6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC

Краткое описание:

6-дюймовая полуизолирующая пластина из карбида кремния (SiC) VET Energy — это высококачественная подложка, идеально подходящая для широкого спектра применений в силовой электронике. VET Energy использует передовые методы роста для производства пластин SiC с исключительным качеством кристаллов, низкой плотностью дефектов и высоким удельным сопротивлением.


Подробности продукта

Теги продукта

6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC от VET Energy — это передовое решение для мощных и высокочастотных приложений, обеспечивающее превосходную теплопроводность и электроизоляцию. Эти полуизолирующие пластины необходимы при разработке таких устройств, как усилители ВЧ, силовые переключатели и другие высоковольтные компоненты. VET Energy гарантирует стабильное качество и производительность, что делает эти пластины идеальными для широкого спектра процессов изготовления полупроводников.

В дополнение к своим выдающимся изолирующим свойствам эти пластины SiC совместимы с различными материалами, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate и Epi Wafer, что делает их универсальными для различных типов производственных процессов. Более того, передовые материалы, такие как Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer, могут использоваться в сочетании с этими пластинами SiC, обеспечивая еще большую гибкость в мощных электронных устройствах. Пластины разработаны для бесшовной интеграции со стандартными системами обработки, такими как системы Cassette, что обеспечивает простоту использования в условиях массового производства.

VET Energy предлагает полный ассортимент полупроводниковых подложек, включая Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer. Наша разнообразная линейка продукции удовлетворяет потребности различных электронных приложений, от силовой электроники до радиочастотной и оптоэлектроники.

6-дюймовая полуизолирующая пластина SiC имеет ряд преимуществ:
Высокое напряжение пробоя: широкая запрещенная зона SiC обеспечивает более высокое напряжение пробоя, что позволяет создавать более компактные и эффективные силовые устройства.
Работа при высоких температурах: превосходная теплопроводность SiC позволяет работать при более высоких температурах, повышая надежность устройства.
Низкое сопротивление открытого канала: устройства на основе SiC демонстрируют более низкое сопротивление открытого канала, что снижает потери мощности и повышает энергоэффективность.

VET Energy предлагает настраиваемые пластины SiC, соответствующие вашим конкретным требованиям, включая различную толщину, уровни легирования и отделку поверхности. Наша команда экспертов предоставляет техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы гарантировать ваш успех.

第6页-36
第6页-35

СПЕЦИФИКАЦИИ ПЛАСТИН

*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

нП

н-Пм

н-Пс

SI

SI

ТТВ(GBIR)

≤6мкм

≤6мкм

Лук (GF3YFCD)-Абсолютное значение

≤15мкм

≤15мкм

≤25мкм

≤15мкм

Варп (GF3YFER)

≤25мкм

≤25мкм

≤40мкм

≤25мкм

ЛТВ(СБИР)-10ммx10мм

<2мкм

Край вафли

Скашивание

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-Grade,n-Ps=n-тип Ps-Grade,Sl=полуизоляционный

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

нП

н-Пм

н-Пс

SI

SI

Отделка поверхности

Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP

Шероховатость поверхности

(10мкм x 10мкм) Si-FaceRa≤0.2нм
C-грань Ra≤ 0,5 нм

(5мкмx5мкм) Si-поверхность Ra≤0,2нм
C-грань Ra≤0.5нм

Краевые чипы

Не допускается (длина и ширина ≥0,5 мм)

Отступы

Не разрешено

Царапины (Si-Face)

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во ≤5,Накопительное
Длина≤0,5×диаметр пластины

Трещины

Не разрешено

Исключение кромки

3мм

размер_технологии_1_2
Китай (2)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!