6 Zoll Hallefisoléierend SiC Wafer

Kuerz Beschreiwung:

De VET Energy 6 Zoll halbisoléierende Siliziumkarbid (SiC) Wafer ass e qualitativ héichwäertegt Substrat, dat ideal fir eng breet Palette vun Uwendungen an der Leeschtungselektronik ass. VET Energy benotzt fortgeschratt Wuesstechniken fir SiC-Waferen mat aussergewéinlecher Kristallqualitéit, gerénger Defektdicht an héijem Widderstand ze produzéieren.


Produktdetailer

Produkt Tags

De 6 Zoll Hallefisoléierende SiC-Wafer vu VET Energy ass eng fortgeschratt Léisung fir Héichleistungs- an Héichfrequenzapplikatiounen, déi eng iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet an elektresch Isolatioun bitt. Dës Hallefisoléierend Wafere si wesentlech fir d'Entwécklung vun Apparater wéi HF-Verstärker, Stroumschalter an aner Héichspannungskomponenten. VET Energy garantéiert eng konsequent Qualitéit a Leeschtung, wouduerch dës Wafere ideal fir eng breet Palette vu Hallefleederfabrikatiounsprozesser sinn.

Nieft hiren aussergewéinleche Isolatiounseigenschaften sinn dës SiC-Wafers kompatibel mat enger Villfalt vu Materialien, dorënner Si-Wafer, SiC-Substrat, SOI-Wafer, SiN-Substrat an Epi-Wafer, wat se villfälteg fir verschidden Aarte vu Produktiounsprozesser mécht. Ausserdeem kënnen fortgeschratt Materialien wéi Galliumoxid Ga2O3 an AlN-Wafer a Kombinatioun mat dëse SiC-Wafers benotzt ginn, wat nach méi Flexibilitéit an elektroneschen Apparater mat héijer Leeschtung bitt. D'Wafers sinn fir eng nahtlos Integratioun mat Industriestandard-Handhabungssystemer wéi Kassettesystemer entwéckelt, wat eng einfach Benotzung a Masseproduktioun garantéiert.

VET Energy bitt e komplette Portfolio vu Hallefleedersubstrater, dorënner Si Wafer, SiC Substrat, SOI Wafer, SiN Substrat, Epi Wafer, Galliumoxid Ga2O3 an AlN Wafer. Eis divers Produktpalette entsprécht de Bedierfnesser vu verschiddenen elektroneschen Uwendungen, vun der Leeschtungselektronik bis hin zu HF an Optoelektronik.

6 Zoll Hallefisolatiouns-SiC-Wafer bitt verschidde Virdeeler:
Héich Duerchbrochspannung: Déi grouss Bandlück vum SiC erméiglecht méi héich Duerchbrochspannungen, wat méi kompakt an effizient Energieversuergungsapparater erméiglecht.
Betrib bei héijen Temperaturen: Déi exzellent thermesch Leetfäegkeet vu SiC erméiglecht de Betrib bei méi héijen Temperaturen, wat d'Zouverlässegkeet vum Apparat verbessert.
Niddrege Schaltwidderstand: SiC-Apparater weisen e méi niddrege Schaltwidderstand op, wat d'Energieverloschter reduzéiert an d'Energieeffizienz verbessert.

VET Energy bitt personaliséierbar SiC-Waferen un, déi Äre spezifesche Bedierfnesser gerecht ginn, dorënner verschidden Dicken, Dotierungsgraden an Uewerflächenofschloss. Eis Expertenéquipe bitt techneschen Support a Service no Verkaf, fir Ären Erfolleg ze garantéieren.

第6页-36
第6页-35

WAFEREN-SPECIFIKATIOUNEN

*n-Pm=n-Typ Pm-Grad, n-Ps=n-Typ Ps-Grad, Sl=Hallefisoléierend

Artikel

8-Zoll

6-Zoll

4-Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6µm

≤6µm

Béi(GF3YFCD) - Absolutwäert

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Verdreiwung (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR) - 10mmx10mm

<2μm

Waferrand

Ofschrägung

Uewerflächenofschloss

*n-Pm=n-Typ Pm-Grad, n-Ps=n-Typ Ps-Grad, Sl=Hallefisoléierend

Artikel

8-Zoll

6-Zoll

4-Zoll

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Uewerflächenfinish

Duebelsäiteg Optesch Politur, Si-Face CMP

Uewerflächenrauheet

(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5µmx5µm) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Kantchips

Keen erlaabt (Längt a Breet ≥0,5 mm)

Aréckungen

Keen erlaabt

Kratzer (Si-Face)

Quantitéit ≤5, Kumulativ
Längt≤0,5 × Waferduerchmiesser

Quantitéit ≤5, Kumulativ
Längt≤0,5 × Waferduerchmiesser

Quantitéit ≤5, Kumulativ
Längt≤0,5 × Waferduerchmiesser

Rëss

Keen erlaabt

Randausgrenzung

3mm

tech_1_2_gréisst
Zeechnen (2)

  • Virdrun:
  • Weider:

  • WhatsApp Online Chat!