6-tums halvisolerande SiC-skiva

Kort beskrivning:

VET Energys 6-tums halvisolerande kiselkarbid (SiC)-skivor är ett högkvalitativt substrat som är idealiskt för en mängd olika kraftelektroniska tillämpningar. VET Energy använder avancerade tillväxttekniker för att producera SiC-skivor med exceptionell kristallkvalitet, låg defektdensitet och hög resistivitet.


Produktinformation

Produktetiketter

Den 6-tums halvisolerande SiC-skivan från VET Energy är en avancerad lösning för högeffekts- och högfrekventa applikationer, och erbjuder överlägsen värmeledningsförmåga och elektrisk isolering. Dessa halvisolerande skivor är viktiga vid utveckling av enheter som RF-förstärkare, effektbrytare och andra högspänningskomponenter. VET Energy säkerställer jämn kvalitet och prestanda, vilket gör dessa skivor idealiska för ett brett spektrum av halvledartillverkningsprocesser.

Förutom sina enastående isoleringsegenskaper är dessa SiC-wafers kompatibla med en mängd olika material, inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat och Epi-wafer, vilket gör dem mångsidiga för olika typer av tillverkningsprocesser. Dessutom kan avancerade material som galliumoxid Ga2O3 och AlN-wafer användas i kombination med dessa SiC-wafers, vilket ger ännu större flexibilitet i högeffektselektroniska enheter. Wafers är utformade för sömlös integration med branschstandardiserade hanteringssystem som kassettsystem, vilket säkerställer enkel användning i massproduktionsmiljöer.

VET Energy erbjuder en omfattande portfölj av halvledarsubstrat, inklusive Si-skivor, SiC-substrat, SOI-skivor, SiN-substrat, Epi-skivor, galliumoxid Ga2O3 och AlN-skivor. Vårt mångsidiga produktsortiment tillgodoser behoven hos olika elektroniska applikationer, från kraftelektronik till RF och optoelektronik.

6-tums halvisolerande SiC-skivor erbjuder flera fördelar:
Hög genombrottsspänning: Det breda bandgapet hos SiC möjliggör högre genombrottsspänningar, vilket möjliggör mer kompakta och effektiva kraftenheter.
Högtemperaturdrift: SiC:s utmärkta värmeledningsförmåga möjliggör drift vid högre temperaturer, vilket förbättrar enhetens tillförlitlighet.
Lågt tillslagsmotstånd: SiC-komponenter uppvisar lägre tillslagsmotstånd, vilket minskar effektförluster och förbättrar energieffektiviteten.

VET Energy erbjuder anpassningsbara SiC-wafers för att möta dina specifika krav, inklusive olika tjocklekar, dopningsnivåer och ytbehandlingar. Vårt expertteam tillhandahåller teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa din framgång.

第6页-36
第6页-35

SPECIFIKATIONER FÖR WAFERANLÄGGNING

*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande

Punkt

8-tums

6-tums

4-tums

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Båge(GF3YFCD) - Absolut värde

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Varpning (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2 μm

Waferkant

Avfasning

YTBEHANDLING

*n-Pm=n-typ Pm-kvalitet,n-Ps=n-typ Ps-kvalitet,Sl=Halvisolerande

Punkt

8-tums

6-tums

4-tums

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Ytbehandling

Dubbelsidig optisk polering, Si-Face CMP

Ytjämnhet

(10µm x 10µm) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-yta Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Kantchips

Inget tillåtet (längd och bredd ≥0,5 mm)

Indrag

Inget tillåtet

Repor (Si-Face)

Antal ≤5, Kumulativt
Längd ≤0,5 × skivdiameter

Antal ≤5, Kumulativt
Längd ≤0,5 × skivdiameter

Antal ≤5, Kumulativt
Längd ≤0,5 × skivdiameter

Sprickor

Inget tillåtet

Kantuslutning

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Tidigare:
  • Nästa:

  • WhatsApp onlinechatt!