6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC от VET Energy — это передовое решение для мощных и высокочастотных приложений, обеспечивающее превосходную теплопроводность и электроизоляцию. Эти полуизолирующие пластины необходимы при разработке таких устройств, как усилители ВЧ, силовые переключатели и другие высоковольтные компоненты. VET Energy гарантирует стабильное качество и производительность, что делает эти пластины идеальными для широкого спектра процессов изготовления полупроводников.
В дополнение к своим выдающимся изолирующим свойствам эти пластины SiC совместимы с различными материалами, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate и Epi Wafer, что делает их универсальными для различных типов производственных процессов. Более того, передовые материалы, такие как Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer, могут использоваться в сочетании с этими пластинами SiC, обеспечивая еще большую гибкость в мощных электронных устройствах. Пластины разработаны для бесшовной интеграции со стандартными системами обработки, такими как системы Cassette, что обеспечивает простоту использования в условиях массового производства.
VET Energy предлагает полный ассортимент полупроводниковых подложек, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer. Наша разнообразная линейка продукции удовлетворяет потребности различных электронных приложений, от силовой электроники до радиочастотной и оптоэлектроники.
6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC имеет ряд преимуществ:
Высокое напряжение пробоя: широкая запрещенная зона SiC обеспечивает более высокое напряжение пробоя, что позволяет создавать более компактные и эффективные силовые устройства.
Работа при высоких температурах: превосходная теплопроводность SiC позволяет работать при более высоких температурах, повышая надежность устройства.
Низкое сопротивление открытого канала: устройства на основе SiC демонстрируют более низкое сопротивление открытого канала, что снижает потери мощности и повышает энергоэффективность.
VET Energy предлагает настраиваемые пластины SiC, соответствующие вашим конкретным требованиям, включая различную толщину, уровни легирования и отделку поверхности. Наша команда экспертов предоставляет техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы гарантировать ваш успех.
СПЕЦИФИКАЦИИ ПЛАСТИН
*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный
| Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
| нП | н-Пм | н-Пс | SI | SI | |
| ТТВ(GBIR) | ≤6мкм | ≤6мкм | |||
| Лук (GF3YFCD)-Абсолютное значение | ≤15мкм | ≤15мкм | ≤25мкм | ≤15мкм | |
| Варп (GF3YFER) | ≤25мкм | ≤25мкм | ≤40мкм | ≤25мкм | |
| ЛТВ(СБИР)-10ммx10мм | <2мкм | ||||
| Край вафли | Скашивание | ||||
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный
| Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
| нП | н-Пм | н-Пс | SI | SI | |
| Отделка поверхности | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
| Шероховатость поверхности | (10мкм x 10мкм) Si-FaceRa≤0.2нм | (5мкмx5мкм) Si-поверхность Ra≤0,2нм | |||
| Краевые чипы | Не допускается (длина и ширина ≥0,5 мм) | ||||
| Отступы | Не разрешено | ||||
| Царапины (Si-Face) | Кол-во ≤5,Накопительное | Кол-во ≤5,Накопительное | Кол-во ≤5,Накопительное | ||
| Трещины | Не разрешено | ||||
| Исключение кромки | 3мм | ||||
-
Производитель ванадиевых аккумуляторных батарей...
-
Газодиффузионный слой ячейки ПЭМ с платиновым покрытием...
-
Графитовая подложка с покрытием из карбида кремния для...
-
Водородный топливный элемент, блок питания, высокоточный H...
-
Двигатель на водородных топливных элементах с водяным охлаждением, без...
-
Крупногабаритная рекристаллизованная пластина из карбида кремния...

