Den 6-tums halvisolerande SiC-skivan från VET Energy är en avancerad lösning för högeffekts- och högfrekventa applikationer, och erbjuder överlägsen värmeledningsförmåga och elektrisk isolering. Dessa halvisolerande skivor är viktiga vid utveckling av enheter som RF-förstärkare, effektbrytare och andra högspänningskomponenter. VET Energy säkerställer jämn kvalitet och prestanda, vilket gör dessa skivor idealiska för ett brett spektrum av halvledartillverkningsprocesser.
Förutom sina enastående isoleringsegenskaper är dessa SiC-wafers kompatibla med en mängd olika material, inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat och Epi-wafer, vilket gör dem mångsidiga för olika typer av tillverkningsprocesser. Dessutom kan avancerade material som galliumoxid Ga2O3 och AlN-wafer användas i kombination med dessa SiC-wafers, vilket ger ännu större flexibilitet i högeffektselektroniska enheter. Wafers är utformade för sömlös integration med branschstandardiserade hanteringssystem som kassettsystem, vilket säkerställer enkel användning i massproduktionsmiljöer.
VET Energy erbjuder en omfattande portfölj av halvledarsubstrat, inklusive Si-skivor, SiC-substrat, SOI-skivor, SiN-substrat, Epi-skivor, galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor. Vårt mångsidiga produktsortiment tillgodoser behoven hos olika elektroniska applikationer, från kraftelektronik till RF och optoelektronik.
6-tums halvisolerande SiC-skivor erbjuder flera fördelar:
Hög genombrottsspänning: Det breda bandgapet hos SiC möjliggör högre genombrottsspänningar, vilket möjliggör mer kompakta och effektiva kraftenheter.
Högtemperaturdrift: SiC:s utmärkta värmeledningsförmåga möjliggör drift vid högre temperaturer, vilket förbättrar enhetens tillförlitlighet.
Lågt tillslagsmotstånd: SiC-komponenter uppvisar lägre tillslagsmotstånd, vilket minskar effektförluster och förbättrar energieffektiviteten.
VET Energy erbjuder anpassningsbara SiC-wafers för att möta dina specifika krav, inklusive olika tjocklekar, dopningsnivåer och ytbehandlingar. Vårt expertteam tillhandahåller teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa din framgång.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERANLÄGGNING
*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande
| Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Båge(GF3YFCD) - Absolut värde | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
| Varpning (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
| LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
| Waferkant | Avfasning | ||||
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande
| Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Ytbehandling | Dubbelsidig optisk polering, Si-Face CMP | ||||
| Ytjämnhet | (10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-yta Ra≤0,2nm | |||
| Kantchips | Inget tillåtet (längd och bredd ≥0,5 mm) | ||||
| Indrag | Inget tillåtet | ||||
| Repor (Si-Face) | Antal ≤5, Kumulativt | Antal ≤5, Kumulativt | Antal ≤5, Kumulativt | ||
| Sprickor | Inget tillåtet | ||||
| Kantuslutning | 3 mm | ||||







