napolitane Epi, ceea ce le face versatile pentru diferite tipuri de procese de fabricație. Mai mult, materiale avansate precum oxidul de galiu Ga2O3 și napolitanele AlN pot fi utilizate în combinație cu aceste napolitane SiC, oferind o flexibilitate și mai mare în dispozitivele electronice de mare putere. Napolitanele sunt proiectate pentru o integrare perfectă cu sistemele de manipulare standard din industrie, cum ar fi sistemele cu casete, asigurând ușurința în utilizare în setările de producție în masă.

VET Energy oferă un portofoliu complet de substraturi semiconductoare, inclusiv plachete de Si, substraturi de SiC, plachete de SOI, substraturi de SiN, plachete Epi, plachete de oxid de galiu Ga2O3 și plachete de AlN. Linia noastră diversă de produse răspunde nevoilor diverselor aplicații electronice, de la electronică de putere la RF și optoelectronică.

Placheta semiizolantă SiC de 6 inch oferă mai multe avantaje:
Tensiune mare de străpungere: Intervalul larg de bandă al SiC permite tensiuni de străpungere mai mari, permițând dispozitive de alimentare mai compacte și mai eficiente.
Funcționare la temperaturi ridicate: Conductivitatea termică excelentă a SiC permite funcționarea la temperaturi mai ridicate, îmbunătățind fiabilitatea dispozitivului.
Rezistență redusă la conducție: Dispozitivele SiC prezintă o rezistență redusă la conducție, reducând pierderile de putere și îmbunătățind eficiența energetică.

VET Energy oferă napolitane SiC personalizabile pentru a satisface cerințele dumneavoastră specifice, inclusiv diferite grosimi, niveluri de dopare și finisaje de suprafață. Echipa noastră de experți oferă asistență tehnică și servicii post-vânzare pentru a vă asigura succesul.

第6页-36
第6页-35

SPECIFICAȚII DE WAFERING

*n-Pm=tip n, grad Pm, n-Ps=tip n, grad Ps, Sl=semiizolant

Articol

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD) - Valoare absolută

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Marginea napolitană

Teşire

FINISAJUL SUPRAFEȚEI

*n-Pm=tip n, grad Pm, n-Ps=tip n, grad Ps, Sl=semiizolant

Articol

8 inci

6 inci

4 inci

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Finisajul suprafeței

Polizare optică față-verso, Si-Face CMP

Rugozitatea suprafeței

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Ra ≤ 0,5 nm la fața C

(5umx5um) Fața de siliciu Ra≤0.2nm
Fața C Ra≤0.5nm

Cipuri de margine

Niciunul permis (lungime și lățime ≥ 0,5 mm)

Indentări

Niciunul permis

Zgârieturi (Si-Face)

Cant. ≤ 5, Cumulativ
Lungime ≤ 0,5 × diametrul napolitanei

Cant. ≤ 5, Cumulativ
Lungime ≤ 0,5 × diametrul napolitanei

Cant. ≤ 5, Cumulativ
Lungime ≤ 0,5 × diametrul napolitanei

Crăpături

Niciunul permis

Excluderea marginilor

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Anterior:
  • Următorul:

  • Chat online pe WhatsApp!